周祖尧
- 作品数：37 被引量：65H指数：5
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划上海市科学技术发展基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学医药卫生一般工业技术更多>>
- SIMOX技术的研究进展
- 1995年
- 注氧隔离的ＳＩＭＯＸ技术是获得ＳＯＩ材料的最先进的技术，本文讨论了ＳＩＭＯＸ技术的研究进展，比较了ＳＩＭＯＸ和ＳＩＭＮＩ两种材料的优缺点。
- 林成鲁周祖尧林梓鑫李金华
- 关键词：离子注入SIMOX硅集成电路
- 真空磁过滤弧沉积碳氮薄膜的研究被引量：2
- 1997年
- 本文采用真空磁过滤弧沉积技术，在Ｓｉ（１１１）、石英及Ｔｉ／Ｃ衬底上制备得到非晶碳氮（ＣＮｘ）薄膜。采用卢瑟福背散射分析对薄膜的面密度及Ｎ含量进行定量计算。用紫外－可见透射光谱与红外反射光谱研究了薄膜的光学性能。结果表明：随着薄膜中氮含量的增加，碳氮薄膜的光学禁带宽度减小，红外反射率增加。另外，就不同氮气分压对薄膜结构的影响进行了研究。
- 陈智颖俞跃辉赵建平王曦周祖尧杨石奇柳襄怀施天生
- 关键词：光学性能碳氮薄膜FAD
- 离子束合成Ti-O薄膜对热解碳生物材料表面改性的研究被引量：23
- 1997年
- 采用离子束增强沉积在低温各向同性热解碳表面进行了Ｔｉ－Ｏ薄膜合成研究，获得了化学计量比及非化学计量比的ＴｉＯ２薄膜，采用动态凝血时间测定、血小板粘附行为研究、全血动态接触研究、溶血率测定等方法进行了血液相容性评价，用声发射薄膜结合力测定、针盘磨损试验及显微硬度分析研究了热解碳表面薄膜的力学性质。研究表明，经Ｔｉ－Ｏ薄膜沉积，热解碳的血液相容性和表面力学性质获得了改善，提出了血液相容性机理模型。
- 黄楠杨萍曾晓兰刘志农柳襄怀张峰郑志宏周祖尧奚廷斐田文华王春仁雷学会
- 关键词：离子束热解碳生物材料血液相容性
- N^+注入SOI材料上层硅的注入损伤和退火行为研究
- 1992年
- 对注N^+形成的SOI材料,在不同条件下注入Si^+,分别使上层硅的表面、与埋层的界面及整个上层硅区域无定形化;再注入B^+:能量为25keV,剂量为1×10^(15)/cm^2,并在500—900℃的温度范围内退火30min。掠角背散射沟道测试表明:上层硅的表面或与埋层的界面区域被无定形化后,在后续热退火过程中分别存在由上层硅的内部向表面及由表面向内的固相外延过程;当上层硅被全部无定形化后,在500—600℃的温度范围内,上层硅由无定形相转变成多晶相,改变退火温度没有出现固相外延过程;扩展电阻测试发现:注入硼杂质在注N^+形成SOI材料上层硅中的激活率比其在单晶硅中的激活率低,利用Si^+注入使上层硅的表面或与理层的界面区域无定形化及在后续热退火过程中的固相外延再生长过程能提高注入硼杂质在注N^+形成SOI材料上层硅中的激活率。
- 张顺开林成鲁周祖尧朱文化邹世昌
- 关键词：SOI离子注入硅
- 氮离子注入金刚石薄膜的研究
- 1997年
- 采用Raman光谱、四探针法、X射线衍射(XRD)、Rutherford背散射谱(RBS)、Fourier变换红外吸收光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)等手段研究了不同能量不同剂量的N^+注入对CVD金刚石膜的结构和电学性质的影响.
