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束为民

作品数：3 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇砷化镓
  • 2篇ALGAIN...
  • 1篇电流增益
  • 1篇异质结
  • 1篇有源
  • 1篇有源器件
  • 1篇增益
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇双极型
  • 1篇双极型晶体管
  • 1篇晶体管
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇放大器
  • 1篇XGA
  • 1篇AL
  • 1篇GA
  • 1篇GAAS_H...
  • 1篇HBT
  • 1篇GAAS

机构

  • 3篇中国科学院上...

作者

  • 3篇束为民
  • 3篇夏冠群
  • 2篇顾伟东
  • 2篇吴杰
  • 1篇张美圣
  • 1篇张兴宏
  • 1篇郝幼申
  • 1篇钱蓉
  • 1篇程智群
  • 1篇盛怀茂

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 3篇2000
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Al_xGa_(0.52-x)In_(0.48)P/GaAs异质结双极晶体管高温特性的计算分析
2000年
建立了适用于缓变 Alx Ga0 .5 2 -x In0 .48P/Ga As HBT的解析模型。考虑了 Al组分 x的变化对 HBT温度特性的影响。分析结果表明 ,在实用的电流范围 (Jc在 1 0 3 A/cm2 左右 )内 ,Alx Ga0 .5 2 -xIn0 .48P/Ga As HBT随着 x的增大 ,其电流增益的稳定性也上升 ,当 x=0 .3时工作温度可超过 70 0K。文章还分析了高温时
吴杰夏冠群束为民顾伟东P.A.Houston
关键词：异质结双极型晶体管砷化镓
AlGaInP/GaAs HBT功率放大器
夏冠群孙晓玮程智群束为民盛怀茂张美圣钱蓉郝幼申
材料为发射极制备的HBT作为微波功率放大器的有源器件。材料体系在所有与GaAs晶格匹配的材料体系中具有最大的价带不连续性（△EV），能有效抑制HBT器件工作时基极空穴的反向注入，改善结区和整个器件的温度特性，使器件有更高...
关键词：
关键词：功率放大器放大器有源器件
高温Al_(0.3)Ga_(0.22)In_(0.48)P/GaAsHBT电流增益的计算分析被引量：6
2000年
建立了Ａｌ０．３Ｇａ０．２２Ｉｎ０．４８Ｐ／ＧａＡｓ 异质结双极型晶极管（ＨＢＴ）中电流输运过程的模型，利用实验得到的材料特性参数进行了ＨＢＴ电流增益随温度变化的模拟．随着温度上升，小电流时电流增益下降较多，而大电流时电流增益基本保持不变．模拟表明，小电流下电流增益的下降主要是由ｅｂ 结空间电荷区的复合电流随温度增加而造成的；而大电流下电流增益直至７２３Ｋ 下降仍小于１０％ ．最高工作温度可达８４８Ｋ．由于采用的计算方法充分考虑了空间电荷区复合电流的影响，模拟结果较为符合实际情况，可为研制高性能ＨＢＴ器件所需材料提供参考依据．
吴杰夏冠群束为民顾伟东张兴宏
关键词：电流增益HBTALGAINPGAAS砷化镓
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