孙腾达
- 作品数：4 被引量：14H指数：2
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 硅基ZnO紫外光电器件的研究
- 在这篇文章中讲述ZnO欧姆电极的制备与ZnO：Al/p-Si异质结紫外光电特性研究，还要介绍基于Si衬底的ZnO薄膜MSMUV增强光电探测器的研究的研究工作。
本文第一章简要介绍ZnO材料的结构、特性以及应用，并回...
- 孙腾达
- 关键词：ZNO材料晶格结构
- 文献传递
- SiC紫外光电探测器高反压下增益性能的研究被引量：2
- 2005年
- 用宽禁带半导体n4HSiC和金属Au作肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金作背底,形成欧姆接触,研制出Au/n4HSiC肖特基紫外探测器。文章测试并分析了器件在高压下的紫外光电响应的高增益特性,反压150V下,增益可达到3.8×104。在高反压下(100V以上),探测器的光谱响应曲线出现了锐上升和锐截止,在260～380nm之间,有非常平稳的光谱响应;在高温533K无偏压下,紫外响应特性仍然保持良好。
- 黄莉敏谢家纯梁锦孙腾达
- 关键词：宽带隙肖特基接触光谱响应紫外探测器
- Au／4H-SiC肖特基UV光电二极管的温度特性被引量：3
- 2005年
- 采用微电子平面工艺,高真空电子束蒸发金属Au做肖特基接触,多层金属Ni、Ti、Ag合金 在背底上做欧姆接触,制作出Au／n-4H-SiC肖特基势垒紫外光电二极管(Uv-SBD)。测试并分析了在不同温 度下该器件的I-V特性及光谱响应特性。实验表明:器件高温下有较低的反向漏电流,正向开启电压下降速度 为-1．2 mV／℃;波长响应范围为200-400 nm,在23℃和260℃时,光谱响应峰值分别出现在320 nm和 330 nm,每100℃波长红移约4 nm;响应灵敏度随温度升高而降低,平均每100℃降低2倍。
- 梁锦谢家纯黄莉敏孙腾达
- 关键词：光电子学光电二极管肖特基势垒光谱响应
- ZnO欧姆电极制备与n-ZnO/p-Si异质结紫外光电特性被引量：10
- 2006年
- 基于ZnO形成的机理,运用半导体能带理论,分析了金属和ZnO的欧姆接触和肖特基接触特性;在p-Si衬底上,采用直流及射频溅射获得掺Al的ZnO薄膜;用电子束蒸发In/Ag、In/Al、Ti/Au,微电子光刻工艺制作范德堡、传输线、梳状电极和n-ZnO/p-Si异质结UV增强光电探测器,并在200～500℃时,在氩气保护下制作合金样品,测量样品的I-V特性、电阻率、载流子浓度、异质PN结的UV光谱响应,以及对XPS结构组分进行分析等.测试结果表明,采用金属功函数低的In、Ti做中间导电层,并在400℃退火合金后,In/Ag、In/Al、Ti/Au与n-ZnO薄膜形成了良好的欧姆接触.
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- 关键词：宽带隙ZNO欧姆接触异质结紫外
