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张兴宏

作品数：6 被引量：16H指数：3
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 4篇晶体管
  • 3篇异质结
  • 3篇双极晶体管
  • 3篇HBT
  • 2篇异质结双极晶...
  • 2篇砷化镓
  • 2篇ALGAIN...
  • 2篇GA
  • 2篇HEMT
  • 2篇GAAS
  • 1篇电流增益
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇增益
  • 1篇直流输出
  • 1篇深能级
  • 1篇输运
  • 1篇能级
  • 1篇迁移率
  • 1篇铝镓铟磷
  • 1篇界面态

机构

  • 6篇中国科学院上...
  • 3篇中国科学院

作者

  • 6篇张兴宏
  • 6篇夏冠群
  • 3篇顾伟东
  • 3篇程知群
  • 3篇徐元森
  • 3篇吴杰
  • 2篇杨玉芬
  • 2篇王占国
  • 2篇束伟民
  • 1篇束为民
  • 1篇胡雨生
  • 1篇陈张海
  • 1篇桂永胜
  • 1篇褚君浩

传媒

  • 4篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子学报

年份

  • 1篇2000
  • 5篇1999
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响被引量：6
1999年
本文利用高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）的直流输出分析模型，首次定量地分析了界面态对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＥＭＴ 直流输出特性的影响．考虑界面态的作用，详细分析了不同界面态密度对ＨＥＭＴ的ＩＶ特性和器件跨导的影响．我们的研究结果表明随着界面态密度的增加，栅极电压对电流的控制能力减小，从而使器件的跨导减小．
张兴宏程知群夏冠群徐元森杨玉芬王占国
关键词：HEMT界面态直流输出ALGAASGAAS
HEMT结构材料中二维电子气的输运性质研究被引量：4
1999年
本文通过变温的Ｈａｌ测量系统地研究了ＧａＡｓ基ＨＥＭＴ和ＰＨＥＭＴ以及ＩｎＰ基ＨＥＭＴ三种结构材料的电子迁移率μｎ和二维电子浓度ｎｓ．仔细地分析了不同ＨＥＭＴ结构材料的散射机制对电子迁移率的影响以及不同ＨＥＭＴ材料结构对电子浓度的影响．研究结果表明ＩｎＰ基ＨＥＭＴ的ｎｓ×μｎ值比ＧａＡｓ基ＨＥＭＴ和ＰＨＥＭＴ的ｎｓ×μｎ值都大，说明可以用ｎｓ×μｎ值来判断ＨＥＭＴ结构材料的性能好坏．
张兴宏夏冠群徐元森徐波杨玉芬王占国
关键词：HEMT晶体管电子迁移率二维电子气
Al_(0.3)Ga_(0.22)In_(0.48)P/GaAsHBT高温特性的研究
1999年
本文研制了Al03Ga022In048P/GaAs高温HBT器件,详细地研究了器件在300K～623K范围内HBT的直流电学特性.结果表明Al03Ga022In048P/GaAsHBT器件具有良好的高温特性,在300K～623K温度范围内,动态电流增益变化小于10%.Al03Ga022In048P/GaAsHBT可工作至623K,工作温度超过623K后,器件就不能正常工作,经分析发现导致HBT失效的直接原因是BC结短路.BC结短路的机制有待今后进一步探讨.
吴杰夏冠群束伟民顾伟东张兴宏P.A.Houston
关键词：异质结双极晶体管HBT
四元系AlGaInP为发射极异质结双极晶体管研究被引量：3
1999年
本文对ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）进行了研究．设计并制备了ＡｌＧａＩｎＰ为发射极的叉指结构ＨＢＴ器件．研究结果表明，ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓＨＢＴ具有较高的电流增益和较好的温度特性．同时，由于对ＡｌＧａＩｎＰ和ＧａＡｓ腐蚀选择性大，因而工艺简单、重复性好．
程知群孙晓玮束伟民张兴宏顾伟东夏冠群
关键词：HBT双极晶体管异质结发射极
高温Al_(0.3)Ga_(0.22)In_(0.48)P/GaAsHBT电流增益的计算分析被引量：6
2000年
建立了Ａｌ０．３Ｇａ０．２２Ｉｎ０．４８Ｐ／ＧａＡｓ 异质结双极型晶极管（ＨＢＴ）中电流输运过程的模型，利用实验得到的材料特性参数进行了ＨＢＴ电流增益随温度变化的模拟．随着温度上升，小电流时电流增益下降较多，而大电流时电流增益基本保持不变．模拟表明，小电流下电流增益的下降主要是由ｅｂ 结空间电荷区的复合电流随温度增加而造成的；而大电流下电流增益直至７２３Ｋ 下降仍小于１０％ ．最高工作温度可达８４８Ｋ．由于采用的计算方法充分考虑了空间电荷区复合电流的影响，模拟结果较为符合实际情况，可为研制高性能ＨＢＴ器件所需材料提供参考依据．
吴杰夏冠群束为民顾伟东张兴宏
关键词：电流增益HBTALGAINPGAAS砷化镓
深能级对AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管性能的影响被引量：2
1999年
用深能级瞬态光谱和光致发光（ＰＬ）方法研究了ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）发射区ＡｌＧａＩｎＰ中的深能级．得到了两个深能级，分别为Ｅｃ－Ｅｔ１＝０４２ｅＶ和Ｅｃ－Ｅｔ２＝０５９ｅＶ，其复合截面为σｎ１＝６２７×１０－１７ｃｍ２和σｎ２＝６４９×１０－２０ｃｍ２．这两个深能级分别与硅杂质和氧杂质相联系．从不同激发功率与ＰＬ峰强度的关系，说明在ＡｌＧａＩｎＰ中存在深能级非复合中心．ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓＨＢＴ发射区ＡｌＧａＩｎＰ中深能级的存在使器件的电流增益减小．
张兴宏胡雨生吴杰程知群夏冠群徐元森陈张海桂永胜褚君浩
关键词：砷化镓铝镓铟磷深能级异质结晶体管
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