黄昌俊
- 作品数：25 被引量：49H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 1.55μmSi基光电探测器的研究进展被引量：6
- 2003年
- 从材料的生长、器件结构的选择等方面对1.55μm锗硅光电探测器的研究进展进行了综述,对Ge量子点共振腔增强型光电探测器的应用前景进行了探讨与展望。
- 李传波黄昌俊成步文王启明
- 关键词：锗硅光电探测器量子点RCE
- SiGe/Si HBT的材料生长和器件研制
- 介绍了SiGe/Si HBT材料的UHV/CVD生长工艺,并用电化学C-V和二次离子质谱分别研究了SiGe/Si HBT材料的载流子分布和组分分布,测试结果表明实现了对掺杂的严格控制,有效抑制了杂质的扩散,所生长的材料达...
- 成步文左玉华毛容伟李传波黄昌俊张建国高俊华余金中王启明
- 关键词：SIGE/SI
- 文献传递
- UHV/CVD生长SIGe/SIⅠ型Ⅱ型量子阱和量子点<'1>
- 余金中成步文李代宗黄昌俊王启明
- 关键词：量子点合金量子结构
- 文献传递
- Ge/Si材料系自组装Ge量子点研究
- 该论文的工作以自组织为Ge岛为主要研究对象,对单层和多层Ge量子点的结构、尺寸、形状、分布和相应的演化过程,以及光学性质进行了系统的分析,发现了一些新现象,并给出了相应的解释.从理论和实验上分析了不同生长条件下的自组织G...
- 黄昌俊
- 关键词：SI载流子
- 组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征被引量：3
- 2000年
- 采用阶跃式 Ge H4 流量增加和温度降低的方法 ,在超高真空化学气相淀积系统中生长了线性渐变组份的 Si Ge缓冲层 ,并在其上生长出了驰豫的 Si0 .6 8Ge0 .32 外延层 .俄歇电子能谱证实缓冲层 Ge组份呈线性渐变 .Raman散射谱得出上表层应变驰豫度为 32 % ,与 X射线双晶衍射结果符合得很好 .腐蚀的样品观察到沿两个〈1 1 0〉方向规律性分布、大小和螺旋走向完全一致的位错团密度约为 5× 1 0 7/cm2 .
- 李代宗成步文黄昌俊王红杰于卓张春晖余金中王启明
- 关键词：SIGE缓冲层
- 具有90nm调谐范围的1.3μm Si基MOEMS可调谐光滤波器(英文)被引量：1
- 2003年
- 利用表面微机械技术 ,成功制作了 1.3μm Si基 MOEMS可调谐光滤波器 .原型器件在 5 0 V的调谐电压下 ,调谐范围为 90 nm.该技术可以用于制作 1.3μm Si基可调谐光探测器 .
- 左玉华黄昌俊成步文蔡晓毛容伟李传波罗丽萍高俊华白云霞姜磊马朝华朱家廉王良臣余金中王启明
- 关键词：MOEMS可调谐滤波器
- 自组装Ge/Si量子点的研究进展被引量：6
- 2004年
- 回顾与总结了该实验室对自组装Ge/Si(001)量子点的近期研究进展.着重介绍了生长在Si(001)衬底上的Ge量子点的形貌演变过程;多层Ge量子点的结构分析;Ge量子点结构的光学电学性质的表征;以及提高Ge量子点尺寸和分布均匀性的各种方法.
- 黄昌俊余金中王启明
- 关键词：量子点自组装材料
- 用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料被引量：3
- 2000年
- 分析了 Si1- x- y Gex Cy 三元系材料外延生长的特点 ,指出原子性质上的巨大差异使 Si1- x- yGex Cy 材料的制备比较困难 .固相外延生长是制备 Si1- x- y Gex Cy 的有效方法 ,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择 .通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的选择与外延层结晶质量的关系 .指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量 ,而注入过程中靶温过高会导致动态退火效应 ,影响以后的再结晶过程 .采用两步退火方法有利于消除注入引入的点缺陷 ,而二次外延退火存在着一个最佳退火温区 .在此基础上优化得出了固相外延方法制备 Si1- x- y Gex Cy/Si材料的最佳条件 .
- 于卓李代宗成步文黄昌俊雷震霖余金中王启明梁骏吾
- 关键词：固相外延三元系半导体材料
- 应变SiGe/Si多量子阱的光荧光研究
- Si的非直接带结构使得它在光子学领域的发展与应用到很大的限制，因此，到目前为止，光子学技术的研究是以III-V族为主体。要实现电子学与光子学技术的有效结合，实现光电子单片集成是人们梦寐以求的目标。正因如此，Si基光电子学...
- 成步文黄昌俊罗丽萍
- 关键词：多量子阱光子学
- 文献传递
- UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料被引量：10
- 2000年
- 以 Si2 H6 和 Ge H4 作为源气体 ,用 UHV/CVD方法在 Si( 1 0 0 )衬底上生长了 Si1- x Gex 合金材料和 Si1- x Gex/Si多量子阱结构 .用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了研究 .结果表明样品的表面平整光滑 ,平均粗糙度为 1 .2 nm;整个外延片各处的晶体质量都比较好 ,各处生长速率平均偏差为 3.31 % ,合金组分 x值的平均偏差为 2 .0 1 % ;Si1- x Gex/Si多量子阱材料的 X光双晶衍射曲线中不仅存在多级卫星峰 ,而且在卫星峰之间观察到了 Pendellosung条纹 ,表明晶格质量和界面质量都很好 ;Si1- xGex/Si多量子阱材料的
- 成步文李代宗黄昌俊于卓张春晖王玉田余金中王启明
- 关键词：锗化硅硅异质结UHV/CVD
