- 硅场发射显示器的结构和工艺流程设计
- 根据场发射显示器（FED—Field Emitter Display）的工作原理，设计了显示面积为10.8×10.8mm＜＇2＞的研究性器件。设计的FED为矩阵形、受信号调制进行寻址工作，所以对开发实用的Si-...
- 范忠薛臻周江云李琼彭自安
- 关键词：场致发射场发射显示器硅
- 硅雪崩击穿冷微阴极的电子发射特性
- 1992年
- 制成高电子发射效率的稳定可靠的冷阴极是使真空微电子器件得以实现的关键.本文报导了硅超浅PN结雪崩击穿式冷阴极的结构和工作原理以及电子发射的测试结果. 器件结构和工作原理冷阴极的基本结构如图1所示,图1中中心P^+N^(++)区是电子发射有源区.N^+环区为接触区.P^+和N^(++)区分别由硼和砷离子注入形成.硼注入条件为25 KeV,1.5 E13cm^(-2)+60 KeV,1.5 E13cm^(-2).硅片在B^+注入后放入900℃氮气中退火1小时,使硼离子得到有效激活.
- 李琼袁美英薛臻汤世豪徐静芳张锻吴俊雷
- 关键词：冷阴极电子发射
- 场发射冷阴极的稳定性和可靠性研究被引量：3
- 1997年
- 讨论了清洁处理（ＣＰ）对ＦＥＣ电子发射的影响。实验结果表明，ＣＰ能有效激活长时间存放于恶劣环境的ＦＥＣ的电子发射；还研究了场热成形（ＦＨＦ）对提高ＦＥＣ电子发射稳定性和可靠性的作用。实验发现，正确选择阳极材料并进行必要的真空除气，对防止尖端由于真空电弧而造成的破坏有重要意义。ＦＨＦ对尖端表面的微观状态具有强烈的影响，具体表现在尖端表面有效功函数φ和尖端场增强因子β的改变上。经过ＣＰ和ＦＨＦ处理，得到了发射稳定、可靠性好的ＦＥＣ。
- 陈春辉李琼徐静芳刘新福薛臻
- 关键词：平板显示可靠性稳定性
- 硅PN结反向击穿冷阴极研究
- 1993年
- 本文报导了硅PN结反向击穿冷阴极电子发射源的研究结果。尽管器件制造中采用的大部分工艺与标准的微电子工艺相容,但为了形成和测量超薄PN结,还引入了一些特殊方法。这些方法包括:超低能离子注入,由氧化和腐蚀构成的结区减薄工艺,快速热退火和一些对工艺进行监测的新方法。本文给出了电子发射特性,最大发射电流达到150nA,它对应的发射效率为8×10^(-6),这个数值已达到国际水平。
- 李琼徐静芳袁美英薛臻汤世豪张锻吴俊雷
- 关键词：真空微电子学PN结硅冷阴极
