魏峰
- 作品数：8 被引量：4H指数：1
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家电网公司科技项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 高压IGBT在di/dt缓冲电路中的短路特性
- 2012年
- di_C/dt缓冲电路中较高的开通电感使IGBT短路特性在两种短路模式下有明显的不同,由于短路开通时集电极-发射极电压的急剧减小,IGBT短路模式一中的特性变得格外重要,而且还引起V_(CE)变陡峭的去饱和过程。本文描述了该失效模式中IGBT特性,并给出了快速检测这种失效的两种备选方案。利用大面积高压压封IGBT模块及单IGBT芯片进行验证测试。
- Thomas BaslerJosef LutzThomas BrucknerRoland JakobPiotr SadowskiGunter Junge魏峰李立胡冬青
- 关键词：高压IGBT缓冲电路短路
- 电压源逆变器中二极管的短路现象
- 2012年
- 在电压源逆变器中IGBT的短路坚固性一直是一个重要的特性。所以有很多刊物研究IGBT的短路现象——尤其是短路类型一(开通瞬态时的短路),当然也包括短路类型二(通态下的短路)。除了IGBT,续流二极管也会遇到短路的情况。二极管的短路现象很大程度上取决于反并联IGBT的开关状态。本论文讨论了两种不同的二极管短路类型并解释了它与正常的反向恢复的不同。首次对二极管在非常短的短路导通后,短路类型四的应力讲行了实验估算和详细说明。
- Steffen PierstorfHans-Gu nter Eckel李立魏峰
- 关键词：电压源逆变器二极管短路
- 1200V NPT-IGBT的研制
- 根据给定的技术指标，采用区熔(FZ)单晶衬底、非穿通(NPT)耐压层、尺寸缩小的P阱、平面栅、多级场板终端（或场环加场板）等结构的组合，完成了1200V/25A NPT-IGBT样管的研制。利用DESSIS和TSUPRE...
- 魏峰
- 关键词：绝缘栅双极晶体管击穿电压阈值电压分凝系数
- 高压IGBT在di/dt缓冲电路中的短路特性
- 2013年
- di/dt缓冲电路中较高的开通电感使IGBT短路特性在两种短路模式下有明显的不同,由于短路开通时集电极-发射极电压的急剧减小,IGBT短路模式一中的特性变得格外重要,而且还引起VCE变陡峭的去饱和过程。本文描述了该失效模式中IGBT特性,并给出了快速检测这种失效的两种备选方案。利用大面积高压压封IGBT模块及单IGBT芯片进行验证测试。
- 魏峰李立
- 关键词：IGBT缓冲电路短路特性
- 改善高压FRD结终端电流丝化的新结构被引量：1
- 2013年
- 动态雪崩问题是影响高压硅功率二极管如高压快恢复二极管(FRD)坚固性的一个主要因素。文中通过仿真计算,比较了高压FRD两种不同终端结构的动态雪崩特性。结果表明,横向变掺杂2(VLD)终端结构的动态雪崩耐量比结终端延伸(JTE)结构更优。为改善后者动态雪崩过程中结终端处的电流丝化问题,文中提出改用P+/P阳极结构中的P型缓冲层做介于有源区与终端区之间的电阻区。仿真结果表明,相应的电流丝化问题可得到显著缓解。
- 吴立成吴郁魏峰贾云鹏胡冬青金锐査祎影
- 关键词：快恢复二极管终端结构
- 功率快恢复二极管反偏ESD机理分析被引量：2
- 2013年
- 功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程进行仿真计算。基于器件外端电压波形经历过冲、负阻和振荡以及平缓发展三个阶段,分析了器件内部相应的一系列复杂变化。结果表明:器件内部的"过耗尽"、雪崩注入、载流子及电场分布涨落等变化,最终导致电流在pn结拐角处形成局部集中。最后,分析了器件结构参数对抗ESD能力的影响。
- 魏峰吴郁周新田周东海吴立成贾云鹏胡冬青金锐刘钺杨
- 关键词：临界场
- 不同碰撞电离模型对击穿电压仿真的影响
- 2013年
- 半导体仿真软件已成为功率器件设计的主流工具,用来预测器件的特性。击穿电压是器件的重要指标之一,仿真计算只有选取合理的碰撞电离模型、设置恰当的参数才能使仿真预测更接近实际情况。本文主要从ISE碰撞电离模型的选取及碰撞电离驱动场的设置出发,计算多级场板、场环场板结构的击穿电压,最后给出多级场板、场环场板与实际情况相符的碰撞电离模型及驱动场。
- 魏峰吴郁吴立成周东海李立
- 关键词：击穿电压碰撞电离驱动场
- 基于内透明集电极技术的超结IGBT仿真研究被引量：1
- 2012年
- 基于内透明集电极(ITC)IGBT技术,提出了一种ITC超结IGBT(SJ-IGBT)结构。利用器件仿真工具,研究了SJ-IGBT的导通、开关、短路特性,并与普通平面栅ITC-IGBT技术指标进行了对比。仿真重点侧重于局域载流子寿命控制层(LCLC)位置和控制层内载流子寿命对开关、短路特性的影响。结果显示,与ITC-IGBT相比,SJ-IGBT通态压降与关断损耗折中技术曲线更加靠近原点,综合性能指标优于普通ITC-IGBT;同时,SJ-IGBT短路特性对LCLC位置和载流子局域寿命变化敏感度明显下降。
- 周东海胡冬青李立魏峰
- 关键词：绝缘栅双极型晶体管内透明集电极
