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吴晓华

作品数：1 被引量：20H指数：1
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电致发光
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅薄膜
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇硅基
  • 1篇发光
  • 1篇发光机理
  • 1篇SIC薄膜
  • 1篇U

机构

  • 1篇南京大学

作者

  • 1篇鲍希茂
  • 1篇郑祥钦
  • 1篇吴晓华
  • 1篇李宁生

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2000
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
硅基多孔U-SiC薄膜的电致发光及其机理分析被引量：20
2000年
单晶硅中注入高剂量的Ｃ＋ 离子，注入能量为５０ｋｅＶ，经高温退火后形成β－ＳｉＣ沉淀，再经电化学腐蚀形成多孔β－ＳｉＣ，样品表面蒸上一层半透明的金膜，在正向偏压高于２５Ｖ 时，可以获得波长约为４４７ｎｍ 的蓝光发射， 而且该蓝光发射随着电压的升高而增强．文中还将多孔β－ＳｉＣ薄膜的电致发光和其光致发光进行了比较。
吴晓华鲍希茂李宁生廖良生郑祥钦
关键词：碳化硅薄膜电致发光发光机理硅基
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