石培培
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
- 供职机构：华南师范大学光电子材料与技术研究所更多>>
- 发文基金：教育部留学回国人员科研启动基金国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 退火温度对ZnO掺杂ITO薄膜性能的影响被引量：4
- 2012年
- 利用电子束蒸镀方法,在K8玻璃衬底上沉积ZnO掺杂ITO(ZnO-ITO)与ITO薄膜。研究不同退火温度对ZnO-ITO薄膜的微观结构的影响;对比分析了在不同退火温度条件下,ZnO-ITO和无掺杂ITO薄膜的光电性能。结果发现,ZnO-ITO薄膜具有较大的晶粒尺寸,随着退火温度的上升,晶体结构得到改善,表面粗糙度减小,薄膜的光电性能显著提高。ZnO-ITO薄膜经过500℃退火后得到最佳的综合性能,其表面均方根粗糙度(RMS)为32.52nm,电阻率为1.43×10-4Ω.cm;对442nm波长的光,透射率可达98.37%;与ITO薄膜相比,ZnO-ITO薄膜具有显著的抗PEDOT:PSS溶液腐蚀的能力。
- 闫其昂石培培严启荣牛巧利章勇
- 关键词：电子束蒸发退火温度
- 金属镍诱导p型多晶硅薄膜的光电性能研究
- 2011年
- 利用电子束蒸镀方法及重掺杂p型硅为蒸发源在K8玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜,采用镍诱导晶化法在氮气氛围下进行退火处理制备出p型多晶硅薄膜。研究了不同温度热处理条件对p型多晶硅薄膜的光电性能的影响,通过霍尔测量、拉曼光谱、原子力显微镜、紫外-可见光吸收光谱等测试手段对薄膜进行分析。结果表明,随着晶化温度的提高晶化程度先增强后减弱。优化晶化温度使30 nm厚p型多晶硅薄膜的方块电阻达到300Ω/□,在可见光范围的透射率超过10%。
- 黄园媛石培培牛巧利章勇
- 关键词：金属诱导晶化非晶硅薄膜
- 反对称n-AlGaN层对GaN基双蓝光波长发光二极管性能的影响
- 2012年
- 采用数值分析方法对在InGaN/GaN混合多量子阱活性层和n-GaN之间引入n-A1GaN层的GaN基双蓝光波长发光二极管进行模拟分析.结果发现,与传统的具有p-A1GaN电子阻挡层的双蓝光波长发光二极管相比,这种反对称n-A1GaN层能有效改善电子和空穴在混合多量子阱活性层中的分布均匀性及减少电子溢出,实现电子空穴在各个量子阱中的平衡辐射,从而减弱了双蓝光波长发光二极管的效率衰减.此外,通过改变A1组分可以提高双蓝光波长发光二极管发射光谱的稳定性:当A1组分为0.16时,双蓝光波长发光二极管的光谱在小电流下比较稳定,而A1组分为0.12时,光谱在大电流下比较稳定.
- 严启荣章勇闫其昂石培培郑树文牛巧利李述体范广涵
- 基于双蓝光有源区激发YAG:Ce荧光粉的高显色性白光LED被引量：3
- 2012年
- 在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,分别生长含有p-AlGaN电子阻挡层和反对称n-AlGaN层的双蓝光波长发射的InGaN/GaN混合多量子阱发光二极管(LED)。结果发现,与传统的具有p-AlGaN电子阻挡层的双蓝光波长LED相比,这种n-AlGaN层能有效改善电子和空穴在混合多量子阱活性层中的分布均匀性和减少电子溢出,并减弱双蓝光发射光谱对电流的依赖性。此外,基于这种双蓝光波长发射的芯片与YAG:Ce荧光粉封装成白光LED能实现高显色性的白光发射,在20 mA电流驱动下,6500 K色温时显色指数达到91,而基于单蓝光芯片的白光LED显色指数只有75。
- 石培培严启荣李述体章勇
- 关键词：显色指数
- 基于旋涂制备醋酸铯掺杂水/醇溶聚合物电子注入层的有机光电器件性能研究
- 有机电致发光器件(OLED)作为一项新型的技术，以其自发光、色域广、光色柔和、视角广、响应时间快、面板薄、发光效率高、驱动电压低(3～10V)、高效环保、厚度薄、可制作大尺寸与可挠性面板以及实现双面和透明显示等诸多优点，...
- 石培培
- 关键词：电子注入层硅纳米线
