姜立娟
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十七研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- VDMOS器件动态特性研究被引量：1
- 2016年
- VDMOS器件具有开关速度快、开关损耗小、频率特性好等优点,被广泛应用于高频开关器件领域。利用TCAD软件对VDMOS器件进行建模仿真,研究了元胞P阱间氧化层厚度对器件静态参数和动态参数的影响。结果表明,器件的阈值电压不变,器件的导通电阻随着元胞P阱间氧化层厚度的增加而增加,器件的栅电荷随着元胞P阱间氧化层厚度的增加而减小,二者相互矛盾,但器件功耗优值明显提高。同时采取JFET注入技术降低导通电阻,使得器件的动态性能进一步改善,对高频VDMOS器件的应用具有一定的指导意义。
- 郑莹姜立娟
- 关键词：VDMOS器件动态特性氧化层阈值电压导通电阻栅电荷
- 大规模集成电路抗热载流子设计
- 2008年
- 文章主要介绍了热载流子效应机理及产生原因,从其机理出发着重介绍了抗热载流子效应的设计方法。影响CMOS电路热载流子效应的因素有:晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率以及晶体管在电路中的位置。通过对这些因素的研究,文章提出了CMOS电路热载流子可靠性设计的通用准则。
- 姜立娟赵峰唐拓
- 关键词：热载流子CMOS集成电路
- 高稳定薄膜电阻技术及其应用被引量：2
- 2008年
- 首先对有关薄膜电阻的理论作了一定的探讨,得出薄膜电阻随电阻率的增加,其温度系数将会减小;在一定厚度范围内薄膜厚度减小,其温度系数减小;适当的成膜工艺能控制和改善电阻的温度系数的结论。给出了制备薄膜电阻的试验方法(调整薄膜的淀积条件以获得高质量的薄膜,再通过热处理激活)及试验结果,对影响电阻特性及稳定性的一些条件进行了讨论,并探讨了高稳定薄膜电阻技术在集成电路中的应用前景。该工艺现已在双极和MOS电路中得到了很好的应用,拥有更快、更好的发展前景。
- 张丽姜立娟
- 关键词：薄膜电阻高稳定
