公共文化服务平台

许居衍: 作品数：21 被引量：58H指数：4; 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>; 发文基金：江苏省青年科技基金中国博士后科学基金更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理机械工程更多>>

合作作者

难熔夹层金属提高NiSi薄膜热稳定性的新思路: 2011年; 首次给出了一种具有规律性的能用来提高镍硅化物热稳定性的方法。依据此方法,摸索出在Ni中分别以夹层金属掺入Pt、Mo、Zr、W金属来提高NiSi硅化物的热稳定性。概括总结了掺入难熔金属M后形成的三元镍硅化物Ni(M)Si热稳定性能。实验结果表明,Ni(M)Si硅化物薄膜四种镍硅化物薄膜有相同的热稳定性。以Ni/W/Ni/Si样品为例,经650～800℃快速热退火后,薄层电阻率保持较小值,小于3Ω/□。XRD衍射、Raman光谱和AFM分析表明,Ni(M)Si薄膜界面平整,该薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi_2相生成,从而将NiSi薄膜的低阻温度窗口的上限从700℃提高到800℃,使形成高阻NiSi_2相的最低温度提高到850℃。研制的高压Ni(M)Si/Si肖特基硅器件在650～800℃温度跨度范围内保留了NiSi/Si肖特基相近的整流特性,肖特基势垒高度分布在0.61～0.71 eV区间内,由此表明Ni(M)Si硅化物是令人满意的互连和接触材料。; 黄伟孙华张利春张树丹许居衍; 关键词：镍硅化物快速热退火 X射线衍射分析拉曼光谱分析卢瑟福背散射原子力显微镜

硅技术的一个逻辑发展方向: 据美国半导体工业协会预测,未来3-4年,全球消耗集成电路晶体管达10亿只,到底什么样的应用消耗如此多的晶体管?电路设计上会有什么困难?本文对此进行了探讨.; 许居衍; 关键词：硅技术集成电路; 文献传递

摩尔定律:一个范式,一种理念: <正>摩尔定律是一个老生常谈的话题。本文想从范式和理念角度,讨论摩尔定律的内涵、演释及其走向。范式(paradigm)一词是美国科学哲学家库恩(Thomas S.Kuhn)在他的经典名著《科学革命的结构》(有三种中译本)...; 许居衍; 文献传递

用于功率变换的高击穿增强型AlGaN/GaN HEMTs被引量：1: 2010年; 首次采用CF4等离子体技术实现可用于功率变换的增强性AlGaN/GaN功率器件。实验结果表明,当AlGaN/GaN器件经功率150W和时间150s等离子体轰击后,器件阈值电压从-4V被调制约为0.5V,表现为增强型。当漂移区LGD从5μm增加到15μm,器件的击穿电压从50V迅速增大到400V,电压增幅达350V。采用长度为3μm源场板结构将器件击穿电压明显地提高,击穿电压增加约为475V,且有着比硅基器件更低的比导通电阻,约为2.9mΩ.cm2。器件模拟结果表明,因源场板在远离栅边缘的漂移区中引入另一个电场强度为1.5MV/cm的电场,从而有效地释放了存在栅边缘的电场,将高达3MV/cm的电场减小至1MV/cm。微波测试结果表明,器件的特征频率fT和最大震荡频率fMAX随Vgs改变,正常工作时两参数均在千兆量级。栅宽为1mm的增强型功率管有较好的交直流和瞬态特性,正向电流约为90mA。故增强型AlGaN/GaN器件适合高压高频大功率变换的应用。; 黄伟王胜张树丹许居衍; 关键词：增强型击穿电压比导通电阻

复归于道——封装改道芯片业被引量：9: 2019年; “历史事件犹如枝上嫩芽,总在它要长出的地方露头,结出果子。”2003年,x86 CPU升级到64位,由于登纳德等效缩放(Dennard Equivalent Scaling)失灵,时钟频率止步于4 GHz。为降低功耗、提高算力,处理器分别于2006、2010年进入了多核和异构计算时代,从而为异构封装打通了增长的快车道。2016年发生了两起不同而又相关的事件:以摩尔定律(Moore’s Law)为指导的“国际半导体技术路线图(International Technology Roadmap for Semiconductors,简称ITRS)”,在IEEE“重启计算倡议”的协同下,更换为“国际器件与系统路线图(International Roadmap for Devices and Systems,简称IRDS)”,权威刊物Nature指出“半导体行业将很快放弃摩尔定律”;与此同时,苹果iPhone 7上搭载集成多核CPU和多个GPU的A10处理器,采用了台积电(TSMC)的集成扇出(InFO)先进封装技术。; 许居衍; 关键词：多核CPU 异构计算技术路线图 ROADMAP

集成电路发展哲理被引量：1: 2009年; 半导体技术极其丰富多彩，身陷其景，会有“不识庐山真面目，只缘身在此山中”的感触。为此．既要“近赏细微”，又要“临空浏览”，以期从中领悟到一些哲理。; 许居衍; 关键词：集成电路哲理半导体技术

微电子重大发展态势分析被引量：3: 2006年; 从“硅技术是否已出现新的发展态势?”、“推动技术进步的模式是否在演变?”和“在这些演变中我们要注视些什么?”三个方面,探讨主流半导体技术(硅技术)发展阶段特点及其创新走向。分析指出,电子系统设计将在下一波硅技术进步中起着重要的作用,并以此为依据,讨论中电科技集团公司发挥综合优势,在我国电子技术领域中,发挥应有的主力军作用。; 许居衍

Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究被引量：1: 2010年; 文中首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600℃～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物的转变温度的上限提高了100℃。Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650℃～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。; 王胜黄伟张树丹许居衍; 关键词：肖特基势垒二极管 XRD RAMAN光谱快速热退火

FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究被引量：3: 2000年; 本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象 .对于低的擦写电压 ,擦除阈值减少 ,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷 ;对于高的擦写电压 ,擦除阈值增加 ,产生了正陷阱俘获电荷 .这一结果与SiO2 中电荷的俘获———解俘获动态模型相吻合 .; 于宗光徐征叶守银张国华黄卫王万业许居衍; 关键词：EEPROM