徐丽华
- 作品数：8 被引量：21H指数：3
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划北京市人才强教计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- GaN基双波长发光二极管电致发光谱特性研究被引量：3
- 2007年
- 通过同时调节同一有源区内不同阱层和垒层的In组分,制备了GaN基单有源区蓝、绿光双波长发光二极管(LED).实现了20mA下蓝、绿光同时发射.实验发现随注入电流由10mA增大到60mA,电致发光(EL)谱中绿光峰强度相对于蓝光峰强度不断增强,峰值波长蓝移也更加明显.同时考虑极化效应和载流子不均匀分布的影响,通过对一维薛定谔方程、稳态速率方程和泊松方程的联立自洽求解.分析了测试电流下蓝、绿光EL谱峰值波长和功率的变化情况.发现理论结果与实验结果有很好地符合.
- 顾晓玲郭霞梁庭林巧明郭晶吴迪徐丽华沈光地
- 关键词：极化双波长
- 发光二极管表面纳米再构技术的研究
- 本课题的研究以解决半导体发光二极管出光面的光反射问题为主要内容,研究并实验了LED出光面的粗化和出光面生长增透膜的方法。为了解决出光面的全反射问题,采用粗化表面方法来实现光的散射,减少全反射几率。采用三种方法制备纳米级的...
- 徐丽华
- 关键词：发光二极管光反射ICP刻蚀
- 文献传递
- 具有纳米级结构出光面的AlGaInP基发光二极管被引量：7
- 2008年
- 研究了一种利用金属自组装纳米掩膜和ICP刻蚀对AlGaInP基发光二极管(LED)表面进行粗化的技术,使光输出得到了提高。粗化了的AlGaInP基LED比常规的AlGaInP基LED,光强提高了27%,光功率提高了12.6%,实验结果具有可重复性。可以进一步优化Au颗粒的周期和分散程度,提高AlGaInP基LED的提取效率。
- 徐丽华邹德恕邢艳辉宋欣原徐晨沈光地
- 关键词：表面粗化干法刻蚀
- 一种纳米结构出光面半导体发光二极管
- 本实用新型涉及半导体光电子器件制造技术领域，尤其涉及一种纳米结构出光面的半导体发光二极管LED。本实用新型是在常规LED的GaP层(2)上表面没有P型电极(11)的表层刻蚀出纳米级的凹凸结构层面；也可以在凹凸结构层面和P...
- 邹德恕徐丽华李建军
- 文献传递
- 提高发光二极管出光效率的新方法被引量：6
- 2009年
- 利用高分子共混物的微相分离和自组装原理,制备出具有纳米微孔的PMMA薄膜,以此为掩膜对发光二极管(LED)表面进行湿法腐蚀,得到表面微结构,并研究了腐蚀时间对表面形貌的影响。测试结果表明,当微孔直径在500nm左右、腐蚀深度约140nm时,所得到的表面微结构能使LED在20mA的注入电流下光功率平均提高18%。
- 邓琛徐晨徐丽华邹德恕蒋文静戴天明李晓波沈光地
- 关键词：自组装发光二极管(LED)出光效率
- GaN基多量子阱发光二极管的极化效应和载流子不均匀分布及其影响被引量：7
- 2007年
- 制备了GaN基绿光发光二极管.利用耦合法求解了在自发极化和压电极化效应影响下的GaN/InGaN量子阱的极化电场强度.考虑载流子在量子阱间的不均匀分布,模拟计算了系统的一维薛定谔方程、稳态速率方程和泊松方程,得到了载流子在各个阱间的分布比值和辐射复合速率.同时还得到了不同电流下电致发光(EL)谱的峰值波长、谱峰半高宽及EL谱强度的变化情况.发现当测试电流由10mA增加到70mA时,理论结果与实验结果能很好符合.
- 顾晓玲郭霞吴迪徐丽华梁庭郭晶沈光地
- 关键词：极化
- 一种纳米结构出光面半导体发光二极管及其制备方法
- 本发明涉及半导体光电子器件制造技术领域，尤其涉及一种纳米结构出光面的半导体发光二极管LED。本发明是通过在常规LED的GaP层(2)上生长介质层(12)及金属层(13)后，依次利用金属层(13)作掩膜刻蚀介质层(12)和...
- 邹德恕徐丽华李建军
- 文献传递
- 高分子自组装掩膜的制备被引量：1
- 2010年
- 利用高分子共混物的微相分离和自组装原理,采用溶液共混和旋转涂膜的方法制得聚苯乙烯/聚甲基丙烯酸甲酯(PS/PMMA)高分子共混物薄膜,对薄膜经过再加工得到具有纳米微孔的PMMA薄膜,研究了对溶液进行超声处理的时间、PS/PMMA共混物溶液浓度、旋涂转速和试片表面对掩膜形貌的影响。以此PMMA薄膜为掩膜对GaP表面进行湿法腐蚀,得到一种蜂窝状的表面微结构,它能使发光二极管(LED)的光功率平均提高18%。
- 邓琛徐晨徐丽华邹德恕蒋文静戴天明李晓波沈光地
- 关键词：高分子自组装微结构发光二极管
