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张筱朵

作品数:7 被引量:14H指数:2
供职机构:东南大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金江苏省“青蓝工程”基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇感器
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇电容式
  • 2篇电容式压力
  • 2篇电容式压力传...
  • 2篇淀积
  • 2篇压力传感器
  • 2篇压阻
  • 2篇有机膜
  • 2篇湿度传感器
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子机械
  • 2篇微电子机械系...
  • 2篇微机电系统
  • 2篇力传感器
  • 2篇接口

机构

  • 7篇东南大学

作者

  • 7篇张筱朵
  • 6篇秦明
  • 5篇黄庆安
  • 2篇黄晓东
  • 2篇王斌
  • 1篇吴剑
  • 1篇孙慧明

传媒

  • 1篇传感技术学报
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇纳米技术与精...

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 4篇2007
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
微电子机械系统正面结构释放的保护方法
微电子机械系统正面结构释放的保护方法是一种MEMS(微电子机械系统)后处理中正面结构释放的正面保护方法,先在整个芯片正面淀积一层中间层(2)物质,然后利用光刻、腐蚀工艺制作出中间层(2)的图形,确保芯片正面本身有铝焊盘或...
秦明张筱朵黄庆安
文献传递
微电子机械系统正面结构释放的保护方法
微电子机械系统正面结构释放的保护方法是一种MEMS(微电子机械系统)后处理中正面结构释放的正面保护方法,先在整个芯片正面淀积一层中间层(2)物质,然后利用光刻、腐蚀工艺制作出中间层(2)的图形,确保芯片正面本身有铝焊盘或...
秦明张筱朵黄庆安
文献传递
基于MEMS工艺的压阻式湿度传感器的设计制作被引量:10
2008年
提出用硅-硅直接键合的SOI片制作压阻式湿度传感器。它是利用涂覆在硅膜上聚酰亚胺膜吸湿发生膨胀,导致双膜结构发生弯曲产生应力的原理进行工作的。为了确定传感器结构、优化尺寸,采用ANSYS软件进行了模拟计算、设计了MEMS湿度传感器的制造工艺,对制作的微湿度传感器进行了测试,其灵敏度为0.21 mV%RH,最大湿滞为8%RH。
孙慧明张筱朵吴剑秦明黄庆安
关键词:MEMS湿度传感器压阻聚酰亚胺
单片集成MEMS电容式压力传感器接口电路设计被引量:3
2007年
介绍了一种单片集成电容式压力传感器接口电路,该电路基于电容一频率转化原理,并通过差频消除了温度变化和工艺波动对电路性能的影响。使用Pspice对接口电路的误差特性进行了分析,并依据仿真结果确定了电路的相关参数。最后给出电路的测试结果,测试结果与仿真结果一致,在80~110kPa量程内,接口电路的分辨率为3.77Hz/hPa。
黄晓东张筱朵王斌秦明黄庆安
关键词:微机电系统单片集成
MEMS芯片正面结构释放时的保护被引量:1
2007年
提出了一种MEMS后处理中正面结构释放的正面保护方法.尤其是针对在CMOS-MEMS工艺制造单片集成传感器时,MEMS后处理工艺中正面体硅湿法腐蚀时对已制作完成的CMOS电路部分的表面铝引线、铝焊盘和钝化层下多晶层的保护方法.将一种新型的复合膜结构和优化后的TMAH腐蚀液相结合,可以保证长时间高温腐蚀时腐蚀液不会渗透到钝化层下,同时完成正面MEMS结构释放.具有与CMOS工艺兼容、工艺实现简单等特点.
张筱朵秦明
单片集成MEMS电容式压力传感器接口电路设计
介绍了一种单片集成电容式压力传感器接口电路,该电路基于电容频率转化原理,并通过差频消除了温度变化和工艺波动对电路性能的影响。使用 Pspice 对接口电路的误差特性进行了分析,并依据仿真结果确定了电路的相关参数。最后给出...
黄晓东张筱朵王斌秦明黄庆安
关键词:微机电系统单片集成
文献传递
MEMS压阻型湿度传感器的设计及工艺研究
本研究根据国家863项目中对温湿度传感器的要求,设计和制造了MEMS压阻型湿度传感器,并对其进行了性能测试和分析。着重对此种压阻型湿度传感器的结构设计、制作工艺和测试结果进行了研究,并对MEMS后处理工艺中正面腐蚀时的芯...
张筱朵
关键词:湿度传感器温度补偿芯片设计
文献传递
共1页<1>
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