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张晓朋

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇化学工程
  • 2篇电子电信

主题

  • 5篇碳化硅
  • 5篇碳化硅器件
  • 5篇硅器件
  • 4篇碳化硅薄膜
  • 4篇碳化硅衬底
  • 4篇硅薄膜
  • 4篇硅衬底
  • 4篇硅外延
  • 4篇衬底
  • 2篇电路
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇重掺杂
  • 2篇氩气
  • 2篇基极
  • 2篇集成电路
  • 2篇功率集成
  • 2篇功率集成电路
  • 2篇发射区
  • 2篇保护环
  • 2篇场板

机构

  • 7篇西安电子科技...

作者

  • 7篇张晓朋
  • 6篇张玉明
  • 4篇王悦湖
  • 4篇杨阳
  • 2篇吕红亮
  • 2篇宁旭斌

年份

  • 3篇2014
  • 4篇2012
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
P型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
本发明公开了一种P型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，主要解决现有技术无法实现碳化硅高质量重掺杂的问题，其实现步骤是：先将碳化硅衬底放入反应室；在氢气流中加热反应室，当温度达到1400℃后，在氢气流中加入C<Sub>3</S...
王悦湖杨阳张玉明张晓朋
文献传递
P型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
本发明公开了一种P型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，主要解决现有技术无法实现碳化硅高质量重掺杂的问题，其实现步骤是：先将碳化硅衬底放入反应室；在氢气流中加热反应室，当温度达到1400℃后，在氢气流中加入C<Sub>3</S...
王悦湖杨阳张玉明张晓朋
基于4H-SIC的缓变基区BJT外延工艺研究
外延生长是制作4H-SiC器件的关键工艺之一，外延层的质量直接决定了器件的性能。本文研究了4H-SiC外延生长与BJT器件特性的关系，设计和优化了相应BJT器件的外延生长工艺。　　 首先采用Sentaurus软件对4H...
张晓朋
关键词：电流增益
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N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
本发明公开了一种N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，主要解决现有技术无法实现碳化硅高质量重掺杂的问题，其实现步骤是：先把碳化硅衬底放入反应室；在氢气流中加热反应室，当温度达到1400℃后，在氢气流中加入C<Sub>3</S...
王悦湖张晓朋张玉明杨阳
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用于功率集成电路的SiC-BJT器件及其制作方法
本发明公开了一种可用于功率集成电路的SiC-BJT及其制作方法，主要解决现有SiC-BJT不能用于功率集成电路的问题。本发明的SiC-BJT自下而上包括：SiC衬底(1)、p型缓冲层(2)、n型集电区(3)、p型基区(4...
吕红亮宁旭斌张玉明张晓朋
N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
本发明公开了一种N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，主要解决现有技术无法实现碳化硅高质量重掺杂的问题，其实现步骤是：先把碳化硅衬底放入反应室；在氢气流中加热反应室，当温度达到1400℃后，在氢气流中加入C<Sub>3</S...
王悦湖张晓朋张玉明杨阳
用于功率集成电路的SiC-BJT器件及其制作方法
本发明公开了一种可用于功率集成电路的SiC-BJT及其制作方法，主要解决现有SiC-BJT不能用于功率集成电路的问题。本发明的SiC-BJT自下而上包括：SiC衬底(1)、p型缓冲层(2)、n型集电区(3)、p型基区(4...
吕红亮宁旭斌张玉明张晓朋
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