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高义华

作品数：1 被引量：9H指数：1
供职机构：中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇碳化硅
  • 1篇微结构
  • 1篇半导体
  • 1篇SIC

机构

  • 1篇南京大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇张泽
  • 1篇高义华
  • 1篇鲍希茂
  • 1篇李宁生

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1997
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
硅基纳米SiC的制备及其微结构分析被引量：9
1997年
在室温下将C+注入硅衬底，注入能量和剂量分别为50keV，2×1016cm－2．经高温退火形成，β-SiC颗粒沉淀．用傅里叶变换红外吸收谱，光电子能谱以及高分辨率透射电镜对注入样品中的纳米β-SiC及其微结构作了分析．
李宁生鲍希茂廖良生吴晓华高义华张泽
关键词：半导体碳化硅微结构
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共1页<1>
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