- 辛火平林成鲁王建新邹世昌石晓红林梓鑫周祖尧刘祖刚
- 关键词：氮离子注入金刚石薄膜RAMAN光谱电学性质
- 蒙特卡罗模拟Si^＋注入Si3N4／GaAs的射程分布和损伤分布
- 1994年
- 用蒙特卡罗方法模拟Ｓｉ＋注入Ｓｉ３Ｎ４／ＧａＡｓ的力学运动，以考察沉积在ＧａＡｓ材料表面的无定形Ｓｉ３Ｎ４阻挡层对Ｓｉ＋射程分布的影响．模拟计算和实验结果都表明，Ｓｉ３Ｎ４阻挡层能够有效地削减Ｓｉ＋在ＧａＡｓ衬底中的射程，避免沟道效应，得到浅结。但是阻挡层中也有相当数量的Ｓｉ、Ｎ原子由于与入射的Ｓｉ＋相互碰撞反冲进入ＧａＡｓ衬底。
- 江炳尧沈鸿烈周祖尧夏冠群邹世昌
- 关键词：蒙特卡罗模拟离子注入沟道效应
- 白光快速退火注Si￣＋砷化镓的X射线双晶衍射谱
- 1995年
- 对注Ｓｉ￣＋的ＧａＡｓ样品（注入能量１８０ｋｅＶ、剂量５×ｌ０￣（１２）～１０￣（１５）ｃｍ￣（－２）采用白光快速退火，测量其χ射线双晶衍射谱并结合背散射，Ｈａｌｌ测量结果，分析了注入引起的应变及掺杂机理。根据电学测量结果用迁移率理论计算了补偿比．结果表明：ＧａＡｓ中Ｓｉ￣＋注入掺杂，在低剂量注入时，Ｓｉ的两性是影响激活率的主要原因；高剂量注入时，残留间隙Ｓｉ原子的存在是导致激活率低的主要因素。
- 顾宏夏冠群陈京一朱南昌沈鸿烈周祖尧
- 关键词：离子注入双晶衍射砷化镓白光
- As在Co/Ti/Si三元固相反应中的分凝效应被引量：2
- 1993年
- 在注入As的Si表面上,采用离子束溅射淀积Co/Ti双层金属膜。在氮气氛下对 Co/Ti/Si进行多步热处理,研究As原子在Co/Ti/Si三元固相反应过程中的行为。实验采用背散射技术测量As原子在反应各阶段中的分布。结果表明,随着反应形成TiN(O)/Co-Ti-Si/CoSi_2/Si多层薄膜结构,一部分Si衬底中的As原子被分凝出来,向表面运动,并聚集在Co-Ti-Si三元硅化物中。对As原子的这一再分布行为进行了讨论。
- 刘平周祖尧林成鲁邹世昌李炳宗孙臻
- 关键词：固相反应砷硅化物
- 氮气辅助氙离子束增强沉积TiN薄膜及其机械性能被引量：2
- 1992年
- 本文提出一个合成TiN硬质薄膜的新方法,在氮气氛中,电子束蒸发沉积Ti的同时,用40keV的氙离子束对其进行轰击而合成TiN薄膜,该方法优于PVD和CVD之处在于合成温度低,薄膜与基体结合力强,其临界载荷达4.2kg,Knoop硬度达2200kg/mm^2,具有良好的耐磨损性能,报道了所合成的TiN薄膜在工业上应用的一些结果。
- 王曦杨根庆柳襄怀郑志宏黄巍周祖尧邹世昌
- 关键词：TIN薄膜离子束
- 25keV AS~+大倾斜角注入的损伤分析
- 1994年
- 通过２５ｋｅＶ的Ａｓ＋注入硅中．用背散射沟道分析技术和椭圆偏振光测量技术分析了在倾斜角分别为７°、１５°、３０°、４５°和６０°时的损伤分布，揭示了大倾斜角注入在注入能量较低时的一些物理现象．
- 何治平周祖尧关安民朱文玉江炳尧施左宇林成鲁钱佑华陈良尧苏毅
- 关键词：离子注入砷
