您的位置： 专家智库 > >

杨卫全

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 5篇纳米
  • 3篇纳米线
  • 2篇电致发光
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基结
  • 2篇纳米材料
  • 2篇纳米带
  • 2篇耗尽型
  • 2篇发光
  • 2篇ZNO纳米
  • 2篇ZNO纳米线
  • 2篇MESFET
  • 2篇MISFET
  • 2篇CDS
  • 1篇电器件
  • 1篇电学
  • 1篇电学性能
  • 1篇电学性质
  • 1篇氧化锌纳米
  • 1篇氧化锌纳米线

机构

  • 5篇北京大学

作者

  • 5篇杨卫全
  • 4篇戴伦
  • 4篇马仁敏
  • 3篇秦国刚
  • 2篇乔永平
  • 2篇霍海滨
  • 1篇徐万劲

传媒

  • 1篇北京大学学报...
  • 1篇第六届中国国...

年份

  • 3篇2008
  • 2篇2007
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
一维ZnO和ZnS纳米材料制备与光学、电学性质及ZnO纳米线原型器件
近年来一维ZnO和ZnS纳米材料成为国际上纳米科技领域的研究热点。本论文较系统的研究了一维ZnO和ZnS纳米材料的制备、表征、掺杂与相应的光学、电学性质，以及制成了ZnO纳米线场效应晶体管和电致发光原型器件。主要内容包括...
杨卫全
关键词：纳米材料电学性质光学性质电致发光
采用单根CdS 纳米带/线制备的耗尽型/增强型场效应晶体管
研制了单根CdS纳米带/线金属-半导体场效应晶体管(MESFETs)。单根CdS纳 米带MESFETs表现为n沟道耗尽型(常开型)。具有低阈值电压(～-1.56 V), 高跨导 (～3.5 μS), 低亚阈值摆幅(～45...
乔永平马仁敏杨卫全戴伦秦国刚徐万劲
采用单根CdS 纳米带/线制备的耗尽型/增强型场效应晶体管
研制了单根CdS纳米带/线金属-半导体场效应晶体管(MESFETs)。单根CdS纳 米带MESFETs表现为n沟道耗尽型(常开型)。具有低阈值电压(～-1.56 V), 高跨导 (～3.5 μS), 低亚阈值摆幅(～45...
马仁敏杨卫全乔永平戴伦徐万劲秦国刚
单根In掺杂的n-ZnO纳米线/p^＋-Si异质结的紫外电致发光被引量：1
2008年
采用化学气相沉积的方法在In0.1Ga0.9N衬底上生长出In掺杂的n-ZnO纳米线阵列。电学输运测量得到单根n-ZnO纳米线的电阻率为0.001Ωcm,比同样方法在GaN衬底上生长的ZnO纳米线低约20倍。这个结果表明来自于In0.1Ga0.9N衬底中的In原子在高温生长过程中可能被掺入ZnO纳米线。制备成功单根n-ZnO纳米线/p+-Si异质结构并研究了其电致发光特性。室温下电致发光光谱中可以看到一个窄的ZnO激子峰(约380nm)和一个中心位于700nm的来自Si衬底表面自然氧化硅发光中心的发光峰。
霍海滨杨卫全戴伦马仁敏秦国刚
关键词：电致发光氧化锌纳米线异质结
一种制备硅纳米线的方法
本发明公开了一种制备硅纳米线的方法。本发明方法，包括如下步骤：1)将纳米线分散在硅衬底上；2)以所述纳米线为掩膜干法刻蚀所述硅衬底，刻蚀掉纳米线以外的硅衬底部分，得到硅纳米线。本发明采用纳米线作为掩膜，并结合ICP干法刻...
霍海滨戴伦秦国刚杨卫全马仁敏
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0