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王文婧

作品数：9 被引量：7H指数：1
供职机构：北方通用电子集团有限公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 2篇刻蚀
  • 2篇加速度
  • 2篇加速度计
  • 2篇键合
  • 2篇MEMS
  • 1篇低温键合
  • 1篇电容加速度计
  • 1篇悬臂
  • 1篇悬臂梁
  • 1篇圆片
  • 1篇圆片级
  • 1篇圆片级封装
  • 1篇直接键合
  • 1篇制作方法
  • 1篇三明治
  • 1篇深槽刻蚀
  • 1篇特性分析
  • 1篇图形化
  • 1篇抛光
  • 1篇抛光液

机构

  • 9篇北方通用电子...

作者

  • 9篇王文婧
  • 6篇陈博
  • 6篇陈璞
  • 5篇王鹏
  • 5篇黄斌
  • 3篇何凯旋
  • 2篇庄须叶
  • 1篇郭群英
  • 1篇简崇玺
  • 1篇吕东锋
  • 1篇徐栋
  • 1篇汪继芳

传媒

  • 9篇集成电路通讯

年份

  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种悬臂梁厚度可控的制作方法被引量：1
2013年
针对湿法腐蚀加速度计悬臂梁时出现的梁厚度不均匀性问题，采取项层硅可定制的SOI材料制作出梁厚度均匀性一致的器件；采用干法刻蚀工艺减小结构开窗面积提高了产量。针对干法刻蚀中出现的负载效应和footing效应对结构层的厚度和形貌的影响问题，采用硅岛填充方式来减小负载效应；通过试验摸索了一组工艺参数，最大化减弱了footing效应，保证了器件厚度的均匀性，同时也提高了产量。
王文婧黄斌陈璞庄须叶
MEMS版图绘制方法的研究
2013年
结合复杂结构MEMS版图绘制中的曲面构型，对L—Edit、Covenr、AumCAD多软件联合MEMS版图绘制方法进行了研究。通过设计图形多格式转换的整合重构，完成了角构型曲面结构版图的设计，满足了直接进行工艺仿真的要求，提高了MEMS器件的设计水平和产品研发效率。
庄须叶吕东锋陈博王文婧王鹏
关键词：AUTOCAD
硅-硅直接键合技术及其在三明治电容加速度计中的应用
2013年
硅硅直接键合技术在MEMS工艺中占有极其重要的地位，特别在高精度加速度计、陀螺等复杂三维结构的实现，以及晶圆级真空封装方面都有重要应用。通过大量工艺实验，获得的最佳的键合工艺流程，可使4英寸硅片键合面积达98％。将硅硅直接键合技术应用到三明治电容加速度计中，芯片样品经测试获得了可靠的功能信号，单从灵敏度来讲，其性能已达到同类产品的先进水平。
何凯旋陈博王文婧王鹏陈璞黄斌郭群英
关键词：MEMS
一种铝悬空膜的制作
2011年
悬空膜技术是MEMS器件制作中的一项基础工艺技术，它利用不同材料在同一种腐蚀液（或腐蚀气体）中腐蚀速率的差异，选择性地将结构图形与衬底之间牺牲层材料刻蚀掉，形成空腔膜或其它悬空结构，构成器件的敏感区域。这种悬空膜技术已成为MEMS工艺技术研究领域中的一个热点。通过深槽刻蚀、深槽填充、表面平坦化、释放牺牲层等工艺可以构成一种硅基铝悬空膜的制作流程，使用该流程完成的铝悬空膜达到了制作敏感结构的要求。
汪继芳简崇玺王文婧
关键词：深槽刻蚀牺牲层
“三明治”MEMS加速度计的设计与分析被引量：1
2013年
基于体硅微机械加工技术，设计分析了一种抗冲击“三明治”电容式MEMS加速度计。利用敏感质量块与固定电极构成电容差分结构，在有效提高加速度计灵敏度的同时，减小了寄生电容的干扰，提高了加速度计的测量精度，并对悬臂梁的抗冲击性能做了仿真分析，保证了加速度计工作的可靠性。经仿真与理论计算分析表明，该加速度计在Z轴向的灵敏度为0．125pF／g，谐振频率为4．9kHz，量程为±50g，抗冲击性能可达15000g。
王鹏徐栋何凯旋王文婧陈博陈璞黄斌
关键词：电容加速度计抗冲击灵敏度
硅漂移探测器结构设计与探测特性分析被引量：3
2012年
硅漂移探测器（SiliconDriftDetector，SDD）是一种通过光电效应探测光信号的器件。主要用于射线探测。在SDD的结构设计中，采用螺旋型漂移环结构作为内集成电阻分压器以形成阶梯式侧向漂移电场，采用多保护环结构来降低边缘击穿效应，减小结击穿的可能性；通过选用合适的衬底材料、螺旋型漂移环面积及掺杂离子浓度，可以获得很好的螺旋型漂移环的线性度。
王文婧陈博陈璞黄斌
关键词：保护环
光敏型BCB在MEMS圆片级封装中的应用被引量：1
2012年
利用光敏型苯并环丁烯（benzocyclobutene4000系列，简称BCB）作为粘结介质，直接通过光刻实现圆片级图形化封装。实验采用密封环结构对硅片进行了低于200％的圆片级低温键合封装实验，依据GJB548A标准，对光敏型BCB材料键合封装后的样品进行剪贴力与气密性测试得出：样品在500kPa氦气中保压5h，封装样品漏率小于200×10-9kPa·cm3／s、剪切力平均值为98N（其中键合面积占芯片总面积的30％），完全达到了圆片级图形化封装的要求。
王文婧王鹏陈博
关键词：圆片级图形化低温键合
化学机械抛光技术研究被引量：1
2012年
化学机械抛光技术是半导体制造工艺和MEMS制造工艺中一项重要的基础技术。化学机械抛光技术所采用的设备主要抛光设备、清洗设备、检测设备、工艺控制设备等。影响化学机械抛光速率的因素主要有磨盘温度、转速、抛光液配比、流量等。化学机械抛光技术在MEMS领域的硅片平整度、光洁度调整、硅玻键合等有着重要的应用。
陈璞黄斌王文婧陈博
关键词：化学机械抛光抛光液
一种深腔内图形制作的光刻方法
2014年
针对半球陀螺在研制流片时遇到的深腔内光刻难题，在现有条件下开展了深腔内光刻工艺实验。实验中将曝光间隙类比深腔深度，利用现有条件开展一系列实验。最终得出：在400～600μm曝光间隙内，采用现有光刻机进行深腔光刻工艺制作时，掩膜图形转移尺寸与曝光量有关，与曝光间隙没有明显关系。实验得出的工艺参数已经应用到半球陀螺项目的制作。
王文婧陈璞何凯旋王鹏
关键词：曝光量
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