陈亚楠
- 作品数：12 被引量：28H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：国家科技部专项基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程一般工业技术电气工程更多>>
- 磷化铟单晶片抛光工艺研究被引量：1
- 2013年
- 磷化铟是制作高速器件和电路、光电集成电路的重要衬底材料,其抛光片的表面质量对后续的外延及器件性能有着重要的影响。表面粗糙度作为表征表面质量的重要参数指标,需要在抛光过程中严格控制。分析了磷化铟单晶片的抛光机理,通过对比不同抛光工艺条件下的表面粗糙度状况,分析了抛光布表面结构对晶片表面粗糙度的影响,通过改进精抛布表面结构,加工出了表面粗糙度小于0.3 nm的磷化铟双面抛光片。
- 王云彪杨洪星陈亚楠赵权
- 关键词：磷化铟表面粗糙度沟槽
- 多结太阳电池用P型锗单晶片去蜡技术研究被引量：4
- 2011年
- 在多结太阳电池结构中,P型锗单晶片不仅作为衬底,也是整体电池结构中的一个结。在外延生长过程中,需要进行多次异质外延生长,因此,对P型锗单晶片的表面质量提出了更高的要求。通过对P型锗片去蜡技术的研究,提高了锗片表面质量,降低了外延生长过程中雾缺陷的比例。
- 杨洪星张伟才陈亚楠王斌张春翔刘春香赵权
- 关键词：锗清洗技术多结太阳电池
- 重掺<100>硅单晶抛光片条纹状起伏缺陷研究
- 2012年
- 重掺<100>硅单晶片抛光后经微分干涉显微镜观测,抛光片边缘区域存在条纹状起伏缺陷。通过分析条纹状起伏缺陷与重掺硅单晶中杂质的分布状况和<100>晶面本身腐蚀特性的关系,阐述了条纹状起伏缺陷形成的机理。通过工艺试验,对比了不同工艺条件下抛光片表面微观形貌状况,分析了抛光过程中各工艺条件对表面条纹起伏缺陷的影响,采用3步抛光工艺,得到了表面平整和一致性好的抛光片表面,抛光片边缘无条纹起伏缺陷。
- 王云彪张为才武永超陈亚楠
- 关键词：微观形貌抛光片
- 硅单晶抛光片边缘亮线研究被引量：2
- 2014年
- 随着集成电路用晶圆向大尺寸化方向发展，国内10～15 cm硅抛光片市场竞争日益激烈，外延及器件厂家对抛光片的表面质量和可利用率要求越来越高。边缘亮线是一种存在于硅片抛光面边缘的腐蚀缺陷，对抛光片的成品率及后续工艺质量有重要影响。通过对硅片边缘表面形貌进行微观分析，揭示了“边缘亮线”产生的机理，分别研究了抛光工艺条件和倒角工艺条件对边缘缺陷的影响，通过优化抛光工艺条件，消除了抛光片表面“边缘亮线”缺陷。
- 王云彪杨洪星陈亚楠张伟才
- 关键词：表面形貌成品率抛光片
- 抛光垫使用寿命对硅单晶片抛光质量影响的研究被引量：3
- 2015年
- 化学机械抛光技术已经在超大规模集成电路制造中得到广泛应用,主要用于加工超光滑无损伤的硅单晶衬底和对晶片进行局部和全局平坦化。虽然在化学机械抛光技术中影响硅片抛光效果的因素有很多,但抛光垫是影响抛光效果的关键因素之一。研究了抛光垫使用时间和相应时间硅片的抛光效果之间的关系,指出可通过在抛光过程中控制抛光垫的使用时间,对抛光的工艺参数进行更好的调整。
- 张春翔陈亚楠田原杨召杰付旸
- 关键词：化学机械抛光抛光垫抛光效果
- 夹具形状对硅抛光片表面质量的影响被引量：1
- 2013年
- 在硅抛光片的清洗技术中,湿法清洗技术仍然是主流清洗技术。随着抛光片尺寸增大,传统的手工清洗方式和半自动清洗方式已经不适于大尺寸硅抛光片的清洗,因此全自动湿法清洗设备逐步在大尺寸硅抛光片清洗设备中占据主导地位。在湿法清洗工艺中,夹具形状对清洗槽中液体的流动有着较大的影响,若夹具形状设计不合理,将影响抛光片表面沾污的去除,在抛光片表面形成"色斑"缺陷。
- 杨洪星陈亚楠
- 关键词：硅抛光片清洗技术色斑
- 硫酸在硅抛光片清洗中的作用研究被引量：3
- 2011年
- 集成电路用硅片必须经严格清洗,微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除硅抛光片表面污染杂质,包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态,有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅抛光片表面。采用改进的RCA清洗工艺,通过调整预清洗工序流程,对免清洗硅抛光片进行清洗,主要解决免清洗片表面"腐蚀圈"问题,对其进行了分析。
- 陈亚楠
- 清洗工艺对锗外延片表面点状缺陷的影响被引量：3
- 2019年
- 锗外延片表面的雾、水印及点状缺陷等会影响太阳电池的性能和成品率,其中点状缺陷出现的比例最高。研究了锗抛光片清洗工艺对外延片表面点状缺陷的影响,获得了无点状缺陷、低粗糙度及高表面质量的锗单晶片。采用厚度为175μm p型<100>锗单面抛光片进行清洗试验,研究了SC-1溶液的不同清洗时间、清洗温度和去离子水冲洗温度对锗抛光片外延后点状缺陷的影响,分析了表面SiO_2残留和锗片表面粗糙度对外延片表面点状缺陷的影响。结果表明点状缺陷主要是由于锗单晶抛光片表面沾污没有彻底清洗干净以及清洗过程中产生新的缺陷造成的。采用氢氟酸溶液浸泡、SC-1溶液低温短时间清洗结合低温去离子水冲洗后的锗抛光片进行外延,用其制备的太阳电池光电转换效率由原来的25%提高到31%。
- 王云彪何远东吕菲陈亚楠田原耿莉
- 关键词：锗粗糙度沾污
- 超薄硅片贴膜抛光技术研究被引量：4
- 2011年
- 伴随着集成电路芯片的不断轻薄化,各种高质量的超薄抛光片衬底需求日益增加。介绍了一种简捷、方便的手动贴膜方法,并将其应用在200μm厚7.6cm硅单晶免清洗单面抛光片加工过程中,通过与粘蜡抛光相比较,发现贴膜抛光实用性更强、成品率更高且成本更低。
- 王云彪陈亚楠刘玉岭杨红星
- 关键词：贴膜
- 铌酸锂晶片的抛光机理及损伤层控制研究
- 2023年
- 铌酸锂的抛光机理复杂,抛光片的损伤层受多种因素的影响,其机械损伤来源主要有两个途径,其一是晶片在抛光前各道工序加工中引入的损伤,这可以通过增加抛光去除量加以控制,其二是在抛光过程中带来的机械损伤,抛光液的组分、pH值、抛光布、抛光压力、抛光盘转速等条件都与损伤层有直接的关系。这些参数都是通过改变抛光过程中机械作用和化学作用的平衡来影响损伤层,因此控制抛光过程中二者的平衡才是控制损伤的关键。
- 杨春颖常耀辉陈亚楠
- 关键词：铌酸锂抛光损伤层
