周东海
- 作品数：9 被引量：4H指数：1
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- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 应用SiC混合模块的牵引逆变器
- 2012年
- 研发了一种结势垒肖特基(JBS)二极管,在3kV电压下,具有低正向电压和低漏电流特性。用Si-IGBTs和SiC-JBS二极管搭建了标准3kV/200A混合模块。通过采用混合模块和高速驱动电路,我们试图降低反向恢复损耗及开通功率损耗。同时,我们估算变流器和逆变器的总能量损耗减小到原来的32.4%。另外,混合模块能成功地驱动列车的感应电动机。
- 周东海吴立成Kazutoshi OgawaKatsumi IshikawaNorihumi KameshiroHidekatsu OnoseMasahiro NagasuHitachi J
- 关键词：变流器SIC
- 功率快恢复二极管反偏ESD机理分析被引量：2
- 2013年
- 功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程进行仿真计算。基于器件外端电压波形经历过冲、负阻和振荡以及平缓发展三个阶段,分析了器件内部相应的一系列复杂变化。结果表明:器件内部的"过耗尽"、雪崩注入、载流子及电场分布涨落等变化,最终导致电流在pn结拐角处形成局部集中。最后,分析了器件结构参数对抗ESD能力的影响。
- 魏峰吴郁周新田周东海吴立成贾云鹏胡冬青金锐刘钺杨
- 关键词：临界场
- 基于ITC技术的600V超结IGBT的仿真研究
- IGBT是电力电子系统进行能量控制和转换的重要的开关元器件之一，它的性能好坏直接影响着电力电子系统的转换效率、体积和重量。随着电力电子系统不断朝着大容量、高频化、系统化和低成本的方向发展，IGBT的功耗问题却成为电力系统...
- 周东海
- 关键词：内透明集电极综合性能绝缘栅双极型晶体管
- 内透明集电极IGBT开关特性及短路特性仿真研究
- 2013年
- 针对内透明集电极(internal transparent collector,ITC)绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)结构的短路特性进行数值模拟研究,通过模拟仿真明确了缓冲层掺杂浓度、局域载流子寿命控制区位置及局域载流子寿命参数对ITC-IGBT的导通特性、开关特性、短路特性的影响。通过优化折中器件的缓冲层掺杂浓度、局域寿命控制区寿命参数和局域寿命控制区位置的关系,在器件特性满足要求的同时,改善器件的抗短路能力。文章最后给出一种可供参考的具有良好抗短路能力的IGBT器件设计方法,确定了缓冲层浓度的最低值和局域载流子寿命最大值,明确了局域寿命控制的合理范围。
- 张惠惠胡冬青周新田周东海穆辛查祎英
- 关键词：开关特性短路特性
- 基于内透明集电极技术的超结IGBT仿真研究被引量：1
- 2012年
- 基于内透明集电极(ITC)IGBT技术,提出了一种ITC超结IGBT(SJ-IGBT)结构。利用器件仿真工具,研究了SJ-IGBT的导通、开关、短路特性,并与普通平面栅ITC-IGBT技术指标进行了对比。仿真重点侧重于局域载流子寿命控制层(LCLC)位置和控制层内载流子寿命对开关、短路特性的影响。结果显示,与ITC-IGBT相比,SJ-IGBT通态压降与关断损耗折中技术曲线更加靠近原点,综合性能指标优于普通ITC-IGBT;同时,SJ-IGBT短路特性对LCLC位置和载流子局域寿命变化敏感度明显下降。
- 周东海胡冬青李立魏峰
- 关键词：绝缘栅双极型晶体管内透明集电极
- 应用SiC混合模块的牵引逆变器
- 2012年
- 研发了一种结势垒肖特基(JBS)二极管,在3kV电压下,具有低正向电压和低漏电流特性。用Si-IGBTs和SiC-JBS二极管搭建了标准3kV/200A混合模块。通过采用混合模块和高速驱动电路,我们试图降低反向恢复损耗及开通功率损耗。同时,我们估算变流器和逆变器的总能量损耗减小到原来的32.4%。另外,混合模块能成功地驱动了列车的感应电动机。
- Kazutoshi OgawaKatsumi IshikawaNorihumi KameshiroHidekatsu OnoseMasahiro NagasuHitachiJ周东海吴立成
- 关键词：变流器SIC
- 不同碰撞电离模型对击穿电压仿真的影响
- 2013年
- 半导体仿真软件已成为功率器件设计的主流工具,用来预测器件的特性。击穿电压是器件的重要指标之一,仿真计算只有选取合理的碰撞电离模型、设置恰当的参数才能使仿真预测更接近实际情况。本文主要从ISE碰撞电离模型的选取及碰撞电离驱动场的设置出发,计算多级场板、场环场板结构的击穿电压,最后给出多级场板、场环场板与实际情况相符的碰撞电离模型及驱动场。
- 魏峰吴郁吴立成周东海李立
- 关键词：击穿电压碰撞电离驱动场
- 一种无源无损钳位的新型单级PFC变换器被引量：1
- 2013年
- 提出了一种新型反激式单级PFC变换器结构,它采用"直接能量传输(DPT)"来提高变换效率、抑制电容电压,并通过引入无源无损钳位的LCD电路来吸收利用漏感能量、钳位开关电压,进而从整体上提高变换器的性能。实验结果显示,它在保持中间储能电容电压Vd小于300 V,开关电压应力VS1低于450 V的情况下吸收利用漏感能量,使变换效率η提高约1.4%。证明了这种结构在解决单级PFC变换器当前所遇问题上的有效性。
- 高一星胡冬青李立周东海
- 关键词：功率因数校正反激变换器
- 梯形侧壁槽结构超结MOSFET的仿真研究
- 2012年
- 仿真研究了垂直侧壁槽(Type1)和梯形侧壁槽(Type2和Type3)600 V超结金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET)击穿电压随电荷失衡的变化关系。在p柱、n柱均匀掺杂条件下,Type1具有最高峰值击穿电压,出现在p柱、n柱掺杂浓度相等条件下;Type2具有最低峰值击穿电压,出现在p柱掺杂浓度略低于n柱掺杂浓度条件下:Type3的峰值击穿电压高于Type2,但击穿电压对电荷失衡敏感度最高。p柱采用高斯分布,可使梯形侧壁槽结构超结MOSFET的峰值击穿电压达到与垂直槽结构相当的结果。且击穿电压对电荷失衡敏感度与结构有关:Type2在p柱浓度欠补偿,Type3在p柱浓度过补偿情况下更利于工艺控制。
- 李立胡冬青周东海吴立成
- 关键词：击穿电压
