您的位置： 专家智库 > >

宁旭斌

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇迁移率
  • 3篇二维电子
  • 3篇二维电子气
  • 2篇低功耗
  • 2篇电路
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇阻挡层
  • 2篇空穴
  • 2篇空穴阻挡层
  • 2篇基极
  • 2篇集成电路
  • 2篇功耗
  • 2篇功率集成
  • 2篇功率集成电路
  • 2篇发射区
  • 2篇高速低功耗
  • 2篇保护环
  • 2篇HEMT器件
  • 2篇INAS

机构

  • 7篇西安电子科技...

作者

  • 7篇宁旭斌
  • 5篇吕红亮
  • 5篇张玉明
  • 3篇张义门
  • 2篇张晓朋
  • 2篇武利翻
  • 1篇许俊瑞
  • 1篇张金灿

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
共 7 条 记 录，以下是 1-7
全选 清除 导出
排序方式：
用于高速HEMT器件的InAs外延材料及其制备方法
本发明公开了一种用于高速HEMT器件的InAs外延材料及其制备方法，主要解决GaAs衬底上生长晶格失配的InAs/AlSb外延材料问题。该InAs材料自下而上依次包括半绝缘的GaAs衬底(1)、GaAs外延层(2)、Al...
吕红亮宁旭斌张玉明张义门崔强生武利翻
文献传递
用于高速HEMT器件的InAs外延材料及其制备方法
本发明公开了一种用于高速HEMT器件的InAs外延材料及其制备方法，主要解决GaAs衬底上生长晶格失配的InAs/AlSb外延材料问题。该InAs材料自下而上依次包括半绝缘的GaAs衬底(1)、GaAs外延层(2)、Al...
吕红亮宁旭斌张玉明张义门崔强生武利翻
文献传递
InAs/AlSb量子阱结构材料表征
利用AFM(原子力显微镜)、CV以及霍尔测试手段,对在GaAs衬底上分子束外延(MBE)制备的两种不同结构的InAs/AlSb材料进行测试,研究了δ掺杂对InAs沟道中电子迁移率与二维电子气的影响。在对InAs/AlSb...
Xubin Ning宁旭斌Hongliang Lv吕红亮Yuming Zhang张玉明Yimen Zhang张义门Qiangsheng Cui崔强生
关键词：化合物半导体二维电子气量子阱结构迁移率性能表征
用于功率集成电路的SiC-BJT器件及其制作方法
本发明公开了一种可用于功率集成电路的SiC-BJT及其制作方法，主要解决现有SiC-BJT不能用于功率集成电路的问题。本发明的SiC-BJT自下而上包括：SiC衬底(1)、p型缓冲层(2)、n型集电区(3)、p型基区(4...
吕红亮宁旭斌张玉明张晓朋
用于功率集成电路的SiC-BJT器件及其制作方法
本发明公开了一种可用于功率集成电路的SiC-BJT及其制作方法，主要解决现有SiC-BJT不能用于功率集成电路的问题。本发明的SiC-BJT自下而上包括：SiC衬底(1)、p型缓冲层(2)、n型集电区(3)、p型基区(4...
吕红亮宁旭斌张玉明张晓朋
文献传递
InAs/AlSb HEMT器件研究
锑化物具有很高的电子迁移率和电子饱和漂移速度，因此锑化物HEMT成为新一代的超高速低功耗电子器件，在高频集成电路应用方面极具潜力，有很大的发展空间。　　本文首先通过ISE-TCAD软件建立了器件模型并对器件进行仿真，为材...
宁旭斌
关键词：分子束外延电子器件
文献传递
InP/InGaAs异质结载流子输运特性的仿真被引量：1
2012年
主要对InP/InGaAs异质结进行数值仿真。考虑到异质结界面存在导带不连续和价带不连续,在流体动力学模型的基础上,采用热电子发射模型和隧穿模型,对异质结的直流特性进行仿真。结果表明,热电子发射效应和隧穿效应对异质结界面载流子的输运有很大影响。仿真结果与实验结果基本一致。
许俊瑞吕红亮张义门张玉明张金灿宁旭斌
关键词：流体动力学热电子发射隧穿异质结
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0