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张国华

作品数:3 被引量:6H指数:2
供职机构:信息产业部更多>>
发文基金:江苏省青年科技基金更多>>
相关领域:建筑科学自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇建筑科学

主题

  • 2篇EEPROM
  • 1篇性状
  • 1篇性状研究
  • 1篇载力
  • 1篇泥浆
  • 1篇泥浆护壁
  • 1篇钻孔灌注
  • 1篇钻孔灌注桩
  • 1篇阈值电压
  • 1篇误动
  • 1篇可靠性
  • 1篇孔灌注桩
  • 1篇护壁
  • 1篇建筑
  • 1篇建筑结构
  • 1篇灌注桩
  • 1篇EEPROM...
  • 1篇承载力

机构

  • 3篇信息产业部
  • 1篇太原市排水管...

作者

  • 3篇张国华
  • 2篇于宗光
  • 1篇许居衍
  • 1篇史朝辉

传媒

  • 1篇电子学报
  • 1篇微电子技术
  • 1篇太原科技

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2000
  • 1篇1999
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
EEPROM单元阈值窗口退化及校正技术
1999年
本文首先定性分析陷阱电荷对EEPROM阈值电压窗口,然后给出了一种定量模型。还讨论了采用误差校正技术带来的EEPROM耐久性的提高。
于宗光张国华朱洲
关键词:EEPROM阈值电压可靠性
FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究被引量:3
2000年
本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象 .对于低的擦写电压 ,擦除阈值减少 ,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷 ;对于高的擦写电压 ,擦除阈值增加 ,产生了正陷阱俘获电荷 .这一结果与SiO2 中电荷的俘获———解俘获动态模型相吻合 .
于宗光徐征叶守银张国华黄卫王万业许居衍
关键词:EEPROM
钻孔灌注桩泥浆护壁性状研究被引量:3
2003年
钻孔灌注桩适用范围大 ,易于取材 ,成本低 ,颇受设计、施工人员喜欢。泥浆护壁是钻孔灌注桩的关键工艺 ,泥浆的成分、厚度、工艺是灌注桩质量的决定性因素。因此 。
史朝辉张国华
关键词:钻孔灌注桩泥浆护壁承载力建筑结构
共1页<1>
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