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李宁生

作品数：8 被引量：42H指数：4
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇医药卫生

主题

  • 3篇硅基
  • 2篇碳化硅
  • 2篇蓝光
  • 2篇蓝光发射
  • 2篇光发射
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇发光
  • 2篇半导体
  • 2篇SI
  • 1篇单晶
  • 1篇电特性
  • 1篇电致发光
  • 1篇多孔硅
  • 1篇穴位
  • 1篇氧化硅
  • 1篇氧化硅薄膜
  • 1篇碳化硅薄膜
  • 1篇特异
  • 1篇特异性
  • 1篇退火特性

机构

  • 8篇南京大学
  • 1篇江苏省人民医...
  • 1篇南京医科大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 8篇李宁生
  • 5篇鲍希茂
  • 3篇郑祥钦
  • 2篇朱兵
  • 2篇闵乃本
  • 2篇张骏
  • 1篇张泽
  • 1篇高义华
  • 1篇张骏
  • 1篇陈巩荪
  • 1篇廖良生
  • 1篇许和
  • 1篇许瑞征
  • 1篇吴晓华

传媒

  • 4篇Journa...
  • 2篇南京大学学报...
  • 1篇科学通报

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 2篇1997
  • 3篇1996
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
硅基纳米SiC的制备及其微结构分析被引量：9
1997年
在室温下将C+注入硅衬底，注入能量和剂量分别为50keV，2×1016cm－2．经高温退火形成，β-SiC颗粒沉淀．用傅里叶变换红外吸收谱，光电子能谱以及高分辨率透射电镜对注入样品中的纳米β-SiC及其微结构作了分析．
李宁生鲍希茂廖良生吴晓华高义华张泽
关键词：半导体碳化硅微结构
注Si^＋热氧化SiO2薄膜的蓝光发射及其退火特性被引量：6
1996年
对单晶硅片上热生长的ＳｉＯ２薄膜注入Ｓｉ＋，注入能量为１２０ｋｅＶ，剂量为２×１０１６ｃｍ－２．在～５．０ｅＶ的光子激发下，注Ｓｉ＋氧化膜可生产～２．７ｅＶ的蓝光发射．在退火处理中，发光强度先随退火温度上升而增大，在５００～６００℃时达到最大值，此后逐渐减小．这种蓝光发射是由于注入的过剩Ｓｉ引起氧空位缺陷而产生的．
廖良生鲍希茂郑祥钦李宁生闵乃本
关键词：热氧化二氧化硅蓝光发射
硅基双色发光图形的研制
1997年
本文提出一种制作硅基发光图形的方法，利用SiO2作掩膜，通过C+离子选区注入，退火处理及电化学腐蚀，使样品的单晶区形成多孔硅红-绿色发光区，注C+区域形成多孔SiC的蓝光发射区域，构成双色发光图形．
李宁生鲍希茂廖良生王振飞
关键词：硅基光电子材料硅单晶
SiO<,2>包封纳米SiC蓝光发射材料
李宁生
关键词：发光多孔硅硅基发光材料光致发光谱
硅基多孔U-SiC薄膜的电致发光及其机理分析被引量：20
2000年
单晶硅中注入高剂量的Ｃ＋ 离子，注入能量为５０ｋｅＶ，经高温退火后形成β－ＳｉＣ沉淀，再经电化学腐蚀形成多孔β－ＳｉＣ，样品表面蒸上一层半透明的金膜，在正向偏压高于２５Ｖ 时，可以获得波长约为４４７ｎｍ 的蓝光发射， 而且该蓝光发射随着电压的升高而增强．文中还将多孔β－ＳｉＣ薄膜的电致发光和其光致发光进行了比较。
吴晓华鲍希茂李宁生廖良生郑祥钦
关键词：碳化硅薄膜电致发光发光机理硅基
人体耳穴电特性3参数模型被引量：6
1998年
用微机实验系统测定耳穴电参数．根据耳穴瞬态响曲线，设计由等效电阻、电容和电位构成的三参数模型（ＴＰＭ），模拟耳穴电特性．模拟测量和数学分析所得响应函数ｕｅ（ｔ）与耳穴响应ｕａ（ｔ）符合较好．耳穴与ＴＰＭ实验数据配对比较无显著差异，ｐ＞０．０５．ＴＰＭ能较好地反应与描述耳穴系统．这为深入研究耳穴电特性及其应用提供了重要的基础和一种新的方法．
朱兵李宁生张骏张骏张骏
关键词：系统模拟
耳穴电位反应病变的特异性被引量：3
1999年
用微机实验系统研究了３２例正常人和４７例上消化道（食道、胃和十二指肠）病例的耳穴体表电位．结果表明，电位变量Ｊ具有区分病变的显著性，Ｐ＜０．０１．Ｊ的概率密度函数定量地描述反应病变的特性，获得临界指标Ｊ０和诊断评价指标的估值均数：特异度Ｓ－ｐ＝０．８４，敏感度Ｓ－ｅ＝０．８１，准确度ｒ－＝０．８２，约登指数ｒ∧－＝０．６５．
朱兵张骏李宁生李宁生许瑞征陈巩荪
关键词：穴位
SiO_2薄膜注Si^+后的蓝光发射
1996年
由于成熟的硅平面工艺已使硅成为目前不可取代的最重要的半导体材料,因此为了实现未来的硅基光电子集成,硅基发光材料正成为研究热点.广泛应用于硅集成电路中的SiO_2.薄膜有可能成为一种硅基发光材料.最近有人采用高注入能量在硅基SiO_2.薄膜中注入高剂量Si^+,获得了约为2.0eV的光致发光.假如SiO_2薄膜还可以发射绿光和蓝光,则为全色显示提供了必要条件.虽然某些SiO_2块体材料在低温下存在～2.7eV的光致蓝光峰,但有人报道SiO_2薄膜中不存在～2.7eV的蓝光发射.
廖良生鲍希茂郑祥钦李宁生闵乃本
关键词：二氧化硅薄膜硅蓝光发射半导体
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