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电子束辐照致VO_2(A)薄膜光电特性改变被引量：1: 2008年; 以能量为1.0 MeV,剂量为1.2×1013～1.2×1015/cm2电子束辐照VO2(A)薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电镜、电阻温度测试仪和Fourier中红外光谱仪对电子辐照前后的薄膜进行测试,研究了辐照剂量对薄膜结构、光电特性的影响。结果表明:剂量为1.2×1013/cm2时,辐照主要是在薄膜中引入点缺陷;剂量为1.2×1015/cm2时,辐照在薄膜中产生明显的退火效应。辐照剂量增加会引起薄膜相变过程中电阻温度系数增加,使相变温度点发生变化,热滞回线宽度最大可增加89.1%,相变前后薄膜电阻值变化的数量级增大,晶粒尺寸经历了31.8 nm→21.3 nm→20.3 nm→33.5 nm的变化。半导体相薄膜的透过率受缺陷影响较大,金属相时主要受晶粒尺寸的影响。; 孟庆凯何捷刘中华张雷宋婷婷孙鹏; 关键词：二氧化钒薄膜电子辐照电阻温度系数

电子辐照致VO_2(B)薄膜结构与红外光谱改变: 2008年; 本文以能量为1．0MeV的电子束辐照VOAB）薄膜，对电子辐照在薄膜中产生的缺陷进行了理论计算，使用X射线衍射仪、傅立叶中红外光谱仪对薄膜进行测试，分析了电子辐照对薄膜结构与红外光谱（3400-400cm^-1）的影响。结果显示：电子辐照可以在薄膜中引入点缺陷并产生退火效应，电子辐照在薄膜中引入的点缺陷，可以使V-O=V受到破坏，退火可以使V—O=V振动得到恢复，而电子辐照对薄膜八面体角度弯曲振动影响不大。; 孟庆凯何捷刘中华张雷宋婷婷孙鹏; 关键词：电子辐照红外光谱退火效应

金红石型二氧化钒的电子结构及光电性质的计算被引量：4: 2008年; 采用原子簇嵌入模式的电荷自洽离散变分法（SCC-DV-Xα-ECM），对金红石型二氧化钒（VO2）的电子结构、介电常数、吸收系数、折射率、电导率等光电性质进行计算．得到O的2p能态与V的3d能态杂化形成一个宽带，费米能级在此带内上部．在费米能级下的能级上都占据有电子，此带中有大量电子都可参与导电，因此金红石型Vq呈现金属性质．介电常数虚部随入射光频率的变化，反映了在0．8eV能量附近，电子激发以带内跃迁为主，在5—7ev能量范围，电子激发以带间跃迁为主．折射率和消光系数与已报道的实验结果符合得比较好．并将所得结果与CASTEP软件计算结果对比及分析讨论．; 宋婷婷何捷孟庆凯孙鹏张雷林理彬; 关键词：VO2 电子结构光电性质

真空度对VO_2(B)型薄膜制备及光电特性的影响被引量：5: 2008年; 对不同真空度下得到的VO2（B）型薄膜的结晶状况、组分、电学性质和光学性质进行测试和分析，以探讨退火真空度对VO2（B）型薄膜的影响。以高纯五氧化二钒（V2O5）粉末（纯度高于99．99％，质量分数）为原料，采用真空蒸发——还原工艺，分别在高、低真空度下还原出VO2（B）型（空间群为C2/m）薄膜。利用X射线衍射（XRD）仪，X射线光电子能谱仪（XPS），电阻温度关系（TCR）测试仪和紫外可见分光光度计对薄膜进行测试，讨论了退火真空度对VO2（B）型薄膜的结晶状况、组分、电学性质和光学性质的影响。结果显示，在高、低真空度下退火，VO2（B）型薄膜出现的温度范围是不同的，在低真空度下退火出现的范围在400～480℃，而在高真空度下退火出现的范围只有400～440℃；高真空度退火得到薄膜的晶粒较大，透过率较低真空度得到的薄膜高7％～8％；但在低真空度下退火，薄膜中的V更易被还原，电阻温度系数绝对值更大，最大可达-2．4％／K。; 刘中华何捷孟庆凯张雷宋婷婷孙鹏; 关键词：真空度光电特性

基于金属-介质纳米结构磁激元效应的石墨烯增强吸收研究被引量：3: 2016年; 石墨烯作为一种单层碳原子厚度的二维材料,其在可见光和近红外波段的吸收率只有2.3%。这大大限制了其在太阳能电池、光电探测等领域的应用。本文提出一种金属-介质组成的周期纳米结构,利用纳米结构中激发的磁激元共振(Magentic Polaritons,"MP")效应,实现了石墨烯在近红外波段的吸收增强。利用有限元法的理论仿真,系统研究了纳米结构参数对石墨烯吸收特性的影响。结果表明,在特定结构参数下,能使石墨烯的吸收率增大16倍左右。利用Inductor-Capacitor(LC)电路模型成功解释了石墨烯的吸收增强的物理机制,预测了复合系统的磁激元共振峰波长,发现石墨烯的存在不影响磁激元共振峰的位置。文中提出的纳米结构在加工上易于实现,研究结果将在基于石墨烯的新型光电子器件的设计和实现方面有潜在应用价值。; 张雷王卫张红; 关键词：石墨烯

退火温度对VO_X薄膜结构及光学性质的影响被引量：1: 2009年; 以高纯五氧化二钒(V2O5)粉末(纯度≥99.99%,质量百分比)为原料,采用真空蒸发--还原工艺,在不同退火温度下还原出不同组分的VOX薄膜。利用X射线衍射仪,X射线光电子能谱仪和紫外-可见分光光度计对薄膜进行测试和分析,得到了不同退火温度与薄膜结构和其光学特性的关系。结果显示:V2O5中的V5+随着退火温度的上升被还原,退火温度为450℃时,V4+含量最高,结晶最好,500℃时,薄膜组分表现出逆退火现象,温度进一步升高,钒再次被还原。; 张雷何捷王玲珑刘强王晓中郭英杰; 关键词：真空蒸镀退火温度禁带宽度

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张雷