朱伟林
- 作品数：7 被引量：9H指数：2
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院材料科学系更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- AgGa_(1-x)In_xSe_2单晶体生长及结构性能研究被引量：1
- 2007年
- 采用改进Bridgman法生长出外观完整的尺寸为Φ15 mm×35 mm的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭。其晶格常数为a=0.60125 nm,c=1.10243 nm,为黄铜矿结构,与标准PDF卡片(No.35-1095)吻合。X射线粉末衍射谱图的谱峰尖锐,无杂峰,表明得到的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭的结晶状态好。对晶锭沿自然显露面解理取样后经X射线衍射发现晶体的自然显露面为(101)面,并观测到{101}晶面族的四级衍射峰,其回摆峰尖锐且半峰宽窄,表明晶体的结晶性完好并且结构完整,同时证实沿(101)晶面自然显露是AgGa1-xInxSe2(x=0.2)晶体生长习性的一种体现。DSC-TG分析表明晶体的熔点和凝固点分别为822.67℃和801.58℃,总失重约为2.027%。
- 黄毅赵北君朱世富赵国栋朱伟林徐承福万书权何知宇
- 关键词：黄铜矿
- AgGa_(1-x)In_xSe_2晶体退火改性研究被引量：1
- 2008年
- 采用改进布里奇曼法生长出外观完整的AgGa1-xInxSe2（x=0.2）单晶锭,晶体的红外透过率低,不能直接用于红外非线性光学器件制备。采用TA公司生产的SDTQ-600热分析仪进行DSC-TGA测试,发现其熔点为826.69℃,结晶点为750.86℃,总失重约为3.9217%。采用同成份粉末源包裹晶体,在抽空封结后进行退火处理。退火处理后晶体的红外透过率有明显改善。在4000 cm^-1～7000 cm^-1范围内红外透过率由原先低于25%改进到高于40%;在750 cm^-1～4000 cm^-1范围的红外透过率由原先低于45%改善到超过50%,在2000 cm^-1～750 cm^-1区域甚至高达60%。结果表明：采用同成分粉末源包裹,在抽空封结后退火处理能有效提高AgGa1-xInxSe2晶体的红外透过率,改善晶体的光学均匀性,退火后的晶体适合红外非线性光学器件制备。
- 万书权朱世富赵北君黄毅朱伟林徐承福何知宇陈宝军赵国栋
- 关键词：退火处理差热分析红外透过率
- 硒铟镓银多晶材料的合成研究被引量：3
- 2005年
- 根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1-xInxSe多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料的图谱与标准PDF卡片相符,表明其是高纯单相的AgGa1-xInxSe2多晶材料.用新方法合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料进行单晶生长,获得了完整的AgGa1-xInxSe2单晶体.实验结果表明,机械和温度振荡法是合成高质量AgGa1-xInxSe2多晶材料的一种有效方法.
- 朱伟林朱世富赵北君黄毅刘娟徐承福张建军陈宝军黎明
- 关键词：多晶材料单晶生长
- AgGa1-xInxSe2晶体退火改性研究
- AgGaInSe晶体是一种性能优异的中远红外非线性光学材料。采用高纯(6N)的Ag、Ga、In和Se单质为原料,按照AgGa1-xInxSe2(x=0.2)化学计量配比,并考虑到高温下Se易挥发,为减少其损失,富0.3%...
- 万书权朱世富赵北君黄毅朱伟林徐承福何知宇
- 关键词：退火处理红外透过率差热分析
- 文献传递
- AgGa_(1-x)In_xSe_2单晶的生长研究被引量：2
- 2006年
- 采用高纯（99．9999％）Ag、Ga、In和Se单质为原料，按化学计量比富Se0．3-0．5％配料，通过机械振荡和温度振荡相结合的方法合成出单相高致密AgGa1-xInxSe2多晶材料。以此为原料采用布里奇曼法生长出外观完整的尺寸为φ15mm×25mm的AgGa1-xInxSe：单晶锭（x=0．2）。沿自然显露面对晶体进行了解理和x射线衍射分析，发现该面是（101）面。同时进行了红外透过率测试，其红外透过率为41％。
- 黄毅赵北君朱世富刘娟张建军朱伟林徐承福
- 关键词：多晶合成单晶生长布里奇曼法X射线衍射
- AgGa_(1-x)In_xSe_2晶体的生长温场研究被引量：2
- 2006年
- 采用B-S法生长出尺寸为Ф12×35mm的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)非线性光学晶体.对AgGa1-xInxSe2(x=0.2)多晶进行差热分析.结合测试结果和结晶特性,设计出适合晶体生长的稳定温场并设计组装了三温区B-S立式炉.对生长的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)晶体解理面进行X射线衍射分析得到(101)面,表明生长出的AgGa1-xInxSe2晶体结构完整,所设计的温场适合于AgGa1-xInxSe2单晶生长.
- 徐承福赵北君朱世富黄毅朱伟林何知宇
- 关键词：差热分析
- 硒铟镓银多晶材料的合成研究
- 根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出Aga1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的Aga1-xInxSe...
- 朱伟林朱世富赵北君黄毅刘娟徐承福张建军陈宝军黎明
- 关键词：多晶材料机械振荡
- 文献传递
