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张建强

作品数:6 被引量:10H指数:2
供职机构:四川大学材料科学与工程学院材料科学系更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 5篇理学

主题

  • 3篇多晶
  • 3篇红外透过率
  • 2篇电阻率
  • 2篇退火
  • 2篇晶体
  • 1篇多晶合成
  • 1篇衍射
  • 1篇射线衍射
  • 1篇竖直
  • 1篇退火工艺
  • 1篇轴向
  • 1篇均匀性
  • 1篇X射线
  • 1篇X射线衍射
  • 1篇X射线衍射分...
  • 1篇X射线衍射谱

机构

  • 6篇四川大学

作者

  • 6篇陈宝军
  • 6篇张建强
  • 6篇朱世富
  • 6篇赵北君
  • 5篇曹新玲
  • 5篇杨登辉
  • 4篇王志超
  • 4篇何知宇
  • 1篇徐婷
  • 1篇曹礼强

传媒

  • 3篇人工晶体学报
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 3篇2013
  • 3篇2012
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
ZnGeP_2晶体轴向成分均匀性对其红外光学性质的影响被引量:2
2012年
运用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对垂直布里奇曼法生长的ZnGeP2晶体的轴向组成进行分析,发现晶体的成分不均匀。采用Rietveld全谱拟合精修定量分析各物相的相对含量,发现晶体轴向组成分布存在较大差异。晶体肩部和尾部含有Ge和Zn3P2杂相,而主体部分为单相ZnGeP2、质量相对较高。傅里叶变换红外光谱(FTIR)的测试结果表明,晶体轴向成分的差异对其红外透过率有较大影响。经过适当的热处理工艺,可以提高晶体的均匀性,改善其光学性能。
徐婷朱世富赵北君陈宝军何知宇王志超张建强
关键词:红外透过率均匀性
ZnGeP_2晶体的热处理研究
磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)晶体是一种性能优异的新型中红外高功率非线性光学材料,它具有红外透明范围宽、非线性光学系数大、导热率高、光损伤阈值高、耐腐蚀等优点,可用于制备中红外高功率激光频率转换器件,如差频、倍频、光参量...
张建强赵北君朱世富何知宇陈宝军王志超杨登辉曹新玲
关键词:退火工艺X射线衍射谱红外透过率电阻率
文献传递
磷锗锌多晶合成过程的中间生成物研究
锌(ZnGeP2)晶体是一种性能优异的中远红外非线性光学材料,在红外对抗、红外遥控、卫星跟踪、激光武器和大气环境监测等领域具有广阔的应用前景[1,2].高质量的ZnGeP2单晶生长难度大,其中的一个重要原因是高纯单相的Z...
曹新玲朱世富赵北君陈宝军何知宇王志超张建强杨登辉
磷锗锌晶体的热处理研究被引量:5
2013年
采用改进垂直布里奇曼法生长出的磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)晶体中存在各种缺陷,导致其红外透过率较低,刚生长的晶体不能直接用于制备红外非线性光学器件。分别采用真空、同成分粉末包裹和真空-同成分粉末包裹的复合退火工艺对生长的ZGP晶体进行了退火热处理研究。应用傅立叶红外光谱仪(FTIR)、高阻仪(HRM)、X射线能谱仪(EDS)等对退火前后的晶体性能和成分进行了测试分析。结果表明,三种方法退火后晶体的红外透过率和电阻率都得到改善,其中复合退火工艺的改善效果最为显著,晶体红外透过率由41%提高到60%,电阻率由2.5×108Ω.cm提高到7.2×108Ω.cm,晶体成分接近ZGP理想化学配比,退火后晶体的光学和电学性能得到显著改善,可用于ZGP-OPO器件制作。
张建强赵北君朱世富陈宝军何知宇王志超杨登辉曹新玲曹礼强
关键词:退火红外透过率电阻率
磷锗锌多晶合成过程的中间生成物研究被引量:4
2013年
两温区气相输运法合成ZnGeP2多晶过程中,易生成一些高熔点的杂质,导致合成材料的纯度较低。选取ZnGeP2多晶合成过程中几个重要温度的合成产物,进行X射线衍射(XRD)和能谱色散分析(EDS),结果表明:ZnGeP2多晶合成过程的中间生成物主要为Zn3P2、ZnP2和GeP等。根据分析结果,对合成工艺进行了改进,合成出外观完整、内部致密的ZnGeP2多晶锭。用XRD进行分析,结果表明:改进工艺后合成的是高纯单相ZnGeP2多晶材料,为高质量单晶体生长奠定了可靠基础。
曹新玲朱世富赵北君陈宝军何知宇王志超张建强杨登辉
ZnGeP_2多晶合成工艺改进及其X射线衍射分析被引量:2
2013年
两温区气相输运合成ZnGeP2多晶,易发生化学计量比偏离,产生Ge、Zn3P2等杂相,在合成坩埚(石英安瓿)内壁凝聚一层ZnP2和P的沉积物.通过对合成设备、安瓿尺寸和工艺的改进,采用机械振荡炉体和竖直梯度降温相结合的新工艺,成功地合成出ZnGeP2多晶材料.合成的ZnGeP2多晶,经XRD分析测试,并采用Rietveld法进行全谱拟合精修、计算出各物相的相对含量.结果表明,改进工艺合成的ZnGeP2多晶是高纯单相材料,可用于单晶生长.采用改进工艺合成的ZnGeP2多晶为原料,生长出完整性好的ZnGeP2单晶体,在2.5~8.2μm范围的透过率达60%左右,光学质量较高.
王志超朱世富赵北君陈宝军何知宇张建强杨登辉曹新玲
关键词:多晶合成X射线衍射
共1页<1>
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