徐金
- 作品数：5 被引量：4H指数：2
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 表面钝化前后Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN异质结势垒层应变的高温特性被引量：2
- 2006年
- 用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)研究了表面钝化前后Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN异质结势垒层应变的高温特性,温度变化范围从室温到813K.结果表明,对未钝化的异质结,当测试温度高于523K时,Al_(0.22)Ga_(0.78)N势垒层开始出现应变弛豫;钝化后,在Al_(0.22)Ga_(0.78)N势垒层中会产生一个附加的平面拉伸应变,并随着温度的增加,势垒层中的平面拉伸应变会呈现出一个初始的增加,接着应变将减小,对100nm厚的Al_(0.22)Ga_(0.78)N势垒层,应变只是轻微地减小,但对于50nm厚的Al_(0.22)Ga_(0.78)N势垒层,则出现了严重的应变弛豫现象.
- 张开骁陈敦军沈波陶亚奇吴小山徐金张荣郑有炓
- La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3薄膜结构与输运性质被引量：2
- 2004年
- 用磁控溅射方法在不同单晶衬底材料上制备了一系列含La2/3Ca1/3MnO3(LCMO)薄膜。当薄膜厚度大于200?,在我们实验条件下可观测到金属-绝缘体转变,且转变温度随厚度和衬底材料而变化。渗流电阻模型被用来解释薄膜材料的电输运特性,结合薄膜外延特性(晶格失配)和薄膜与衬底的相互作用,及薄膜表面、界面粗糙度的测量可知薄膜的剩余电阻、极化子的激活能、金属-绝缘体转变温度等密切与薄膜质量相关。
- 吴小山徐金蔡宏灵张爱梅蒋树声谭伟石陈中军陈兴孙民华吴忠华高炬
- 关键词：界面粗糙度晶格失配
- Gd含量对Gd_5Si_2Ge_2晶体结构和磁性能的影响
- 2004年
- 用非自耗电弧炉熔炼了Gd5+xSi2Ge2系列样品。用X射线粉末衍射(XRD)和Rietveld方法研究了Gd5+xSi2Ge2系列样品的晶体结构。用自制的仪器测量了样品的居里温度,用振动样品磁强计研究了样品的磁卡效应。对样品的晶体结构分析结果表明:Gd的含量x的变化对Gd5Si2Ge2化合物的晶体结构有较大的影响,当x>0时,样品中含有Gd5(Si,Ge)4和Gd5(Si,Ge)3两个相,并且随着x的增加Gd5(Si,Ge)4相会减少,Gd5(Si,Ge)3相会增加;当x<0时,样品会形成Gd5(Si,Ge)4和Gd(Si,Ge)两相,并且随着x的减少Gd5(Si,Ge)4相会减少,Gd(Si,Ge)相会增多。对样品的磁性能分析结果表明:Gd的含量x>0和x<0时都会降低样品的磁卡效应,样品的居里温度会随着x的增加而增加。
- 罗广圣黄军平徐鹏唐少龙蔡宏灵徐金吴小山
- 关键词：磁熵变RIETVELD方法晶体结构磁卡效应
- 半导体异质结构AlGaN/GaN，Si/Ge的X射线衍射与散射研究
- X射线是一种波长在0.01～100 ？范围的电磁波，能够被材料吸收和散射。被材料散射的X射线携带着材料的结构信息，可以用来分析材料的结构特征。不同的收集和处理实验数据的方法形成了不同的X射线散射实验技术。众所周知，材料的...
- 徐金
- 关键词：晶格X射线衍射
- 文献传递
- AlGaN/GaN异质结构的X射线衍射研究
- 2004年
- 在(0001)取向的蓝宝石(α-Al2O3)基片上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长了势垒层厚度为1000?的Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构;;利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术测量了样品的对称反射(0002)和非对称反射(1014)的倒易空间Mapping(RSM)。结果表明;;样品势垒层的内部微结构与应变状态和下层i-GaN的微结构与应变状态互相关联。样品势垒层的微应变已经发生弛豫;;而且具有一种“非常规”应变弛豫状态;;这种弛豫状态的来源可能与n-AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α-Al2O3界面应变弛豫状态有关。掠入射X射线衍射研究表明样品内部的应变是不均匀的;;由表层的横向压应变状态过渡到下层的张应变状态;;与根据倒易空间Mapping分析得到的结果一致。
- 谭伟石徐金蔡宏灵沈波吴小山蒋树声郑文莉贾全杰
- 关键词：应变弛豫
