黄莉敏
- 作品数：6 被引量：16H指数：3
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术更多>>
- SiC紫外光电探测器高反压下增益性能的研究被引量：1
- 2005年
- 用宽禁带半导体n4HSiC和金属Au作肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金作背底,形成欧姆接触,研制出Au/n4HSiC肖特基紫外探测器。文章测试并分析了器件在高压下的紫外光电响应的高增益特性,反压150V下,增益可达到3.8×104。在高反压下(100V以上),探测器的光谱响应曲线出现了锐上升和锐截止,在260～380nm之间,有非常平稳的光谱响应;在高温533K无偏压下,紫外响应特性仍然保持良好。
- 黄莉敏谢家纯梁锦孙腾达
- 关键词：宽带隙肖特基接触光谱响应紫外探测器
- Au／4H-SiC肖特基UV光电二极管的温度特性被引量：3
- 2005年
- 采用微电子平面工艺,高真空电子束蒸发金属Au做肖特基接触,多层金属Ni、Ti、Ag合金 在背底上做欧姆接触,制作出Au／n-4H-SiC肖特基势垒紫外光电二极管(Uv-SBD)。测试并分析了在不同温 度下该器件的I-V特性及光谱响应特性。实验表明:器件高温下有较低的反向漏电流,正向开启电压下降速度 为-1．2 mV／℃;波长响应范围为200-400 nm,在23℃和260℃时,光谱响应峰值分别出现在320 nm和 330 nm,每100℃波长红移约4 nm;响应灵敏度随温度升高而降低,平均每100℃降低2倍。
- 梁锦谢家纯黄莉敏孙腾达
- 关键词：光电子学光电二极管肖特基势垒光谱响应
- SiC基的高性能紫外光电探测器
- 本文详细介绍了宽带隙半导体SiC的性质、材料制备及器件方面的研究。着重分析了以n-4H-SiC和金属Au作肖特基接触，Ti、Ni、Ag合金作背底形成欧姆接触，研制出的Au/n-4H-SiC肖特基紫外探测器的优良性能。
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- 黄莉敏
- 关键词：紫外光电探测器宽带隙半导体光谱响应特性
- 文献传递
- 以SiC为基的高性能紫外光电探测器
- 用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au作肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金作背底形成欧姆接触,研制出Au/n-4H-SiC肖特基紫外探测器.本文测试分析了器件在高温高压下的光谱响应特性,响应范围在200nm~400nm之...
- 黄莉敏谢家纯梁锦
- 关键词：SIC光谱响应紫外探测器
- 文献传递
- ZnO欧姆电极制备与n-ZnO/p-Si异质结紫外光电特性被引量：10
- 2006年
- 基于ZnO形成的机理,运用半导体能带理论,分析了金属和ZnO的欧姆接触和肖特基接触特性;在p-Si衬底上,采用直流及射频溅射获得掺Al的ZnO薄膜;用电子束蒸发In/Ag、In/Al、Ti/Au,微电子光刻工艺制作范德堡、传输线、梳状电极和n-ZnO/p-Si异质结UV增强光电探测器,并在200～500℃时,在氩气保护下制作合金样品,测量样品的I-V特性、电阻率、载流子浓度、异质PN结的UV光谱响应,以及对XPS结构组分进行分析等.测试结果表明,采用金属功函数低的In、Ti做中间导电层,并在400℃退火合金后,In/Ag、In/Al、Ti/Au与n-ZnO薄膜形成了良好的欧姆接触.
- 孙腾达谢家纯粱锦黄莉敏林碧霞傅竹西
- 关键词：宽带隙ZNO欧姆接触异质结紫外
- SiC基的高性能紫外光电探测器被引量：3
- 2005年
- 用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au作肖特基接触,Ti,Ni,Ag合金作背底形成欧姆接触,研制出Au/n4H-SiC肖特基紫外探测器.测试分析了器件在高温高压下的光谱响应特性,响应范围在200～400nm之间,室温无偏压下,响应峰值在320nm,响应半宽为82nm.在高反压下(100V以上)探测器的光谱响应曲线出现了锐上升和锐截止,在260～380nm之间有非常平稳的光谱响应;在高温533K无偏压下,紫外响应特性仍然保持良好.
- 黄莉敏谢家纯梁锦
- 关键词：宽禁带光谱响应
