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邹吕凡

作品数：6 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 2篇异质结
  • 2篇X
  • 1篇电路
  • 1篇衍射
  • 1篇异质结材料
  • 1篇异质结构材料
  • 1篇应变SI
  • 1篇应变弛豫
  • 1篇射线衍射
  • 1篇双晶
  • 1篇双晶衍射
  • 1篇退火
  • 1篇退火行为
  • 1篇气态
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇分子束外延生...
  • 1篇高速电路
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇邹吕凡
  • 4篇王占国
  • 4篇孙殿照
  • 3篇范缇文
  • 2篇林兰英
  • 2篇李建平
  • 2篇何沙
  • 2篇孔梅影
  • 2篇刘学锋
  • 1篇刘金平
  • 1篇李灵宵
  • 1篇黄大定
  • 1篇高斐
  • 1篇朱世荣
  • 1篇林燕霞

传媒

  • 4篇Journa...

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1997
  • 4篇1996
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
As＋注入Si1—xGex的快速退火行为
1996年
用二次离子质谱对Ａｓ＋注入Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ的快速退火行为进行了研究．Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ样品中Ｇｅ组分分别为ｘ＝０．０９，０．２７和０．４３．Ａｓ＋注入剂量为２×１０（１６）ｃｍ（－２），注入能量为１００ｋｅＶ．快速退火温度分别为９５０℃和１０５０℃，时间均为１８秒．实验结果表明，Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ中Ａｓ的扩散与Ｇｅ组分密切相关，Ｇｅ组分越大，Ａｓ扩散越快．对于Ｇｅ组分较大的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品，Ａｓ浓度分布呈现“盒形”（ｂｏｘ－ｓｈａｐｅｄ），表明扩散与Ａｓ浓度有关．Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品中Ａｓ的快扩散可能与未激活Ａｓ的快速退火行为有关．就作者所知，离子注入Ａｓ在Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ中的扩散研究，以前未见报道．
邹吕凡王占国孙殿照何沙范缇文刘学锋张靖巍
关键词：退火SIGE
As~＋注入Si_（1－x）Ge_x中应变弛豫的双晶X射线衍射研究被引量：1
1996年
作者首次用Ｘ射线双晶衍射技术对注入Ａｓ＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３合金的晶格损伤消除和应变弛豫进行了研究，并与未注入ＡＳ＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３合金的应变弛豫进行了比较．结果表明，退火后，注入ＡＳ_的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ外延层中的应变分布不同于未注入ＡＳ＋的应变分布．对于未注入Ａｓ＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３样品，其Ｘ射线衍射峰的半宽度ＦＷＨＭ由于退火引起应变弛豫导致镶嵌结构的产生而展宽．对于注入Ａｓ＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３样品，９５０℃的快速退火过程可以有效地消除晶格损伤，使晶格得以恢复，且其退火后的Ｘ射线衍射峰的半宽度比未注入Ａｓ＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３样品的半宽度窄，甚至比部分弛豫的原生样品的半宽度窄．这可能是退火后一部分Ｇｅ的晶格位置被Ａｓ原子占据，导致晶格体积收缩，应变弛豫，因而失配位错密度低的缘故．
邹吕凡王占国孙殿照何沙范缇文张靖巍
关键词：X射线衍射
高速电路用GeSi/Si外延材料
黄大定李建平孙殿照刘学锋刘金平林燕霞高斐邹吕凡朱世荣李灵宵孔梅影林兰英
该项目为SiGe/Si材料生长工艺及其掺杂控制技术，项目过程中生长出了高质量的n-p-n HBT所需要的Si/SiGe/Si构材料：Ge组分及n、p型掺杂均达到项目指标要求；能够严格控制n、p型掺杂区域，将基区的硼杂质限...
关键词：
关键词：HBT
应变Si_(1-x)Ge_x/Si异质结材料的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究被引量：3
1997年
用GSMBE（GasSourceMolecularBeamEpitaxy）技术在国内首次研究了应变Si1-xGex／Si异质结材料的生长．并用X射线双晶衍射技术对样品进行了测试分析．对于Si(0.91)Ge(0．09)和Si(0.86)Ge(0.14)单层，其半宽度FWHM分别为100”和202”；对于Si(0.89)Ge(0.11)／Si多量子阱，其卫星峰多达15个以上．三种样品中的GeSi外延层干涉条纹清晰可见．结果表明，用GSMBE技术生长的Si1-xGex／Si异质结材料具有很好的结晶质量以及陡峭的界面．
邹吕凡王占国孙殿照张靖巍李建平孔梅影林兰英
关键词：GSMBE异质结材料X射线双晶衍射
应变异质结外延材料的缓冲层厚度与Frank－Read源的关系研究
1996年
基于能量最小近似模型，研究了应变异质结外延材料中，产生Ｆｒａｎｋ－Ｒｅａｄ源以释放失配应力所需ＧｅＳｉ合金缓冲层的厚度．对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ进行了具体计算，其结果表明：产生Ｆｒａｎｋ－Ｒｅａｄ源时缓冲层厚度要比临界厚度大得多，Ｌｍｉｎ＝１３００Ａ是钉扎点间的最小距离．计算结果与ＬｅＧｏｕｅｓ等的实验结果相符．就作者所知，计算产生Ｆｒａｎｋ－Ｒｅａｄ源时ＧｅＳｉ合金缓冲层厚度的工作，以前未见报道．
邹吕凡王占国范缇文
Si1-xGex/Si应变异质结构材料的气态分子束外延生长及性质研究
邹吕凡
关键词：半导体材料分子束外延生长
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