尚景智
- 作品数：6 被引量：6H指数：1
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- AlInN/GaN DBR和VCSEL结构参数的模拟优化
- 采用光学传输矩阵法推导出多层膜的反射率公式,在此基础上对晶格匹配AlInN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)和由其构成的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构进行数值模拟。模拟结果显示：需要40个周期以上才能达到反射率高于...
- 蔡丽娥张江勇尚景智方辉刘宝林张保平余金中王启明
- 关键词：ALINNGAN
- 文献传递
- AlInGaN薄膜及GaN基DBR的生长和特性研究
- Ⅲ族氮化物/(GaN,AlN及InN/)半导体材料具有优异的光学和电学特性,已引起人们广泛的关注和研究。特别是在任意组分下都具有直接带隙的AllnGaN四元材料在高效率短波长发光器件和电子器件领域有着广泛的应用前景,目前...
- 尚景智
- 关键词：金属有机物化学气相沉积ALINGAN分布布拉格反射镜
- 文献传递
- 氮化物分布布拉格反射镜及其制备方法
- 氮化物分布布拉格反射镜及其制备方法，涉及一种分布布拉格反射镜，尤其是涉及一种利用金属有机物化学气相沉积制备氮化镓基微腔发光二极管和垂直腔面发射激光器中氮化物DBR的技术。提供一种高质量和具有良好表面形貌的氮化物分布布拉格...
- 张保平尚景智
- 文献传递
- GaN基垂直腔面发射激光器的研制被引量：1
- 2008年
- 作者在我国大陆首次实现了GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的激射.首先采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上进行高质量氮化物增益区的外延生长,然后在表面沉积高反射介质膜分布布拉格反射镜(DBR).将样品键合到其它支撑片上后,采用激光剥离技术将蓝宝石衬底去除.再在去除蓝宝石后露出的氮化物表面沉积第二组介质膜DBR制成VCSEL.在室温光泵条件下,观察到VCSEL的激射,激射波长449.5 nm,阈值6.5 mJ/cm2,激射峰的半高宽小于0.1 nm,这些指标达到了国际领先水平.本文为进一步研制实用化氮化物VCSEL奠定了重要的基础.
- 张保平蔡丽娥张江勇李水清尚景智王笃祥林峰林科闯余金中王启明
- 关键词：宽禁带半导体氮化镓氮化物半导体激光器垂直腔面发射激光器
- 蓝光波段高反射率AlN／GaN分布布拉格反射镜的制作
- 2009年
- 采用金属有机物化学气相沉积方法制备了蓝光波段高反射率AlN/GaN分布布拉格(DBR)反射镜。利用金相显微镜、扫描电子显微镜、原子力显微镜以及分光光度计等测量手段对样品的物理特性进行了分析表征。结果显示样品的表面有少量圆形台面结构和裂纹出现,但在其他区域,样品具有较为平整的表面。该样品在462.5 nm附近获得最大反射率99.4%,表面均方根粗糙度小至2.5 nm。分析表明,所得DBR达到了制备GaN基垂直腔面发射激光器的要求。
- 吴超敏尚景智张保平余金中王启明
- 关键词：金属有机物化学气相沉积分布布拉格反射镜高反射率氮化物
- MOCVD生长高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜被引量：5
- 2008年
- 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石c面衬底上制备出高反射率AlN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)。利用分光光度计测量,在418 nm附近最大反射率达到99%。样品表面显微照片显示,有圆弧形缺陷和少量裂纹出现;在缺陷和裂纹以外的区域,DBR具有较为平坦的表面,其粗糙度在10μm×10μm面积上为3.3 nm左右。样品的截面扫描电镜(SEM)照片显示,DBR具有良好的周期性。对反射率和表面分析的结果表明,该样品达到了制备GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的要求。
- 尚景智张保平吴超敏蔡丽娥张江勇余金中王启明
- 关键词：高反射率
