徐宏来
- 作品数：7 被引量：9H指数：3
- 供职机构：西北工业大学更多>>
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- 快速退火后重掺硼的分子束外延层的电学特性
- 1994年
- 对快速退火后用共蒸发Ｂ＿２Ｏ＿３方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究．１１００℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高４倍，空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当；外延层与衬底之间载流子浓度转变陡峭，获得了晶体质量良好的外延层．
- 袁健陆昉孙恒慧卫星杨敏黄大鸣徐宏来沈鸿烈邹世昌
- 关键词：分子束外延快速退火电学性质
- Si+和Si++P+注入InP的辐射损伤的研究
- 本文报道了Si以及Si+P共注入<100>InP的RBS和Raman谱的分析结果。应用LO声子的S.C模式(Spatial Correlation Mode),用相干长度表征了InP的离子注入损伤。发现热靶注入的晶格损伤...
- 徐宏来沈鸿烈周祖尧杨根庆邹世昌
- 文献传递
- 会聚激光扫描铌酸锂晶体写入光波导时的最佳曝光间距被引量：3
- 2006年
- 对利用激光精细加工技术在铌酸锂(LiNbO3)晶体中写入光波导时的最佳曝光间距进行了详细地理论分析和实验研究.通过数值求解简化后的光折变动力学方程组,对会聚激光束沿不同方向扫描晶体时的最佳曝光间距进行了详细的数值模拟.结果表明:最佳曝光间距的选取与写入光束的扫描方向无关;当聚焦激光束平行于光轴扫描晶体时,得不到波导结构,但可以采用“三明治”辐照方式得到对称的折射率分布.采用会聚的绿激光束扫描掺铁铌酸锂(LiNbO3:Fe)晶体进行了实验研究,晶体中的光致折射率变化通过数字全息术进行测量,实验结果与数值模拟相吻合.最后,采用最佳曝光间距,成功地在LiNbO3∶Fe晶体中写入了Y型波导,并进行了导光测试.
- 徐宏来张鹏赵建林高琇含叶知隽杨德兴
- 关键词：LINBO3晶体
- Si^＋注入InP材料的欧姆接触特性研究
- 1994年
- 本文报道Ｓｉ＋注入ＩｎＰ材料与ＡｕＧｅＮｉ合金和Ｗ金属膜的欧姆接触特性．发现Ｓｉ＋单注入样品与二者均形成较好的欧姆接触，共Ｐ＋注入的样品中比接触电阻则大大下降（约小一个数量级）．卢瑟福背散射分析表明，６００℃热处理后Ｗ金属膜与ＩｎＰ界面作用很小，而８００℃热处理后界面有一定的互扩散．
- 沈鸿烈徐宏来周祖尧林梓鑫邹世昌
- 关键词：离子注入INP材料欧姆接触
- 硅中低能大倾斜角砷注入的损伤行为及其退火特性
- 1995年
- 超大规模集成电路与真空微电子器件的发展，要求制备超浅Ｐ－Ｎ结，低能量和大倾斜角离子注入成为一种有吸引力的新技术．本文借助于背散射沟道分析以及剥层霍尔测试，研究了能量为１０ｋｅＶ，入射束与样品法线的夹角分别为７°，１５°，３０°和６０°的Ａｓ＋离子注入到硅中造成的辐射损伤及其退火特性．
- 何治平周祖尧徐宏来林成鲁
- 关键词：硅砷注入离子注入
- 白光在LiNbO_3∶Fe晶体中写入的任意折射率分布光波导被引量：3
- 2005年
- 在理论分析Li NbO3∶Fe晶体中光致折射率变化分布与写入光的强度分布之间关系的基础上,提出了一种在该晶体中写入具有任意折射率分布光波导的新方法.利用由白光经电寻址空间光调制器得到的强度分布不同的片光辐照晶体,分别写入了折射率呈误差函数分布和平方律分布的光波导结构.采用干涉法测量了晶体中的光致折射率变化,并用推导出的折射率变化分布解析表达式很好地拟合了测量数据.实验结果表明,该方法是可行的.利用白光光源结合高分辨率的空间光调制器有望在多种光折变材料中制备出具有任意折射率分布的高质量光波导.
- 张鹏杨德兴赵建林徐宏来苏坤
- 关键词：LINBO3:FE晶体任意折射率分布
- 掺铁铌酸锂晶体中光写入三维波导的实验研究
- 光波导作为集成光学系统的基本元件，在光通信、光互连和光学信息处理方面具有广泛的应用。制作光波导的方法有多种，其中传统的制作工艺，如质子交换、离子注入、刻蚀等，存在工艺繁杂、制作周期长、成本高等缺点，而且难于实现在材料体内...
- 徐宏来
- 关键词：三维光波导激光扫描空间光孤子
- 文献传递
