韦源
- 作品数：14 被引量：24H指数：3
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
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- 相关领域：理学电子电信核科学技术经济管理更多>>
- 辐射效应与粒子输运蒙特卡罗模拟研究进展
- 粒子输运蒙特卡罗方法是模拟研究半导体器件和系统辐射效应物理过程的有效途径。基于GEANT4蒙特卡罗程序包,模拟高能质子和中子辐照半导体材料的主要物理过程,研究得到反冲核分布、位移能量沉积等等次级过程信息;研究分析了低能电...
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- 关键词：低能电子有限体积法
- 文献传递
- 中子-光子输运程序TOPAN的开发与验证被引量：2
- 2012年
- 开发的粒子输运蒙特卡罗通用程序TOPAN能模拟中子和光子的耦合输运,可给出中子和光子在介质中输运后的点通量、面通量、体通量、面流量等参数。该程序除具备常用的蒙特卡罗软件功能外,还增加了处理介质温度变化的等效质量热运动模型和非均匀介质中粒子输运模块,具备粒子标识功能,初步具备了进行一些复杂问题中粒子输运模拟的能力。结合具体算例对TOPAN程序的各功能模块进行了比对验证。
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- 关键词：蒙特卡罗
- γ射线和可见光耦合输运方法在PHEN程序中的实现与验证被引量：2
- 2017年
- 基于粒子输运蒙特卡罗模拟程序PHEN,建立了一种用于模拟γ射线入射闪烁晶体全响应过程的耦合输运计算方法。利用此方法对γ射线入射锗酸铋(BGO)晶体的响应过程进行了模拟计算,得到了能量为0.5~10.0 MeV的γ射线在BGO晶体上的沉积能量、BGO晶体的相对灵敏度以及1 MeVγ射线产生的可见光光子数分布,并将计算结果与用MCNP程序计算的结果及BGO晶体的发射光谱进行了对比分析。结果表明,用两种程序计算的沉积能量的差异小于1%,PHEN程序中经过耦合输运得到的可见光光子数分布与BGO晶体的相对发光特性符合较好,验证了本文方法的合理性和可靠性,为闪烁体探测器参数设计及优化提供了一种有效的数值模拟方法。
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- 关键词：闪烁体蒙特卡罗锗酸铋PHEN
- 典型半导体器件γ剂量率辐射效应数值模拟
- 根据深亚微米半导体器件辐射效应研究的需要,将粒子输运的蒙特卡罗方法与半导体器件数值模拟的有限体积法相结合,实现了从粒子输运到器件剂量率响应的一体化模拟。利用该方法对不同结构的反向偏置二极管在矩形γ射线脉冲辐照下的瞬态响应...
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- 关键词：蒙卡方法有限体积法半导体器件剂量率
- 文献传递
- 不同水温下的中子输运等效质量热运动模型被引量：1
- 2012年
- 为了解决蒙特卡罗模拟S(α,β)模型只能求解特定温度条件下中子输运问题的局限性,建立了中子在不同温度液态水中输运的等效质量热运动模型。在分析自由气体热运动模型的基础上,采用不同的等效质量对中子与水中氢原子的弹性散射模拟过程进行改进,对中子穿过水层后的流量进行模拟计算,通过与S(α,β)模型的计算结果的比较,得到了5个不同的温度点水中氢原子的最佳等效质量。根据5个不同温度点的数据拟合给出了最佳等效质量和温度的函数关系。采用该模型计算得到的中子在不同温度条件下水中输运参数与S(α,β)模型相符。等效质量热运动模型突破了S(α,β)模型只能计算有限温度点的局限性,能有效处理300～800 K任意温度水中的中子输运问题。
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- 关键词：蒙特卡罗模拟中子输运氢原子
- 300 eV—1GeV质子在硅中非电离能损的计算被引量：5
- 2014年
- 非电离能损(NIEL)引起的位移损伤是导致空间辐射环境中新型光电器件失效的主要因素.引起质子在硅中NIEL的作用机理有库仑相互作用和核相互作用,质子能量范围从位移损伤阈能到1 GeV.当质子能量位于低能区时,库仑相互作用占主导地位,采用解析方法和TRIM程序计算NIEL;当质子能量位于高能区时,NIEL主要来自质子与靶原子核的弹性和非弹性相互作用,使用MCNPX/HTAPE3X进行模拟仿真计算由核反应引起的NIEL.实现了能量范围为300 eV—1 GeV的质子入射硅时NIEL的计算.计算结果表明,MCNPX/HTAPE3X可用于计算高能质子在材料中产生的反冲核所引起的NIEL,结合解析方法和TRIM程序可计算得到由于库仑相互作用引起的NIEL.
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- 关键词：质子库仑相互作用核反应
- 大气中子辐射环境及效应研究
- 本文研究并实现了大气中子辐射环境计算方法，开展了随机静态存储器的大气中子单粒子效应试验与理论研究，分析了大气中子单粒子效应的产生机制，获得了不同特征尺寸存储器的大气中子单粒子效应翻转数据。研究认为，在安全性要求较高的电子...
- 陈伟郭晓强张凤祁韦源孟新宇蒋飞军
- 关键词：存储器单粒子效应
- 典型半导体器件γ剂量率辐射效应数值模拟
- 深亚微米半导体器件辐射效应研究的需要,将粒子输运的蒙特卡罗方法与半导体器件数值模拟的有限体积法相结合,实现了从粒子输运到器件剂量率响应的一体化模拟.利用该方法对不同结构的反向偏置二极管在矩形γ射线脉冲辐照下的瞬态响应过程...
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- 关键词：蒙卡方法有限体积法半导体器件剂量率
- 金属氧化物半导体场效应管长期辐射效应的数值模拟被引量：7
- 2013年
- 将粒子输运的蒙特卡罗方法与器件数值模拟的有限体积法相耦合来模拟典型金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的长期辐射效应。二氧化硅中的陷阱电荷及硅中的自由电子和空穴均使用漂移扩散模型来描述,入射粒子的能量沉积可作为源项耦合至漂移扩散模型方程,并根据有限体积法得到控制方程的离散格式,方程的数值解即为MOSFET的长期辐射响应结果。使用该方法模拟了MOSFET受射线粒子辐照后的阈值电压漂移与关态漏电流现象。结果表明,耦合方法适用于典型半导体器件长期辐射效应模拟,其阈值电压漂移及漏电流计算结果与文献符合较好。
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- 关键词：总剂量效应漏电流
- MOS管长期辐射效应的数值模拟
- 本文将粒子输运的蒙特卡罗方法与器件数值模拟的有限体积法相耦合来模拟典型MOS管的长期辐射效应。使用漂移扩散模型来描述二氧化硅中的陷阱电荷及硅中的自由电子和空穴。入射粒子的能量沉积作为源项耦合至漂移扩散模型方程，并根据有限...
- 韦源谢红刚贡顶朱金辉牛胜利黄流兴
- 关键词：蒙特卡罗法有限体积法
- 文献传递
