于宗光
- 作品数：7 被引量：18H指数：3
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- 发文基金：江苏省青年科技基金国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 国外EEPROM器件的可靠性增长与考核技术被引量：3
- 2000年
- 分析了提高ＥＥＰＲＯＭ器件耐久性和保持特性的途径，提出了寿命预测的方法和保持特性的考核标准。
- 于宗光何晓娃
- 关键词：耐久性EEPROM
- 时钟畸变对多级移位寄存器的影响及其消除技术被引量：1
- 2000年
- 本文分析了时钟畸变对移位寄存器的影响 ,提出了几种消除技术 ,并分析了它们的适用场合。
- 于宗光王成陈滈
- 关键词：移位寄存器集成电路
- EEPROM单元阈值窗口退化及校正技术
- 1999年
- 本文首先定性分析陷阱电荷对EEPROM阈值电压窗口，然后给出了一种定量模型。还讨论了采用误差校正技术带来的EEPROM耐久性的提高。
- 于宗光张国华朱洲
- 关键词：EEPROM阈值电压可靠性
- FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究被引量：3
- 2000年
- 本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象 .对于低的擦写电压 ,擦除阈值减少 ,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷 ;对于高的擦写电压 ,擦除阈值增加 ,产生了正陷阱俘获电荷 .这一结果与SiO2 中电荷的俘获———解俘获动态模型相吻合 .
- 于宗光徐征叶守银张国华黄卫王万业许居衍
- 关键词：EEPROM
- 浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷泄漏研究被引量：4
- 2000年
- 本文从研究不同单元尺寸浮栅隧道氧化层EEPROM在不同状态、不同温度保存下阈值电压的变化入手 ,论述了浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷的泄漏机理 ,并提出了改进EEPROM保持特性的措施 .
- 于宗光陆锋徐征叶守银黄卫王万业许居衍
- 关键词：EEPROM浮栅
- 扫描单元及其在ASIC可测性设计中的应用被引量：4
- 2000年
- 本文首先论述 ＡＳＩＣ可测性的必要性，然后介绍了几种常见的扫描单元， 最后给出了多种选择触发器方法、时钟扫描方法、电平敏感扫描方法等几种内部 扫描方法。
- 于宗光何晓娃
- 关键词：ASIC可测性
- ASIC的技术发展与接口被引量：4
- 1999年
- 本文首先介绍了专用集成电路（ASIC）的各种定义，接着综述了ASIC和FPGA的技术发展，分析了ASIC和FPGA的异同。在分析ASIC设计流程的基础上，给出了ASIC的各种接口。
- 于宗光
- 关键词：专用集成电路全定制现场可编程门阵列接口
