闫其昂
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 退火温度对ZnO掺杂ITO薄膜性能的影响被引量：4
- 2012年
- 利用电子束蒸镀方法,在K8玻璃衬底上沉积ZnO掺杂ITO(ZnO-ITO)与ITO薄膜。研究不同退火温度对ZnO-ITO薄膜的微观结构的影响;对比分析了在不同退火温度条件下,ZnO-ITO和无掺杂ITO薄膜的光电性能。结果发现,ZnO-ITO薄膜具有较大的晶粒尺寸,随着退火温度的上升,晶体结构得到改善,表面粗糙度减小,薄膜的光电性能显著提高。ZnO-ITO薄膜经过500℃退火后得到最佳的综合性能,其表面均方根粗糙度(RMS)为32.52nm,电阻率为1.43×10-4Ω.cm;对442nm波长的光,透射率可达98.37%;与ITO薄膜相比,ZnO-ITO薄膜具有显著的抗PEDOT:PSS溶液腐蚀的能力。
- 闫其昂石培培严启荣牛巧利章勇
- 关键词：电子束蒸发退火温度
- 一种GaN基LED半导体芯片的制备方法
- 本发明公开了一种GaN基LED半导体芯片的制备方法。本发明GaN基LED半导体芯片是利用AlInN材料的湿法刻蚀性质，对常规GaN基LED结构中插入一层AlInN牺牲层，实现蓝宝石沉底和外延层的分离，结合芯片粘合技术、电...
- 尹以安闫其昂牛巧利章勇
- 反对称n-AlGaN层对GaN基双蓝光波长发光二极管性能的影响
- 2012年
- 采用数值分析方法对在InGaN/GaN混合多量子阱活性层和n-GaN之间引入n-A1GaN层的GaN基双蓝光波长发光二极管进行模拟分析.结果发现,与传统的具有p-A1GaN电子阻挡层的双蓝光波长发光二极管相比,这种反对称n-A1GaN层能有效改善电子和空穴在混合多量子阱活性层中的分布均匀性及减少电子溢出,实现电子空穴在各个量子阱中的平衡辐射,从而减弱了双蓝光波长发光二极管的效率衰减.此外,通过改变A1组分可以提高双蓝光波长发光二极管发射光谱的稳定性:当A1组分为0.16时,双蓝光波长发光二极管的光谱在小电流下比较稳定,而A1组分为0.12时,光谱在大电流下比较稳定.
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- 一种GaN基LED半导体芯片的制备方法
- 本发明公开了一种GaN基LED半导体芯片的制备方法。本发明GaN基LED半导体芯片是利用AlInN材料的湿法刻蚀性质，对常规GaN基LED结构中插入一层AlInN牺牲层，实现蓝宝石沉底和外延层的分离，结合芯片粘合技术、电...
- 尹以安闫其昂牛巧利章勇
- 文献传递
- ZnO掺杂ITO薄膜光电性能及其与p-GaN欧姆接触性能研究
- 随着光电产业的蓬勃发展和光电产品的广泛应用，透明导电薄膜的研究受到学术界和业界越来越多的重视，透明导电薄膜的透光性能和导电性能已成为研究热点和重点，这对光电产业的发展进步具有重要的作用和意义。 本文研究了ZnO掺杂的铟...
- 闫其昂
- 关键词：接触电阻率光电性能
