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非晶金刚石薄膜的制备及其性能研究被引量：9: 1997年; 本文利用一种新的等离子体沉积技术—真空磁过滤弧沉积（ＦＡＤ）制备得到一种无氢的非晶碳膜。ＥＥＬＳ分析表明，这种非晶碳膜几乎不含有ｓｐ２和ｓｐ杂化键，呈现出高度的金刚石特征，以致可以被称为非晶金刚石（ａＤ）膜。应用紫外透射光谱（ＵＶ）、红外反射光谱以及椭偏测量等方法对ａＤ膜的光学性能进行了测量。利用显微力学探针、Ｘ射线双晶衍射、卢瑟福背散射（ＲＢＳ）技术和ＥＥＬＳ分析等多种测量手段对ａＤ的超显微硬度、应力以及密度等力学和结构特性进行了定量分析。另外，对这种ａＤ膜的场电子发射性能也进行了研究。; 赵建平王曦陈智颖杨石奇柳襄怀施天生; 关键词：FAD

真空磁过滤弧沉积碳氮薄膜的研究被引量：2: 1997年; 本文采用真空磁过滤弧沉积技术，在Ｓｉ（１１１）、石英及Ｔｉ／Ｃ衬底上制备得到非晶碳氮（ＣＮｘ）薄膜。采用卢瑟福背散射分析对薄膜的面密度及Ｎ含量进行定量计算。用紫外－可见透射光谱与红外反射光谱研究了薄膜的光学性能。结果表明：随着薄膜中氮含量的增加，碳氮薄膜的光学禁带宽度减小，红外反射率增加。另外，就不同氮气分压对薄膜结构的影响进行了研究。; 陈智颖俞跃辉赵建平王曦周祖尧杨石奇柳襄怀施天生; 关键词：光学性能碳氮薄膜 FAD

离子束辅助沉积制备TiO_2-Nb_2O_5氧敏薄膜被引量：1: 1997年; 采用离子束辅助沉积方法在Ａｌ２Ｏ３陶瓷衬底上制备了ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５氧敏薄膜。考察了薄膜组分比及退火温度对薄膜氧敏特性和结构的影响。电阻氧分压特性测试结果表明，纯Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性优于纯ＴｉＯ２薄膜；掺入少量的Ｔｉ可使Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性提高，以５ｍｏｌ％ＴｉＯ２掺杂的Ｎｂ２Ｏ５薄膜最佳；过量掺杂则使Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性明显变差。在５ｍｏｌ％ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５薄膜中再掺入少量的Ｐｔ（０３％０５％）可使其氧敏特性更好，而且其响应时间大大缩短。Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）和Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）分析表明，在退火后的ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５薄膜中Ｎｂ２Ｏ５为单斜（Ｍｆｏｒｍ）结晶相，而掺杂的Ｔｉ以非晶的ＴｉＯ２形式存在，即使在高达３４ｍｏｌ％ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５薄膜中也不例外。纯ＴｉＯ２膜为金红石结构。不同退火温度（９００１１０００Ｃ）对薄膜的氧敏特性和结构无明显影响。; 牟海川任琮欣陈国梁陈国梁杨石奇朱建中; 关键词：氧化物半导体离子束辅助沉积

FAD非晶金刚石薄膜的场电子发射性能研究被引量：1: 1997年; 利用真空磁过滤弧沉积(FAD)技术制备得到了无氢的非晶碳膜.由于非晶碳膜中数量极高的四面体键(sp^3键)的存在,这种非晶碳膜也可被称作非晶金刚石薄膜.报道了这种非晶金刚石膜的场电子发射特性,并对其能带结构和发射机理进行了研究.实验结果表明,在阈值电场为15V/μm的情况下,测得的场发射电流超过20μA,薄膜的电子发射行为符合Fowler-Nordheim场发射理论.非晶金刚石膜具有负电子亲合势和较小的有效功函数.如此低的阈值电场和高的发射电流,表明这种非晶金刚石薄膜的场电子发射性能已达到甚至超过目前文献上报道的最好结果。; 赵建平王曦陈智颖杨石奇柳襄怀施天生; 关键词：非晶金刚石薄膜场电子发射

非晶金刚石薄膜的场致电子发射性能研究被引量：5: 1997年; 利用真空磁过滤弧沉积技术制备出一种高ｓｐ３含量的非晶碳膜———非晶金刚石薄膜，并对这种非晶金刚石薄膜的场电子发射特性及其发射机理进行了研究．实验结果表明，在阈值电场低于２０Ｖ／μｍ情况下，得到的场发射电流达２０—４０μＡ，薄膜的电子发射行为符合ＦｏｗｌｅｒＮｏｒｄｈｅｉｍ场发射理论．研究表明。; 赵建平王曦陈智颖杨石奇柳襄怀施天生; 关键词：非晶金刚石薄膜场致电子发射

以金属钛为界面层的非晶金刚石薄膜多层材料、制备方法及其用途: 本发明涉及一种以金属钛为界面层的非晶金刚石薄膜材料，是指在基体材料与非晶金刚石薄膜之间沉积一层金属钛而制备的多层材料。该材料或经热处理后，能使金属钛与非晶金刚石薄膜之间形成一层碳化钛过渡层，造成金属钛与非晶金刚石薄膜之间...; 柳襄怀王曦茅东升郑志宏杨石奇李炜李琼徐静芳; 文献传递

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杨石奇