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陈春辉

作品数:4 被引量:4H指数:1
供职机构:华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 2篇场发射
  • 2篇场发射阵列
  • 1篇电弧
  • 1篇电子发射
  • 1篇电子器件
  • 1篇真空
  • 1篇真空电弧
  • 1篇真空微电子
  • 1篇真空微电子器...
  • 1篇平板显示
  • 1篇微电子器件
  • 1篇稳定性
  • 1篇冷阴极
  • 1篇可靠性
  • 1篇感器
  • 1篇场致发射
  • 1篇场致发射阴极
  • 1篇传感
  • 1篇传感器
  • 1篇磁敏

机构

  • 4篇华东师范大学
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 4篇徐静芳
  • 4篇李琼
  • 4篇刘新福
  • 4篇陈春辉
  • 3篇范忠
  • 1篇薛臻
  • 1篇杨根庆
  • 1篇丁艳芳
  • 1篇柳襄怀

传媒

  • 2篇华东师范大学...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇1998
  • 3篇1997
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
场发射阵列的热电模型
1997年
场发射阵列的主要失效机制是真空电弧。本文先概括了真空电弧的现象,然后描述了一个放电损伤的热电模型,说明了造成损伤的材料量、能量、功率、时间范围和能量来源。根据这个模型,提出了对抗真空电弧可能采取的各种技术措施。
李琼陈春辉刘新福范忠丁艳芳徐静芳
关键词:场发射阵列真空电弧场致发射阴极
场发射冷阴极的稳定性和可靠性研究被引量:3
1997年
讨论了清洁处理(CP)对FEC电子发射的影响。实验结果表明,CP能有效激活长时间存放于恶劣环境的FEC的电子发射;还研究了场热成形(FHF)对提高FEC电子发射稳定性和可靠性的作用。实验发现,正确选择阳极材料并进行必要的真空除气,对防止尖端由于真空电弧而造成的破坏有重要意义。FHF对尖端表面的微观状态具有强烈的影响,具体表现在尖端表面有效功函数φ和尖端场增强因子β的改变上。经过CP和FHF处理,得到了发射稳定、可靠性好的FEC。
陈春辉李琼徐静芳刘新福薛臻
关键词:平板显示可靠性稳定性
纵向结构真空磁敏传感器的原理和制造
1998年
该文介绍了用场发射阵列作为电子源的纵向磁敏感传感器(VerticalFieldEmissionArraysMasneticFieldSensor-VFEAMFS)的工作原理,分析了这种磁敏传感器的灵敏度,并阐述了VFEAMFS器件的制造和实验结果以及器件的基本工作参数和提高灵敏度的主要措施。
陈春辉范忠刘新福李琼徐静芳杨根庆
关键词:磁敏传感器
功能覆盖膜对场发射阵列(FEA)电子发射性能的影响被引量:1
1997年
为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列(FEA)覆盖材料,我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜,薄膜淀积采用离子束辅助淀积(IBAD)以及其它淀积技术。在10^-6Pa下测量具有不同覆盖膜的硅FEA二极管的I-V特性,测量结果表明除Au和Mo外,其它覆盖材料都对FEA电子发射性能有改进,经TaN覆盖的FEA发射电流最大。由F-N曲线估算出有效表面功函数和有效发射面积,从而说明以上所得的实验结果。
刘新福李琼徐静芳范忠陈春辉柳襄怀杨根庆
关键词:场发射阵列电子发射真空微电子器件
共1页<1>
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