黄峰
- 作品数：6 被引量：27H指数：3
- 供职机构：苏州大学物理科学与技术学院（能源学院）物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 氟化非晶碳膜的光学带隙和伏安特性被引量：1
- 2002年
- 用苯 (C6H6)和三氟甲烷 (CHF3 )混合气体作源气体 ,采用永磁微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (MWECR CVD)技术 ,制备了氟化非晶碳膜 (a C∶F)。光学带隙的结果表明它与膜中的C、F元素含量和键结构都有关系 ;伏安特性的测量表明a C∶F薄膜的电导在低电场下呈欧姆特性 。
- 黄峰康健杨慎东叶超程珊华宁兆元甘肇强
- 关键词：光学带隙伏安特性超大规模集成电路
- a-C:F薄膜的热稳定性与光学带隙的关联被引量：10
- 2002年
- 以CF4和C6H6的混合气体作为气源 ,在微波电子回旋共振化学气相沉积 (ECR CVD)装置中制备了氟化非晶碳薄膜 (a C :F) ,并在N2 气氛中作了退火处理以考察其热稳定性 .通过傅里叶变换红外吸收谱和紫外 可见光谱获得了薄膜中CC双键的相对含量和光学带隙 ,发现膜中CC键含量与光学带隙之间存在着密切的关联 ,在高微波功率下沉积的氟化非晶碳膜具有低的光学带隙和较好的热稳定性 .
- 杨慎东宁兆元黄峰程珊华叶超
- 关键词：光学带隙退火温度热稳定性超大规模集成电路
- 等离子体增强反应蒸发沉积的氟掺杂氧化铟薄膜的性质被引量：5
- 2002年
- 采用直流辉光CF4 O2 等离子体增强反应蒸发方法沉积了氟掺杂氧化铟透明导电薄膜 ,经过真空退火处理薄膜的电阻率达到 1 8× 10 - 3 Ω·cm ,透光率高于 80 %.研究了掺氟量和退火温度对薄膜电阻率和透光率的影响 ,结果表明 :氟的掺入增加了载流子浓度 ,使得薄膜的电阻率明显下降 ,而薄膜的透光率变差 ,但是可以通过真空退火处理使其得到显著的改善 ,掺氟量越大需要的退火温度越高 .X射线衍射分析说明 ,氟的掺入使薄膜的无序度增加 ;退火处理提高了薄膜的结晶状况 ,改善了薄膜的透光性能 ,同时也没有增加薄膜的电阻率 .
- 程珊华宁兆元黄峰
- 关键词：透明导电薄膜氟掺杂导电性能光学性能
- 微波功率和真空退火对a-C：F，H膜结构和性质的影响
- 用C_6H_6和CF_4作为源气体，在微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统中(ECR-CVD)，制备了氟化非晶碳膜(a-C:F,H膜)，并对其进行真空退火处理。用台阶仪测量退火前后膜厚的变化;用傅立叶变换红外光谱(F...
- 黄峰
- 关键词：微波功率真空退火
- 文献传递
- 微波功率对a-C:F薄膜结构和光学性质的影响被引量：3
- 2001年
- 用苯 (C6H6)和四氟甲烷 (CF4 )混合气体作源气体 ,用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术制备了含氟非晶碳膜 (a C :F)。着重讨论了输入的微波功率对成膜结构和性质的影响。我们对沉积的膜作了膜厚、扫描电子显微表面形貌 (SEM)、紫外 -可见光透射谱 (UV -VIS)、傅立叶红外变换 (FTIR)等的测量。结果表明随着微波功率的增加沉积速率一直在上升 ;同时膜中缺陷增多 ;从FTIR的结果我们发现膜中主要以C -F、CF2 和F -芳基成键 ;通过UV -VIS吸收谱的测量的结果我们求出了折射率和光学带隙 ;并且将光学带隙和膜中的sp2
- 黄峰程珊华宁兆元杨慎东叶超甘肇强
- 关键词：微波功率光学性质
- 真空退火对氟化非晶碳薄膜结构的影响被引量：16
- 2002年
- 在苯 (C6H6)和四氟化碳 (CF4)混合气体中 ,用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术 (ECR CVD)在不同功率下制备了氟化非晶碳膜 (a C :F) ,为了检测膜的热稳定性对其进行了真空退火处理 ,测量了退火前后膜厚的变化率 ,并用傅里叶变换红外吸收光谱 (FTIR)研究了其结构的变化 .结果表明 ,膜厚变化率与沉积功率有关 ;40 0℃退火后低功率下沉积的膜的结构变化显著 ,高功率下沉积的膜则呈现了较好的热稳定性 .
- 黄峰程珊华宁兆元杨慎东叶超
- 关键词：氟化非晶碳薄膜ECR-CVD真空退火超大规模集成电路
