吴杰
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
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- Al_(0.3)Ga_(0.22)In_(0.48)P/GaAsHBT高温特性的研究
- 1999年
- 本文研制了Al03Ga022In048P/GaAs高温HBT器件,详细地研究了器件在300K～623K范围内HBT的直流电学特性.结果表明Al03Ga022In048P/GaAsHBT器件具有良好的高温特性,在300K～623K温度范围内,动态电流增益变化小于10%.Al03Ga022In048P/GaAsHBT可工作至623K,工作温度超过623K后,器件就不能正常工作,经分析发现导致HBT失效的直接原因是BC结短路.BC结短路的机制有待今后进一步探讨.
- 吴杰夏冠群束伟民顾伟东张兴宏P.A.Houston
- 关键词：异质结双极晶体管HBT
- Al_xGa_(0.52-x)In_(0.48)P/GaAs异质结双极晶体管高温特性的计算分析
- 2000年
- 建立了适用于缓变 Alx Ga0 .5 2 -x In0 .48P/Ga As HBT的解析模型。考虑了 Al组分 x的变化对 HBT温度特性的影响。分析结果表明 ,在实用的电流范围 (Jc在 1 0 3 A/cm2 左右 )内 ,Alx Ga0 .5 2 -xIn0 .48P/Ga As HBT随着 x的增大 ,其电流增益的稳定性也上升 ,当 x=0 .3时工作温度可超过 70 0K。文章还分析了高温时
- 吴杰夏冠群束为民顾伟东P.A.Houston
- 关键词：异质结双极型晶体管砷化镓
- 高温Al_(0.3)Ga_(0.22)In_(0.48)P/GaAsHBT电流增益的计算分析被引量：6
- 2000年
- 建立了Ａｌ０．３Ｇａ０．２２Ｉｎ０．４８Ｐ／ＧａＡｓ 异质结双极型晶极管（ＨＢＴ）中电流输运过程的模型，利用实验得到的材料特性参数进行了ＨＢＴ电流增益随温度变化的模拟．随着温度上升，小电流时电流增益下降较多，而大电流时电流增益基本保持不变．模拟表明，小电流下电流增益的下降主要是由ｅｂ 结空间电荷区的复合电流随温度增加而造成的；而大电流下电流增益直至７２３Ｋ 下降仍小于１０％ ．最高工作温度可达８４８Ｋ．由于采用的计算方法充分考虑了空间电荷区复合电流的影响，模拟结果较为符合实际情况，可为研制高性能ＨＢＴ器件所需材料提供参考依据．
- 吴杰夏冠群束为民顾伟东张兴宏
- 关键词：电流增益HBTALGAINPGAAS砷化镓
- 深能级对AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管性能的影响被引量：2
- 1999年
- 用深能级瞬态光谱和光致发光（ＰＬ）方法研究了ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）发射区ＡｌＧａＩｎＰ中的深能级．得到了两个深能级，分别为Ｅｃ－Ｅｔ１＝０４２ｅＶ和Ｅｃ－Ｅｔ２＝０５９ｅＶ，其复合截面为σｎ１＝６２７×１０－１７ｃｍ２和σｎ２＝６４９×１０－２０ｃｍ２．这两个深能级分别与硅杂质和氧杂质相联系．从不同激发功率与ＰＬ峰强度的关系，说明在ＡｌＧａＩｎＰ中存在深能级非复合中心．ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓＨＢＴ发射区ＡｌＧａＩｎＰ中深能级的存在使器件的电流增益减小．
- 张兴宏胡雨生吴杰程知群夏冠群徐元森陈张海桂永胜褚君浩
- 关键词：砷化镓铝镓铟磷深能级异质结晶体管
- 微波峰值功率分析仪探头的关键器件-PDBD组件的研究
- 主要介绍普遍应用于微波测量系统的峰值功率分析仪探头的关键部件驶低势垒（LBS）二极管组件的工作原理，并详细描述新型器件一平面掺杂势垒（PDB）二级管组件的结构、原理及与LBSD相比的优越性能。
- 郭方敏吴杰束伟民李小卫夏冠群
- 关键词：峰值功率测量
