肖鹏
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：华南理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 直流磁控溅射制备低温高迁移率锆铟氧薄膜晶体管
- 来,由于氧化物薄膜晶体管(TFT)具有迁移率高、均匀性好、对可见光透明以及成本低等诸多优点广泛被应用于平板显示领域如有源矩阵液晶显示(AMLCD)和有源矩阵发光二极管(AMOLED).经过十多的发展,氧化物TFT的性能得...
- 肖鹏董婷兰林锋罗东向彭俊彪
- 源漏电极的制备对氧化物薄膜晶体管性能的影响被引量：4
- 2014年
- 本文采用钼-铝-钼(Mo/Al/Mo)叠层结构作为源漏电极,制备氧化铟锌(IZO)薄膜晶体管(TFT).研究了Mo/Al/Mo源漏电极中与IZO接触的Mo层溅射功率对TFT器件性能的影响.随着Mo层溅射功率的增加,器件开启电压(Von)负向移动,器件均匀性下降.通过X射线光电子能谱(XPS)深度剖析发现IZO/Mo界面有明显的扩散;当Mo层溅射功率减小时,扩散得到了抑制.制备的器件处于常关状态(开启电压为0.5 V,增强模式),不仅迁移率高(～13 cm2·V-1·s-1),而且器件半导体特性均匀.
- 徐华兰林锋李民罗东向肖鹏林振国宁洪龙彭俊彪
- 关键词：溅射功率薄膜晶体管
- 室温直流磁控溅射制备高迁移率锆铟氧薄膜晶体管
- 成本 低等诸多优点[1-2]而被认为是适用于平板显示领域最有前景的 TFT 技术.在过去十多年里,氧化物 TFT 的性能得到很大程度的地提高,其性能已经基本满足驱动有源矩阵液晶显示(AMLCD)和有源矩阵有机发光二极管(...
- 兰林锋肖鹏彭俊彪
- 关键词：薄膜晶体管
