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文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 2篇湿法
  • 2篇湿法刻蚀
  • 2篇阻挡层
  • 2篇刻蚀
  • 2篇二极管
  • 1篇定位装置
  • 1篇动态性能
  • 1篇氧化层
  • 1篇增力
  • 1篇通用夹具
  • 1篇外延层
  • 1篇漏极
  • 1篇金属
  • 1篇紧固
  • 1篇击穿电压
  • 1篇夹具
  • 1篇反向击穿
  • 1篇反向击穿电压
  • 1篇封装
  • 1篇封装工艺

机构

  • 4篇中国电子科技...

作者

  • 4篇马洪江
  • 2篇林洪春
  • 2篇刘旸
  • 2篇唐冬
  • 2篇刘昕阳
  • 2篇孔明
  • 1篇吴会利
  • 1篇郑莹
  • 1篇赵鹤然

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
一种VDMOS器件及其制造方法
本申请提供一种VDMOS器件的制造方法包括在衬底的外延层表面形成沟槽,在所述沟槽内沉积体内氧化层,在所述外延层之上形成栅极,所述栅极与所述体内氧化层接界,在所述外延层上,以与所述体内氧化层间隔一段距离的方式在所述体内氧化...
郑莹吴会利马洪江
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二极管湿法刻蚀方法
本发明公开了二极管湿法刻蚀方法。该二极管湿法刻蚀方法包括以下步骤:a、腐蚀导电层及阻挡层,形成多个被腐蚀单元;b、腐蚀形成于多个被腐蚀单元间的粘附层;c、腐蚀多个被腐蚀单元的导电层的边缘部分及阻挡层的边缘部分,使被腐蚀单...
唐冬刘旸马洪江孔明林洪春刘昕阳
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一种针对DIP外壳的通用封装过程紧固和精确定位装置
本实用新型公开了一种针对DIP外壳的通用封装过程紧固和精确定位装置,属于DIP外壳封装技术领域。该装置包括主载物台、可动定位框和定位螺栓,其中:所述主载物台上设有承载凸台,承载凸台上设有真空吸附孔和增力槽,真空吸附孔下端...
李靖旸赵鹤然康敏马洪江
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二极管湿法刻蚀方法
本发明公开了二极管湿法刻蚀方法。该二极管湿法刻蚀方法包括以下步骤:a、腐蚀导电层及阻挡层,形成多个被腐蚀单元;b、腐蚀形成于多个被腐蚀单元间的粘附层;c、腐蚀多个被腐蚀单元的导电层的边缘部分及阻挡层的边缘部分,使被腐蚀单...
唐冬刘旸马洪江孔明林洪春刘昕阳
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