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赵谢群

作品数:11 被引量:257H指数:7
供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术金属学及工艺冶金工程更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇氧化锌薄膜
  • 2篇细粉
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米级
  • 2篇合金
  • 2篇粉末
  • 2篇掺杂
  • 2篇超细
  • 2篇超细粉
  • 2篇超细粉末
  • 2篇ZNO薄膜
  • 1篇氮化镓
  • 1篇氮化镓薄膜
  • 1篇电路
  • 1篇电路封装
  • 1篇氧化物薄膜
  • 1篇氧化铟
  • 1篇氧化铟锡
  • 1篇氧化铟锡薄膜
  • 1篇液相

机构

  • 11篇北京有色金属...
  • 1篇北京科技大学
  • 1篇北京理工大学

作者

  • 11篇赵谢群
  • 7篇邱向东
  • 4篇张燕红
  • 2篇李玉增
  • 1篇林鸿溢
  • 1篇孙晋伟

传媒

  • 7篇稀有金属
  • 1篇半导体技术
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2000
  • 5篇1998
  • 1篇1997
  • 3篇1996
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
世界硅材料市场述评被引量:1
1996年
硅材料是半导体材料工业的基础,近年来市场需求不断增加,至本世纪末仍将保持稳定增长。目前硅单晶材料仍以150mm硅片为主,200mm硅片的用量已扩大至总用量的16%,产品供不应求,导致了全球性的建厂热潮。今后的发展方向是生产300、400mm甚至更大直径的晶片。生产硅片的原料多晶硅严重短缺,1996年将有所缓解。最后对1996年和1997年硅材料市场进行了预测。
赵谢群李玉增
关键词:半导体材料
氧化锌薄膜掺杂研究的新进展被引量:2
1998年
综述了掺杂Al,Ga,In,Ge,Cu,Li和Pb等元素对ZnO薄膜的微结构及电、光、气敏等性质的影响。
赵谢群邱向东
关键词:ZNO薄膜掺杂
氧化锌薄膜的研究与开发进展被引量:8
1998年
阐述了ZnO薄膜材料的结构特点、电学性质和光学特性。分析了薄膜研制、应用与开发现状,展望了产业化发展前景。
赵谢群邱向东林鸿溢
关键词:氧化锌薄膜
氮化镓薄膜生长工艺研究的最新进展被引量:4
1998年
综述了高质量GaN薄膜材料生长工艺的最新进展,着重阐明金属有机物汽相沉积工艺以及以活性氮为前体的分子束外延工艺的应用。
赵谢群张燕红邱向东孙晋伟
关键词:氮化镓
超细颗粒材料的制备(一)被引量:86
1997年
综述了最近几年超细(纳米级)颗粒的制备进展,包括液相法、气相法、固相法和混相法,并介绍了一些纳米颗粒材料产业化情况。
张燕红邱向东赵谢群胡初潜
关键词:超细粉末纳米级液相法固相法
氧化锌薄膜掺杂研究的新进展
综述了掺杂Al,Ga,In,Ge,Cu,Li和Pb等元素对ZnO薄膜的微结构及电、光、气敏等性质的影响。
赵谢群邱向东
关键词:ZNO薄膜掺杂微结构
文献传递
超细(纳米级)颗粒材料的制备(二)被引量:40
1998年
超细(纳米级)颗粒材料的制备(二)张燕红邱向东赵谢群胡初潜(北京有色金属研究总院,北京100088)3固相法利用固体原料(一般为粉末)经高温或球磨制得超细粉末。31高温固相反应法Si3N4陶瓷的单相材料暴露了一些缺点,如断裂韧性低,烧结过程晶粒长...
张燕红邱向东赵谢群胡初潜
关键词:超细粉末喷雾热解法
氧化铟锡薄膜材料开发现状与前景被引量:20
1996年
综述了氧化铟锡(ITO)薄膜透明导体材料的结构与光、电特性,分析了研制与开发现状。
李玉增赵谢群
关键词:ITO薄膜物理气相沉积
Nd-Fe-B永磁体防腐蚀技术进展被引量:8
1996年
介绍了Nd-Fe-B磁体的防腐技术最新进展。合金化法通过增强磁体自身耐蚀性,虽不能完全避免腐蚀的发生,但可简化表面处理;
张燕红赵谢群邱向东
关键词:钕铁硼永磁体防腐合金化涂层
引线框架铜合金材料研究及开发进展被引量:58
2003年
综述了引线框架用高强高导铜合金的种类、特性要求与目前国内外的研究重点 ,总结了高强高导铜合金的开发趋势 ,展望了其应用在IC封装业的市场前景。
赵谢群
关键词:集成电路封装引线框架铜合金
共2页<12>
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