郑祥钦
- 作品数：11 被引量：43H指数：3
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>
- 硅基发光材料研究-多孔硅,多孔SiC,硅基纳米镶嵌材料和超晶格材料
- 鲍希茂刘湘娜吴兴龙郑祥钦冯端
- 微电子学是现代信息技术的基础，而集成光电子学的发展，将使计算机换代，信息技术改观。硅基发光材料是从微电子技术出发实现光电子集成的材料基础。多孔硅是硅基发光材料的重大突破。该项目得到国国家自然科学基金连续支持，上海冶金所离...
- 关键词：
- 关键词：硅基发光材料多孔硅超晶格材料离子注入
- 多孔硅光致发光激发谱测量与机理分析被引量：3
- 1993年
- 对多孔硅光致发光光谱(PL)和光致发光激发谱(PLE)的研究可以获得许多有关多孔硅发光机理的信息。已有许多文章报道了多孔硅发光的光谱特性和多孔硅的制备条件以及后续处理之间的关系,并据此提出了不同的发光模型。也有人对多孔硅的发光特性和激发条件间的关系进行了研究,并提出多孔硅的发光和表面态或荧光中心有关。我们用不同波长的单色光作激发源,测量了多孔硅发光的光谱特性,并用连续变化波长的单色光作激发源。
- 郑祥钦杨海强阎锋鲍希茂
- 关键词：多孔硅光致发光量子限制效应硅
- 混合色各分色成分的分解
- 1991年
- 用微计算机控制光栅单色仪波长扫描,同时控制A/D变换器对各个波长下的光电信号进行采集,从而实现对各种光信号的频谱测量,并求出有关的色度学参数.利用线性化法进行非线性曲线拟合,对加法混合色,滤色片减法混合色以及染料减法混合色进行分解,并求出各个分色的成分。
- 郑祥钦
- 关键词：光信号分色微机
- 脉冲激光沉积硅基二氧化硅薄膜的蓝光发射被引量：11
- 1998年
- 用准分子激光在含氧气氛中对硅靶材料进行反应剥离，并让反应生成物沉积在单晶硅片表面上．用Ｘ射线光电子能谱、透射电镜分析，以及光致发光谱等方法对沉积的薄膜进行研究．结果显示，形成的薄膜是非晶态的二氧化硅组分，并且在其中含有少量的微米量级的多晶硅颗粒，在４４０ｎｍ附近的蓝光范围内有一光致发光带。
- 郑祥钦郭新立廖良生刘治国
- 关键词：硅基二氧化硅脉冲激光沉积蓝光发射
- 具有四面体结构的晶格模型的简易制作
- 1990年
- 本文介绍了用金属丝和厚纸板等材料制作金刚石、闪锌矿、黄铜矿和纤锌矿结构的晶格模型的方法，并利用这些模型进行了各种晶格结构的观察试验．这些方法简单易行、便于学生自行制作，可达到形象教学的效果．
- 郑祥钦
- 关键词：半导体物理学
- 多孔硅室温光致发光研究被引量：2
- 1993年
- 采用电化学和化学溶蚀法在体单晶硅上制备了高孔度多孔硅;室温下测量了蓝光激发的光致可见光谱,发现样品在大气环境中保存时光致发光谱随时间有显著“蓝移”,并渐趋稳定,谱峰位置“蓝移”约40nm;文中给出了发光膜的平面透射电镜形貌和电子衍射照片。“蓝移”和电镜照片的结果能用量子尺寸效应说明。文中还给出了喇曼谱仪上测得的光致发光谱和多孔硅的喇曼位移峰。
- 柳承恩郑祥钦阎峰鲍希茂
- 关键词：多孔硅光致发光室温
- 注Si^＋热氧化SiO2薄膜的蓝光发射及其退火特性被引量：6
- 1996年
- 对单晶硅片上热生长的ＳｉＯ２薄膜注入Ｓｉ＋，注入能量为１２０ｋｅＶ，剂量为２×１０１６ｃｍ－２．在～５．０ｅＶ的光子激发下，注Ｓｉ＋氧化膜可生产～２．７ｅＶ的蓝光发射．在退火处理中，发光强度先随退火温度上升而增大，在５００～６００℃时达到最大值，此后逐渐减小．这种蓝光发射是由于注入的过剩Ｓｉ引起氧空位缺陷而产生的．
- 廖良生鲍希茂郑祥钦李宁生闵乃本
- 关键词：热氧化二氧化硅蓝光发射
- 硅基多孔U-SiC薄膜的电致发光及其机理分析被引量：20
- 2000年
- 单晶硅中注入高剂量的Ｃ＋ 离子，注入能量为５０ｋｅＶ，经高温退火后形成β－ＳｉＣ沉淀，再经电化学腐蚀形成多孔β－ＳｉＣ，样品表面蒸上一层半透明的金膜，在正向偏压高于２５Ｖ 时，可以获得波长约为４４７ｎｍ 的蓝光发射， 而且该蓝光发射随着电压的升高而增强．文中还将多孔β－ＳｉＣ薄膜的电致发光和其光致发光进行了比较。
- 吴晓华鲍希茂李宁生廖良生郑祥钦
- 关键词：碳化硅薄膜电致发光发光机理硅基
- 深能级测量中的软件技术
- 1989年
- 由微计算机通过AD/DA变换器产生深能级测量中必须的脉冲和偏压控制信号以及温度控制信号,并对瞬态电容和样品温度进行测量,可在一次温度扫描过程中获得一组对应于不同的测量率窗的深能级信号曲线,从而获得深能级的全部参数。采用指数式变化的相关加权系数可以大大提高测量的灵敏度,通过计算可求得最佳的加权系数。用高阶相关的方法可以改善测量谱峰的分辨能力。机器语言子程序可大大提高瞬态电容的测量速率并可保证严格的时序,各个测量点的延迟时间可在0.5ms到数十秒的范围内调节。
- 郑祥钦
- 关键词：深能级软件技术
- SiO_2薄膜注Si^+后的蓝光发射
- 1996年
- 由于成熟的硅平面工艺已使硅成为目前不可取代的最重要的半导体材料,因此为了实现未来的硅基光电子集成,硅基发光材料正成为研究热点.广泛应用于硅集成电路中的SiO_2.薄膜有可能成为一种硅基发光材料.最近有人采用高注入能量在硅基SiO_2.薄膜中注入高剂量Si^+,获得了约为2.0eV的光致发光.假如SiO_2薄膜还可以发射绿光和蓝光,则为全色显示提供了必要条件.虽然某些SiO_2块体材料在低温下存在～2.7eV的光致蓝光峰,但有人报道SiO_2薄膜中不存在～2.7eV的蓝光发射.
- 廖良生鲍希茂郑祥钦李宁生闵乃本
- 关键词：二氧化硅薄膜硅蓝光发射半导体
