黄应龙
- 作品数：8 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种基于RTD和HEMT的单片集成逻辑电路(英文)
- 2007年
- 介绍了一种基于共振隧穿二极管(RTD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片集成电路.采用分子束外延技术在GaAs底层上重叠生长了RTD和HEMT结构.RTD室温下的峰谷电流比为5.2∶1,峰值电流密度为22.5kA/cm2.HEMT采用1μm栅长,阈值电压为-1V.设计电路称为单稳态-双稳态转换逻辑单元(MOBILE).实验结果显示了该电路逻辑运行成功,运行频率可达2GHz以上.
- 戴扬黄应龙刘伟马龙杨富华王良臣曾一平郑厚植
- 关键词：共振隧穿二极管高电子迁移率晶体管INGAAS
- 对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液
- 一种对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液，其特征在于，包括：柠檬酸溶液和双氧水，该柠檬酸溶液和双氧水的体积比为4∶1。本腐蚀液不仅具有很高的选择性腐蚀比，而且与砷化镓集成工艺兼容，溶液无毒，工艺简单等特点。
- 黄应龙杨富华王良臣姜磊白云霞王莉
- 文献传递
- 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法
- 一种采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法，包括如：在衬底上依次生长典型的HEMT材料结构和RTD材料结构；光刻出RTD发射区的图形制备AuGeNi金属层，形成RTD金属发射极；光刻，形成有源区；光刻出HEM...
- 马龙杨富华王良臣黄应龙
- 文献传递
- 基于共振隧穿二极管的集成电路研究
- 2006年
- RTD基集成电路所具有的超高速、低功耗和自锁存的特性,使其在数字电路、混合信号电路以及光电子系统中有着重要的应用。首先对RTD与化合物半导体HEMT,HBT以及硅CMOS器件的集成工艺进行了介绍。在MOBILE电路及其改进和延伸的基础上,对高速ADC/DAC电路和低功耗的存储器电路进行了具体的分析。最后对RTD基电路面临的主要问题和挑战进行了讨论,提出基于硅基RTD与线性阈值门(LTG)逻辑相结合是未来纳米级超大规模集成电路的最佳发展方向。
- 马龙黄应龙余洪敏王良臣杨富华
- 关键词：共振隧穿二极管集成电路高频低功耗
- 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法
- 一种共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法，在半绝缘GaAs衬底上依次用分子束外延设备生长高电子迁移率晶体管和共振遂穿二极管结构；在外延片的表面用光刻技术和湿法腐蚀形成共振遂穿二极管的台面；用光刻技术和湿法腐蚀实...
- 黄应龙杨富华王良臣王建林伊小燕马龙白云霞姜磊
- 文献传递
- 用于高速电路的InP基共振隧穿二极管制作(英文)
- 2006年
- 在InP衬底上采用感应耦合等离子体刻蚀技术制备了高性能的AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs共振隧穿二极管.正向偏压下PVCR=7.57,Jp=39.08kA/cm2;反向偏压下PVCR=7.93,Jp=34.56kA/cm2.在未去除测试电极和引线等寄生参数影响下,面积为5μm×5μm的RTD的阻性截止频率为18.75GHz.最后对非对称的I- V特性进行了分析讨论.
- 马龙黄应龙张杨王良臣杨富华曾一平
- 关键词：共振隧穿二极管感应耦合等离子体I-V特性高频
- 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法
- 一种采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法，包括如：在衬底上依次生长典型的HEMT材料结构和RTD材料结构；光刻出RTD发射区的图形制备AuGeNi金属层，形成RTD金属发射极；光刻，形成有源区；光刻出HEM...
- 马龙杨富华王良臣黄应龙
- 文献传递
- 基于RTD与CMOS的新型数字电路设计
- 2006年
- 纳米电子器件RTD与CMOS电路结合,这种新型电路不仅保持了CMOS动态电路的所有优点,而且在工作速度、功耗、集成度以及电路噪声免疫性方面都得到了不同程度的改善和提高。文中对数字电路中比较典型的可编程逻辑门、全加器电路进行了设计与模拟,并在此基础上对4×4阵列纳米流水线乘法器进行了结构设计。同时讨论了在目前硅基RTD器件较低的PVCR值情况下实现相应电路的可行性。
- 马龙王良臣黄应龙杨富华
- 关键词：共振隧穿二极管互补金属氧化物半导体全加器乘法器
