宋婷婷
- 作品数：18 被引量：33H指数：4
- 供职机构：西华师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省应用基础研究计划项目博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学文化科学一般工业技术电气工程更多>>
- 氧化钒晶体的半导体至金属相变的理论研究被引量：11
- 2010年
- 本文利用第一性原理方法研究了金红石相和单斜相VO2晶体的电子结构和热力学性质.在计算中采用局域密度近似结合Hubbard U模型(LDA+U)描述电子的局域强关联效应,同时也利用微扰密度泛函方法计算了两种相结构的声子谱.计算结果表明V原子3d电子轨道中x2-y2轨道能级分裂决定了VO2晶体在不同相结构下的金属和绝缘体特性.零温状态方程计算揭示了在68GPa时可以发生从单斜结构到金红石结构的压致相变,而V原子3d和3s轨道电子与O原子2p轨道电子的强关联效应是导致VO2晶体发生压致相变的主要原因.同时,通过对系统的吉布斯自由能计算得到了与实验结果较好符合的热致相变温度(375K).
- 宋婷婷何捷林理彬陈军
- 关键词：VO2相变第一性原理
- 浅谈原子物理教学与物理学史的结合被引量：1
- 2017年
- 原子物理是近代物理的一门重要的课程。教学过程中以实验—理论—新的实验—新的理论或理论修正为线索,向学生揭示了微观物理的研究历程以及微观世界的物理规律。本文以α粒子散射实验、玻尔氢原子模型和康普顿散射实验为例讨论了原子物理教学过程中结合物理学史介绍科学探索进程的意义。
- 宋婷婷张敏
- 关键词：原子物理物理学史教学科学思维
- 电子束辐照致VO_2(A)薄膜光电特性改变被引量：1
- 2008年
- 以能量为1.0 MeV,剂量为1.2×1013～1.2×1015/cm2电子束辐照VO2(A)薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电镜、电阻温度测试仪和Fourier中红外光谱仪对电子辐照前后的薄膜进行测试,研究了辐照剂量对薄膜结构、光电特性的影响。结果表明:剂量为1.2×1013/cm2时,辐照主要是在薄膜中引入点缺陷;剂量为1.2×1015/cm2时,辐照在薄膜中产生明显的退火效应。辐照剂量增加会引起薄膜相变过程中电阻温度系数增加,使相变温度点发生变化,热滞回线宽度最大可增加89.1%,相变前后薄膜电阻值变化的数量级增大,晶粒尺寸经历了31.8 nm→21.3 nm→20.3 nm→33.5 nm的变化。半导体相薄膜的透过率受缺陷影响较大,金属相时主要受晶粒尺寸的影响。
- 孟庆凯何捷刘中华张雷宋婷婷孙鹏
- 关键词：二氧化钒薄膜电子辐照电阻温度系数
- 电子辐照致VO_2(B)薄膜结构与红外光谱改变
- 2008年
- 本文以能量为1．0MeV的电子束辐照VOAB）薄膜，对电子辐照在薄膜中产生的缺陷进行了理论计算，使用X射线衍射仪、傅立叶中红外光谱仪对薄膜进行测试，分析了电子辐照对薄膜结构与红外光谱（3400-400cm^-1）的影响。结果显示：电子辐照可以在薄膜中引入点缺陷并产生退火效应，电子辐照在薄膜中引入的点缺陷，可以使V-O=V受到破坏，退火可以使V—O=V振动得到恢复，而电子辐照对薄膜八面体角度弯曲振动影响不大。
- 孟庆凯何捷刘中华张雷宋婷婷孙鹏
- 关键词：电子辐照红外光谱退火效应
- CdX_2(X=Cl、Br):Ni^(2+)晶体的吸收光谱和EPR谱的统一解释被引量：2
- 2010年
- 本文考虑3d电子和轨道局域性差异和配体旋-轨耦合作用的影响,在晶体场理论和电子顺磁共振理论基础上,采用d轨道模型,推导出了3d2/d8电子组态在D3d对称下的广义能量矩阵,利用双共价因子双旋-轨耦合EPR谱高阶微扰公式,统一解释了CdX2(X=Cl、Br):Ni2+晶体的吸收光谱和EPR谱。
