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武利翻

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇电子迁移率
  • 3篇迁移率
  • 2篇低功耗
  • 2篇阻挡层
  • 2篇空穴
  • 2篇空穴阻挡层
  • 2篇功耗
  • 2篇二维电子
  • 2篇二维电子气
  • 2篇高速低功耗
  • 2篇HEMT器件
  • 2篇INAS
  • 1篇晶体管
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇HEMT
  • 1篇MI
  • 1篇S-

机构

  • 3篇西安电子科技...

作者

  • 3篇武利翻
  • 2篇吕红亮
  • 2篇张义门
  • 2篇张玉明
  • 2篇宁旭斌

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
用于高速HEMT器件的InAs外延材料及其制备方法
本发明公开了一种用于高速HEMT器件的InAs外延材料及其制备方法，主要解决GaAs衬底上生长晶格失配的InAs/AlSb外延材料问题。该InAs材料自下而上依次包括半绝缘的GaAs衬底(1)、GaAs外延层(2)、Al...
吕红亮宁旭斌张玉明张义门崔强生武利翻
文献传递
InAs/AlSb高电子迁移率晶体管及MIS-HEMT研究
In As/AlSb高电子迁移率晶体管（HEMT）器件中,InAs沟道材料有高电子峰值速度（4×l07 cm/s）,且InAs/AlSb异质结有很大的导带带隙ΔEc（1.35 eV）,有利于提高2DEG浓度,在高速、高频...
武利翻
关键词：分子束外延
文献传递
用于高速HEMT器件的InAs外延材料及其制备方法
本发明公开了一种用于高速HEMT器件的InAs外延材料及其制备方法，主要解决GaAs衬底上生长晶格失配的InAs/AlSb外延材料问题。该InAs材料自下而上依次包括半绝缘的GaAs衬底(1)、GaAs外延层(2)、Al...
吕红亮宁旭斌张玉明张义门崔强生武利翻
文献传递
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