蔡宏灵
- 作品数：20 被引量：20H指数：2
- 供职机构：南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 具有超高倍频性能的新型有机分子铁电
- <正>1920年第一个铁电体罗息盐被发现,从此以后上千种无机、有机铁电体接踵而至,近些年来,一些性能优越的有机铁电体陆续被发现。其中二异丙胺溴[1]具有超过20μC/cm~2的超高自发极化值,并且在室温下具有铁电性,性能...
- 刘闯蔡宏灵
- 文献传递
- 同步辐射光源简介被引量：8
- 2006年
- 简要介绍了同步辐射概念、同步辐射光源的特点及我国同步辐射光源发展的现状。
- 谭伟石蔡宏灵吴小山
- 关键词：同步辐射光源
- (La0．52Y0．15)(Ca0．17Sr0．16)MnO3/SrTiO3薄膜的结构研究
- 在粉末体块材料研究的基础上,我们生长了双掺杂(LaY)(CaSr)MnO (LYCSMO)薄膜,衬底是(001)的 SrTiO(STO)。原子力显微镜测量表明薄膜的表面平整、均匀,粗糙度仅0．37nm,显示二维生长特征。...
- 蔡宏灵吴小山高炬
- 关键词：晶体生长X射线衍射
- 阳离子无序对锰氧化物结构和输运性质的影响
- 本文研究了钙钛矿锰氧化物中A位离子半径不匹配引起的掺杂无序效应对锰氧化物的结构和输运性质的影响。我们通过Y和Sr的共同掺杂实现了同时保持空穴浓度和A位平均离子半径不变的目的，而无序度线性增加，这样就可以忽略空穴浓度和A位...
- 蔡宏灵
- 关键词：锰氧化物钙钛矿锰氧化物输运性质单晶结构庞磁电阻效应
- La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3薄膜结构与输运性质被引量：2
- 2004年
- 用磁控溅射方法在不同单晶衬底材料上制备了一系列含La2/3Ca1/3MnO3(LCMO)薄膜。当薄膜厚度大于200?,在我们实验条件下可观测到金属-绝缘体转变,且转变温度随厚度和衬底材料而变化。渗流电阻模型被用来解释薄膜材料的电输运特性,结合薄膜外延特性(晶格失配)和薄膜与衬底的相互作用,及薄膜表面、界面粗糙度的测量可知薄膜的剩余电阻、极化子的激活能、金属-绝缘体转变温度等密切与薄膜质量相关。
- 吴小山徐金蔡宏灵张爱梅蒋树声谭伟石陈中军陈兴孙民华吴忠华高炬
- 关键词：界面粗糙度晶格失配
- 铅基钙钛矿铁电晶体高临界转变温度的机器学习研究被引量：6
- 2019年
- 铁电材料由铁电相转化为顺电相的临界温度被称为居里温度,是铁电材料的一个关键指标.本文使用固溶体组成元素的基本物理性质等特征对不同组分和配比的铅基钙钛矿铁电固溶体进行了统一的描述,采用岭回归、支持向量回归、极端随机森林回归等机器学习方法对铅基钙钛矿铁电固溶体的居里温度进行了学习.使用交叉验证的方法对学习效果进行验证,得到上述机器学习方法对材料居里温度的预测值与实验值之间的平均误差分别为14.4,14.7,16.1 K,集成三种回归方法优化的模型在交叉验证中测得的平均误差为13.9 K.在此基础上对超过20万种铅基钙钛矿的居里温度进行了预测,给出了两种可能具有高居里温度的铁电材料.
- 杨自欣高章然孙晓帆蔡宏灵张凤鸣吴小山
- 关键词：铁电居里温度钙钛矿
- Y0.2Ga0.8-xMnO3晶体结构的RietVeld精修
- 本文通过探讨A位引入空位对电子掺杂型锰氧化物晶体结构的影响,采用标准固相反应法制备名义成分为Y0.2Ca0 8-xMnO3(x=0～0.2)的粉末多晶样品.对其X射线粉末衍射数据分析显示,掺杂空位浓度范围内,所有样品均呈...
- 解其云谭伟石蔡宏灵吴小山邓开明
- 关键词：晶体结构锰氧化物X射线粉末衍射
- 文献传递
- Si缓冲层的生长温度对SiGe组分、结构的影响
- 本文利用同步辐射X射线高分辨衍射、掠入射表面衍射、原子力显微镜、电子显微镜等手段研究了SiGe外延层的生长质量、组分与作为缓冲层Si的生长温度之间的关系.研究表明,在外延薄膜中Ge的含量为32±2﹪;当Si缓冲层生长温度...
- 吴小山蔡宏灵谭伟石翟章印吴忠华贾全杰郑鸿祥蒋树声
- 关键词：生长温度原子力显微镜电子显微镜
- 文献传递
- 4-吡啶甲胺高氯酸晶体结构相变与铁电性质的研究
- <正>铁电体是一类特殊的电介质,其晶体结构没有对称中心而具有永久性偶极,并且表现出自发极化,其自发极化可以因外加电场的反向而翻转。分子基铁电体是铁电材料的一支,是由不同的有机和无机构筑块通过超分子堆积的相互作用构筑而成的...
- 崔泽鹏蔡宏灵吴小山
- 文献传递
- AlGaN/GaN异质结构的掠入射同步辐射衍射研究
- ＜正＞GaN 是一种宽禁带的直接跃迁型半导体兰色发光与激光材料,基于 AlGaN/GaN 异质结构的场效应晶体管（HFETs）在大功率短波长耐高温电子器件方面的研究得到飞速发展。AlGaN 和 GaN 两种材料之间的晶格...
- 谭伟石沙昊杨立蔡宏灵吴小山蒋树声郑文莉贾全杰姜晓明
- 文献传递