- 陈太红曾体贤彭松山宋婷婷蒲瑾谌家军
- 关键词：晶体场理论电子顺磁共振吸收光谱局域结构
- 单斜型二氧化钒材料光电性质的理论研究
- 2010年
- 采用原子簇嵌入模式的电荷自洽离散变分法(SCC-DV-X_a-ECM)对单斜型VO_2的电子结构和光电性质进行了计算。计算结果表明,单斜型VO_2带隙宽度为0.4411 eV,费米能级在带隙中间以上0.00365 eV靠近导带处,和实验数据符合得很好。单斜型VO_2的总能(-568.18 eV)比金红石型VO_2(-470.33 eV)小,说明外加能量如升高温度会使单斜型VO_2相变至金红石型VO_2。吸收系数在低频率段和实验情形符合得很好,光电导率在2.5～13.5 eV的变化趋势和其他的理论分析是一致的。
- 王晓中何捷刘强宋婷婷王玲珑郭英杰林理彬
- 关键词：光电性质二氧化钒
- LiCl:Cu^(2+)晶体的局域结构、吸收光谱、顺磁g因子和超精细结构常数的研究
- 2015年
- 在赵等提出的半自洽场自由Cu2+的3d轨道模型的基础上,利用点电荷模型,通过微扰理论方法,建立了Li Cl:Cu2+的局域结构与吸收光谱、顺磁g因子、超精细结构常数之间的定量关系.计算结果表明:Li Cl:Cu2+局域结构为拉伸的D4h对称八面体结构,键长R⊥=0.2196nm,R∥=0.2544nm,键长畸变△R⊥=-0.0369nm,△R∥=-0.0021nm,E1(2B1g→2B2g):10970 cm-1,E2(2B1g→2Eg):12563 cm-1,E3(2B1g→2A1g):4027 cm-1,g∥=2.447,g⊥=2.087,A∥=-0.0090 cm-1,A⊥=0.0030 cm-1,与实验观测值符合很好,这为进一步研究掺杂顺磁离子晶体的结构、电磁等性质提供了一种可行的理论方法.
- 刘旭东陈太红曾体贤邹文辉宋婷婷
- 关键词：晶体场局域结构吸收光谱顺磁G因子超精细结构常数
- 二氧化钒的电子结构及光学性质计算被引量：6
- 2008年
- 本文使用基于量子力学第一性原理的CASTEP程序包,计算了单斜结构和金红石结构的二氧化钒(VO2)的电子结构、介电常数、吸收系数、折射率等光学性质。介电函数的虚部、吸收光谱、折射率等它们的峰值位置存在一一对应关系,这表明了它们之间存在着内在的联系,它们都与电子从价带到导带的跃迁吸收有关,这为从物理本质上理解二氧化钒的光学性质提供了重要的依据。计算结果与实验结果符合得很好。
- 宋婷婷何捷孟庆凯孙鹏
- 关键词：VO2电子结构光学性质
- 金红石型二氧化钒的电子结构及光电性质的计算被引量：4
- 2008年
- 采用原子簇嵌入模式的电荷自洽离散变分法（SCC-DV-Xα-ECM），对金红石型二氧化钒（VO2）的电子结构、介电常数、吸收系数、折射率、电导率等光电性质进行计算．得到O的2p能态与V的3d能态杂化形成一个宽带，费米能级在此带内上部．在费米能级下的能级上都占据有电子，此带中有大量电子都可参与导电，因此金红石型Vq呈现金属性质．介电常数虚部随入射光频率的变化，反映了在0．8eV能量附近，电子激发以带内跃迁为主，在5—7ev能量范围，电子激发以带间跃迁为主．折射率和消光系数与已报道的实验结果符合得比较好．并将所得结果与CASTEP软件计算结果对比及分析讨论．
- 宋婷婷何捷孟庆凯孙鹏张雷林理彬
- 关键词：VO2电子结构光电性质
- 用递推关系解Bernouli-Euler装错信封问题被引量：2
- 2017年
- 错排问题是组合数学中一个非常经典的计数问题,容斥原理是组合数学中重要的计数工具.和一般的文献中用容斥原理去求解错排数不同,本文通过建立组合模型,用递推关系和数学归纳法给出了错排问题的两个性质,并且证明了错排数的计数公式.
- 宋婷婷程绩
- 关键词：递推关系数学归纳法
