孟庆凯
- 作品数：7 被引量：22H指数：4
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院辐射物理及技术教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 电子束辐照致VO_2(A)薄膜光电特性改变被引量：1
- 2008年
- 以能量为1.0 MeV,剂量为1.2×1013～1.2×1015/cm2电子束辐照VO2(A)薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电镜、电阻温度测试仪和Fourier中红外光谱仪对电子辐照前后的薄膜进行测试,研究了辐照剂量对薄膜结构、光电特性的影响。结果表明:剂量为1.2×1013/cm2时,辐照主要是在薄膜中引入点缺陷;剂量为1.2×1015/cm2时,辐照在薄膜中产生明显的退火效应。辐照剂量增加会引起薄膜相变过程中电阻温度系数增加,使相变温度点发生变化,热滞回线宽度最大可增加89.1%,相变前后薄膜电阻值变化的数量级增大,晶粒尺寸经历了31.8 nm→21.3 nm→20.3 nm→33.5 nm的变化。半导体相薄膜的透过率受缺陷影响较大,金属相时主要受晶粒尺寸的影响。
- 孟庆凯何捷刘中华张雷宋婷婷孙鹏
- 关键词：二氧化钒薄膜电子辐照电阻温度系数
- 电子辐照致VO_2(B)薄膜结构与红外光谱改变
- 2008年
- 本文以能量为1．0MeV的电子束辐照VOAB）薄膜，对电子辐照在薄膜中产生的缺陷进行了理论计算，使用X射线衍射仪、傅立叶中红外光谱仪对薄膜进行测试，分析了电子辐照对薄膜结构与红外光谱（3400-400cm^-1）的影响。结果显示：电子辐照可以在薄膜中引入点缺陷并产生退火效应，电子辐照在薄膜中引入的点缺陷，可以使V-O=V受到破坏，退火可以使V—O=V振动得到恢复，而电子辐照对薄膜八面体角度弯曲振动影响不大。
- 孟庆凯何捷刘中华张雷宋婷婷孙鹏
- 关键词：电子辐照红外光谱退火效应
- 二氧化钒的电子结构及光学性质计算被引量：6
- 2008年
- 本文使用基于量子力学第一性原理的CASTEP程序包,计算了单斜结构和金红石结构的二氧化钒(VO2)的电子结构、介电常数、吸收系数、折射率等光学性质。介电函数的虚部、吸收光谱、折射率等它们的峰值位置存在一一对应关系,这表明了它们之间存在着内在的联系,它们都与电子从价带到导带的跃迁吸收有关,这为从物理本质上理解二氧化钒的光学性质提供了重要的依据。计算结果与实验结果符合得很好。
- 宋婷婷何捷孟庆凯孙鹏
- 关键词：VO2电子结构光学性质
- 退火真空度与氧化钒薄膜物相的相关性被引量：7
- 2007年
- 以高纯五氧化二钒(V2O5)粉末(纯度≥99.99%,质量分数)为原料,用真空蒸发工艺制备出氧化钒薄膜,并测试其在真空退火前、后的X射线光电子能谱、X射线衍射谱及电阻-温度关系曲线。结果显示:低真空退火对氧化钒薄膜的还原性比高真空退火的强。但是,在高真空退火下得到的氧化钒薄膜的晶粒尺寸要比在低真空下退火的大。随退火温度升高,高真空下退火制备的薄膜经历了从VO2(B)到VO2(B)与V6O13混合,再到V6O13的转变过程,B表示薄膜无热致相变特性。低真空下退火制备的薄膜经历了从VO2(B)到VO2(A)的转变,A表示薄膜有热致相变特性。这些薄膜的电学性质也有很大不同。
- 刘中华何捷孟庆凯王静
- 关键词：氧化钒物相真空度
- 金红石型二氧化钒的电子结构及光电性质的计算被引量：4
- 2008年
- 采用原子簇嵌入模式的电荷自洽离散变分法（SCC-DV-Xα-ECM），对金红石型二氧化钒（VO2）的电子结构、介电常数、吸收系数、折射率、电导率等光电性质进行计算．得到O的2p能态与V的3d能态杂化形成一个宽带，费米能级在此带内上部．在费米能级下的能级上都占据有电子，此带中有大量电子都可参与导电，因此金红石型Vq呈现金属性质．介电常数虚部随入射光频率的变化，反映了在0．8eV能量附近，电子激发以带内跃迁为主，在5—7ev能量范围，电子激发以带间跃迁为主．折射率和消光系数与已报道的实验结果符合得比较好．并将所得结果与CASTEP软件计算结果对比及分析讨论．
- 宋婷婷何捷孟庆凯孙鹏张雷林理彬
- 关键词：VO2电子结构光电性质
- 真空度对VO_2(B)型薄膜制备及光电特性的影响被引量：5
- 2008年
- 对不同真空度下得到的VO2（B）型薄膜的结晶状况、组分、电学性质和光学性质进行测试和分析，以探讨退火真空度对VO2（B）型薄膜的影响。以高纯五氧化二钒（V2O5）粉末（纯度高于99．99％，质量分数）为原料，采用真空蒸发——还原工艺，分别在高、低真空度下还原出VO2（B）型（空间群为C2/m）薄膜。利用X射线衍射（XRD）仪，X射线光电子能谱仪（XPS），电阻温度关系（TCR）测试仪和紫外可见分光光度计对薄膜进行测试，讨论了退火真空度对VO2（B）型薄膜的结晶状况、组分、电学性质和光学性质的影响。结果显示，在高、低真空度下退火，VO2（B）型薄膜出现的温度范围是不同的，在低真空度下退火出现的范围在400～480℃，而在高真空度下退火出现的范围只有400～440℃；高真空度退火得到薄膜的晶粒较大，透过率较低真空度得到的薄膜高7％～8％；但在低真空度下退火，薄膜中的V更易被还原，电阻温度系数绝对值更大，最大可达-2．4％／K。
- 刘中华何捷孟庆凯张雷宋婷婷孙鹏
- 关键词：真空度光电特性
- 1.0 MeV电子辐照致VO_2(B)薄膜结构与光谱改变研究
- 2010年
- 本文以能量为1．0MeV的电子束辐照VO2（B）薄膜，对电子辐照在薄膜中产生的缺陷进行了理论计算，同时使用X射线衍射仪、原子力显微镜、分光光度计对薄膜进行测试，分析了电子辐照对薄膜结构、形貌与紫外-可见光谱（280-880nm）的影响。结果显示：电子辐照可以在薄膜中引入点缺陷并产生退火效应，电子辐照使薄膜的表面晶粒细化，辐照后薄膜光谱的吸收峰位发生移动，其移动的最大位移达到21nm，辐照后薄膜的光学禁带宽度也有所增加。
- 王玲珑孟庆凯何捷郭英杰苏瑞陈家胜
- 关键词：光谱
