郑莹
- 作品数：11 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 一种光电池及其制造方法
- 本申请提供一种光电池的制造方法，包括a.提供n型基体；b.在所述n型基体上形成p环区以及围绕所述p环区的n环区，所述p环区与所述n环区间隔；c.在被所述p环区围绕的区域内形成与所述p环区贴合的光敏区；d.利用硅烷与氨气通...
- 吴会利郑莹陈桂梅赵子健
- 文献传递
- 一种抗单粒子烧毁的VDMOS器件及其制作方法
- 本发明公开了一种抗单粒子烧毁的VDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。该VDMOS在源漏区域中间断开多晶硅条，在断开的结型场效应电阻处注入一定的P型离子，从而形成一种具有新型结构的耗尽区。这种新型结构在一定程度上加大...
- 蔺伟聪郑莹
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- 一种提高VDMOS器件抗辐照能力的方法
- 本发明公开了一种提高VDMOS器件抗辐照能力的方法，属于半导体制造技术领域。该方法是将VDMOS器件中的栅氧化层替换为三层结构栅，从而提高VDMOS器件的抗辐照能力；所述三层结构栅是由依次叠加复合的氮氧化物层、氢氧合成氧...
- 任通郑莹
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- 一种光电池及其制造方法
- 本申请提供一种光电池的制造方法，包括a.提供n型基体；b.在所述n型基体上形成p环区以及围绕所述p环区的n环区，所述p环区与所述n环区间隔；c.在被所述p环区围绕的区域内形成与所述p环区贴合的光敏区；d.利用硅烷与氨气通...
- 吴会利郑莹陈桂梅赵子健
- 一种VDMOS器件及其制造方法
- 本申请提供一种VDMOS器件的制造方法包括在衬底的外延层表面形成沟槽，在所述沟槽内沉积体内氧化层，在所述外延层之上形成栅极，所述栅极与所述体内氧化层接界，在所述外延层上，以与所述体内氧化层间隔一段距离的方式在所述体内氧化...
- 郑莹吴会利马洪江
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- VDMOS器件动态特性研究被引量：1
- 2016年
- VDMOS器件具有开关速度快、开关损耗小、频率特性好等优点,被广泛应用于高频开关器件领域。利用TCAD软件对VDMOS器件进行建模仿真,研究了元胞P阱间氧化层厚度对器件静态参数和动态参数的影响。结果表明,器件的阈值电压不变,器件的导通电阻随着元胞P阱间氧化层厚度的增加而增加,器件的栅电荷随着元胞P阱间氧化层厚度的增加而减小,二者相互矛盾,但器件功耗优值明显提高。同时采取JFET注入技术降低导通电阻,使得器件的动态性能进一步改善,对高频VDMOS器件的应用具有一定的指导意义。
- 郑莹姜立娟
- 关键词：VDMOS器件动态特性氧化层阈值电压导通电阻栅电荷
- 一种具有双层绝缘层结构的抗总剂量辐照的VDMOS器件
- 本发明公开了一种具有双层绝缘层结构的抗总剂量辐照的VDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统的VDMOS器件基础上，绝缘层采用BPSG并且在上面低压沉积Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>...
- 朱宇清郑莹
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- 功率VDMOS器件设计及研制被引量：2
- 2016年
- 分析了VDMOS器件击穿电压、导通电阻、阈值电压和开关特性等主要性能指标的影响因素,并借助半导体模拟仿真软件Sentaurus对VDMOS器件进行建模,调整器件各个结构参数,提出采用P体区间厚氧化层方法提高器件的动态特性,获得满足设计目标要求的器件电性能参数,最终形成器件设计版图,并依此在现有生产线上进行工艺流片,根据流片结果进一步优化调整设计参数,最终获得一款击穿电压400 V、导通电阻0.45?、阈值电压2.5 V、开关特性较好的功率VDMOS器件。
- 郑莹
- 关键词：VDMOS器件击穿电压导通电阻阈值电压开关特性
- 一种VDMOS器件的制造方法
- 本发明公开了一种VDMOS器件的制造方法，属于半导体分立器件制造技术领域。该方法通过将栅氧工艺安排在P体区注入和N+源区注入之后，用以避免现有技术中的高温过程，提高栅氧质量，同时，将P体区和N+源区注入光刻掩膜版合二为一...
- 郑莹
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- 光敏二极管电压特性研究被引量：8
- 2016年
- 光敏二极管是在外加反向偏压的情况下体现出其光电转换特性的。对于光敏器件来说,其反向击穿特性至关重要。首先对光敏二极管的结构、工作原理进行了概述,从浅结光敏区、过程缺陷、表面应力、不同结构等方面展开对光敏二极管电压特性的研究工作。通过实验验证及器件工艺模拟仿真,分别采用快速退火、改进表面清洗工艺、掺氯氧化工艺、采用合理的淀积温度及速率、采用双层膜结构或热退火工艺等方式改善和提高光敏二极管的电压特性。通过研究其反向击穿电压特性,保证其电压参数的同时,可以有效提升产品其它参数如暗电流、光生电压等的控制水平。
- 吴会利郑莹
- 关键词：反向击穿电压暗电流沾污表面应力
