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宋雨竹

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
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合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇电子迁移率
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机构

  • 3篇中国科学院微...

作者

  • 3篇宋雨竹
  • 3篇张海英
  • 3篇李潇
  • 3篇刘亮
  • 3篇尹军舰
  • 3篇刘训春
  • 3篇徐静波
  • 2篇牛洁斌
  • 1篇杨浩
  • 1篇张健

传媒

  • 3篇Journa...

年份

  • 3篇2007
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法(英文)
2007年
采用一种新方法对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了模拟.该方法通过流体力学模型和密度梯度模型的联合求解,得到了沟道内的电子密度分布.与一些传统方法相比,该方法收敛性更好,速度更快,且同样适用于其他类型高电子迁移率晶体管器件的模拟.利用仿真对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了深入研究.
刘亮张海英尹军舰李潇徐静波宋雨竹刘训春
关键词：INPINGAAS/INP复合沟道高电子迁移率晶体管
功率增益截止频率为183GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As HEMTs(英文)被引量：1
2007年
通过合理的外延层材料结构设计和改进的器件制备工艺,制备出功率增益截止频率(fmax)为183GHz的晶格匹配InP基In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As HEMT.该fmax为国内HEMT器件最高值.还报道了器件的结构、制备工艺以及器件的直流和高频特性.
刘亮张海英尹军舰李潇杨浩徐静波宋雨竹张健牛洁斌刘训春
关键词：高电子迁移率晶体管INGAAS/INALASINP
截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As高电子迁移率晶体管(英文)被引量：1
2007年
报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管.这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管.器件直流特性也很优异:跨导为980mS/mm,最大电流密度为870mA/mm.文中的材料结构和所有器件制备工艺均为本研究小组自主研制开发.
刘亮张海英尹军舰李潇徐静波宋雨竹牛洁斌刘训春
关键词：截止频率高电子迁移率晶体管INGAAS/INALASINP
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