郝小鹏
- 作品数：15 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术核科学技术电子电信更多>>
- 微波等离子体增强化学气相沉积生长SiOx薄膜发光性能研究
- 研究了采用微波等离子体增强化学气相沉积技术生长的不同气体流量比R(R-O2/SiH4)的SiOx薄膜及其真空退火处理后的发光性能.结果表明,当R在0.6＜R＜1.3范围内均出现了350～600nm宽的发光带,当R-0.8...
- 郝小鹏王宝义马创新魏龙
- 关键词：ECR-CVDSIOXPL微波等离子体SIOX薄膜发光性能
- 文献传递
- 慢正电子束流在材料缺陷研究方面的应用-部分用户研究简介
- 利用慢正电子束流技术对SiO2/Si体系的研究已经有大量的文献报道,北京22Na慢正电子束流装置在安装调试结束后,为了检验系统的工作性能,对该体系进行了多普勒展宽测量.实验中使用的硅片为p型单晶Si(100),SiO2层...
- 周春兰马创新郝小鹏章志明王宝义魏龙
- 关键词：能谱
- 文献传递
- 用正电子湮没寿命谱研究热处理对TATB基高聚物粘结炸药微结构的影响被引量：2
- 2005年
- 用正电子湮没寿命谱仪测试了TATB基高聚物粘结炸药在热处理前后的正电子湮没寿命谱,并就热处理对其内部微结构的影响进行了探讨和分析。结果表明:正电子在TATB基PBX中的湮没模式主要为自由态湮没和捕获态湮没,热处理后其内部微孔隙的数量明显减少,但孔隙的平均尺寸却出现了一定程度的增大。
- 李敬明田勇郝小鹏王宝义
- 关键词：物理化学正电子湮没寿命谱
- 微波等离子体增强化学气相沉积生长SiOx薄膜发光性能研究
- 研究了采用微波等离子体增强化学气相沉积技术生长的不同气体流量比R（R=O2／SiH4）的SiOx 薄膜及其真空退火处理后的发光性能。结果表明,当R在0．6＜R＜1．3范围内均出现了350～600 nm宽的发光带,当R=0...
- 郝小鹏王宝义马创新魏龙
- 关键词：ECR-CVDSIOXPL
- 文献传递
- 微波等离子体增强化学气相沉积生长SiOx薄膜的发光性能研究
- 硅做为半导体工业的基础,一直是人们研究的热点。但传统观念一直认为 Si 这种间接带隙半导体材料发光效率较低,直到1990年 L．T．Canham发现多孔硅室温强光致发光,才改变这种观念,与此同时引起了硅基发光材料的研究热...
- 郝小鹏王宝义于润升魏龙
- 文献传递
- Tb2AlFe16-xMnx化合物的结构、磁性及正电子湮没谱研究
- 2009年
- 通过X射线衍射、磁测量及正电子湮没谱等手段研究了Tb2AlFe16-xMnx(x=1—8)化合物的结构和磁性.X射线衍射研究结果表明Tb2AlFe16-xMnx化合物具有六角相的Th2Ni17型结构.室温下的正电子湮没实验研究表明,Mn对Fe的替代导致化合物中的铁磁相互作用减弱,并且化合物中存在着较强烈的磁弹耦合效应.磁测量研究结果表明,Mn的替代导致Tb2AlFe16-xMnx化合物的居里温度及自发磁化强度急剧下降.
- 郝延明严达利傅斌王立群郝小鹏王宝义
- 关键词：居里温度
- 质子辐照铝膜反射镜的慢正电子湮没研究被引量：5
- 2006年
- 采用分光光度计测定了60keV质子辐照后铝膜反射镜反射光谱的变化规律.用慢正电子湮没等分析技术研究了辐照损伤的微观机制.结果表明,当质子辐照主要作用于反射镜铝膜层中时反射镜在200—800nm波长范围内反射率随辐照剂量增加而下降.入射质子可对铝膜中的缺陷产生填充作用,减小铝膜中电子密度,增加弱束缚电子带间跃迁.紫外至可见光能量较高的波段可引起带间激发跃迁,使相应的谱段反射率下降,导致反射镜光学性能的退化.
- 魏强刘海何世禹郝小鹏魏龙
- 关键词：反射镜光学性能质子辐照
- 锆离子注入锆-4合金缺陷的慢正电子研究被引量：5
- 2007年
- 采用慢正电子束多普勒展宽谱研究了Zr离子注入Zr-4合金产生的缺陷及其退火回复行为,发现经过大于离子注入剂量为1×1016cm-2的样品所产生的缺陷在注入过程中已经回复,而对剂量为1×1015cm-2样品做300℃退火处理,其缺陷基本回复,得出合金缺陷回复能较低的结论.考虑到材料的缺陷含量越高,其抗腐蚀性能越差,在辐照环境下通过给材料保持一定温度,即可使其缺陷得到较好回复,从而提高材料的抗腐蚀性能.
- 郝小鹏王宝义于润升魏龙
- 关键词：慢正电子束
- 非晶Ni-P镀层压痕塑性变形及氢对塑性变形的影响
- 2007年
- 采用Vickers压痕法研究了非晶态Ni-P镀层在压痕作用下的塑性变形及氢对镀层塑性变形的影响.结果表明,在压痕作用下压痕周围和底部出现环形剪切带,压痕塑性区尺寸与压痕载荷的平方根成正比,氢可以促进局部塑性变形、降低镀层的屈服强度。
- 周庆军何健英郝小鹏乔利杰李金许褚武扬
- 关键词：NI-P镀层氢压痕塑性变形
- 高分辨正电子时间测量技术的研究与应用
- 王宝义魏龙曹兴忠章志明李道武马创新于润升李卓昕秦秀波郝小鹏魏存峰张鹏姜小盼王英杰王培林
- 高分辨率正电子时间测量技术是正电子湮没寿命谱仪、正电子发射断层成像系统等科学仪器及高端医学成像系统的关键技术，在材料微观结构表征与研究、凝聚态物理研究、重大疾病病理研究与诊断等方面具有广泛应用。该项目属于“核科学技术与其...
- 关键词：
- 关键词：医学成像系统
