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吴立成

作品数:7 被引量:3H指数:1
供职机构:北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家电网公司科技项目更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇快恢复二极管
  • 3篇二极管
  • 2篇逆变
  • 2篇逆变器
  • 2篇牵引逆变器
  • 2篇击穿电压
  • 2篇变流
  • 2篇变流器
  • 2篇SIC
  • 2篇场板
  • 1篇电离
  • 1篇电流
  • 1篇阳极
  • 1篇碰撞
  • 1篇碰撞电离
  • 1篇驱动场
  • 1篇终端结构
  • 1篇临界场
  • 1篇结终端
  • 1篇晶体管

机构

  • 7篇北京工业大学

作者

  • 7篇吴立成
  • 5篇周东海
  • 3篇吴郁
  • 3篇魏峰
  • 3篇胡冬青
  • 2篇李立
  • 2篇贾云鹏
  • 1篇周新田

传媒

  • 2篇电力电子
  • 1篇电子科技
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇电源世界

年份

  • 4篇2013
  • 3篇2012
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
功率快恢复二极管反偏ESD机理分析被引量:2
2013年
功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程进行仿真计算。基于器件外端电压波形经历过冲、负阻和振荡以及平缓发展三个阶段,分析了器件内部相应的一系列复杂变化。结果表明:器件内部的"过耗尽"、雪崩注入、载流子及电场分布涨落等变化,最终导致电流在pn结拐角处形成局部集中。最后,分析了器件结构参数对抗ESD能力的影响。
魏峰吴郁周新田周东海吴立成贾云鹏胡冬青金锐刘钺杨
关键词:临界场
具有FSA结构的3.3kV快恢复二极管结构设计及仿真
在高压快恢复二极管方面,国内的研发水平与国际相比有相当差距。因此,在设计和研制时进行具体、深入和系统的研究与分析,对于有效提高器件性能和缩小水平差距具有很重要的现实意义。本文结合现有国内工艺平台,借助半导体器件仿真工具,...
吴立成
关键词:仿真计算
改善高压FRD结终端电流丝化的新结构被引量:1
2013年
动态雪崩问题是影响高压硅功率二极管如高压快恢复二极管(FRD)坚固性的一个主要因素。文中通过仿真计算,比较了高压FRD两种不同终端结构的动态雪崩特性。结果表明,横向变掺杂2(VLD)终端结构的动态雪崩耐量比结终端延伸(JTE)结构更优。为改善后者动态雪崩过程中结终端处的电流丝化问题,文中提出改用P+/P阳极结构中的P型缓冲层做介于有源区与终端区之间的电阻区。仿真结果表明,相应的电流丝化问题可得到显著缓解。
吴立成吴郁魏峰贾云鹏胡冬青金锐査祎影
关键词:快恢复二极管终端结构
应用SiC混合模块的牵引逆变器
2012年
研发了一种结势垒肖特基(JBS)二极管,在3kV电压下,具有低正向电压和低漏电流特性。用Si-IGBTs和SiC-JBS二极管搭建了标准3kV/200A混合模块。通过采用混合模块和高速驱动电路,我们试图降低反向恢复损耗及开通功率损耗。同时,我们估算变流器和逆变器的总能量损耗减小到原来的32.4%。另外,混合模块能成功地驱动列车的感应电动机。
周东海吴立成Kazutoshi OgawaKatsumi IshikawaNorihumi KameshiroHidekatsu OnoseMasahiro NagasuHitachi J
关键词:变流器SIC
应用SiC混合模块的牵引逆变器
2012年
研发了一种结势垒肖特基(JBS)二极管,在3kV电压下,具有低正向电压和低漏电流特性。用Si-IGBTs和SiC-JBS二极管搭建了标准3kV/200A混合模块。通过采用混合模块和高速驱动电路,我们试图降低反向恢复损耗及开通功率损耗。同时,我们估算变流器和逆变器的总能量损耗减小到原来的32.4%。另外,混合模块能成功地驱动了列车的感应电动机。
Kazutoshi OgawaKatsumi IshikawaNorihumi KameshiroHidekatsu OnoseMasahiro NagasuHitachiJ周东海吴立成
关键词:变流器SIC
不同碰撞电离模型对击穿电压仿真的影响
2013年
半导体仿真软件已成为功率器件设计的主流工具,用来预测器件的特性。击穿电压是器件的重要指标之一,仿真计算只有选取合理的碰撞电离模型、设置恰当的参数才能使仿真预测更接近实际情况。本文主要从ISE碰撞电离模型的选取及碰撞电离驱动场的设置出发,计算多级场板、场环场板结构的击穿电压,最后给出多级场板、场环场板与实际情况相符的碰撞电离模型及驱动场。
魏峰吴郁吴立成周东海李立
关键词:击穿电压碰撞电离驱动场
梯形侧壁槽结构超结MOSFET的仿真研究
2012年
仿真研究了垂直侧壁槽(Type1)和梯形侧壁槽(Type2和Type3)600 V超结金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET)击穿电压随电荷失衡的变化关系。在p柱、n柱均匀掺杂条件下,Type1具有最高峰值击穿电压,出现在p柱、n柱掺杂浓度相等条件下;Type2具有最低峰值击穿电压,出现在p柱掺杂浓度略低于n柱掺杂浓度条件下:Type3的峰值击穿电压高于Type2,但击穿电压对电荷失衡敏感度最高。p柱采用高斯分布,可使梯形侧壁槽结构超结MOSFET的峰值击穿电压达到与垂直槽结构相当的结果。且击穿电压对电荷失衡敏感度与结构有关:Type2在p柱浓度欠补偿,Type3在p柱浓度过补偿情况下更利于工艺控制。
李立胡冬青周东海吴立成
关键词:击穿电压
共1页<1>
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